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據(jù)悉，氮化硅陶瓷的理論熱導(dǎo)率可達(dá)到200W/|（m·K）以上，而其熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)相差無(wú)幾，氮化硅陶瓷基板被認(rèn)為是大規(guī)?；虺笠?guī)模集成電路封裝基板材料的優(yōu)先選擇。

而燒結(jié)工藝是氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)之一，氮化硅基板燒結(jié)受到溫度、氣氛、氣壓、溫度及氣氛均勻性等的綜合影響，過(guò)程極其復(fù)雜，極易出現(xiàn)外觀(guān)均勻性、尺寸均勻性變差、成品率降低等問(wèn)題，需要系統(tǒng)開(kāi)展燒結(jié)工藝研究，針對(duì)國(guó)產(chǎn)原料及相應(yīng)配方制定與之匹配的燒結(jié)工藝，燒結(jié)設(shè)備。

目前，氮化硅材料廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、半導(dǎo)體、光伏、醫(yī)療器材、太陽(yáng)能電池、手機(jī)底板、航空航天等領(lǐng)域，是這些領(lǐng)域的關(guān)鍵材料，也是第三代半導(dǎo)體碳化硅芯片最匹配的封裝材料。今年以來(lái)，氮化硅材料熱度持續(xù)上漲，已有多個(gè)項(xiàng)目簽約落地。

3月27日，浙江省嘉興國(guó)家高新區(qū)（高照街道）一季度重大項(xiàng)目集中簽約儀式舉行。其中，總投資約52億元的瓷新半導(dǎo)體材料總部項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)年產(chǎn)3000萬(wàn)片的氮化硅基板及3000萬(wàn)片氮化硅覆銅板，項(xiàng)目投產(chǎn)后將有效填補(bǔ)國(guó)內(nèi)高端氮化硅陶瓷材料產(chǎn)業(yè)空白，助推汽車(chē)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

而在5月31日，總投資10億元的氮化硅材料項(xiàng)目簽約落地浙江嘉興桐鄉(xiāng)。該項(xiàng)目主要生產(chǎn)氮化硅高純粉體及其制品，其中一期項(xiàng)目計(jì)劃投資5億元。（來(lái)源：株洲日?qǐng)?bào)，集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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