source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車(chē)800V平臺(tái)，可提升車(chē)載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)及工業(yè)電源領(lǐng)域，有助于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉(zhuǎn)換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。

此外，英諾賽科表示該產(chǎn)品已經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，已在中大功率電源方面實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，下一步將被應(yīng)用在新能源汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
英諾賽科指出，氮化鎵技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。

在不久前，英諾賽科與全球半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議，雙方將共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車(chē)及工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

核心技術(shù)突破：氮化鎵（GaN）功率器件

“黑豹2.0”的革命性突破在于其電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，其中核心技術(shù)之一是采用了第三代氮化鎵（GaN）功率器件。氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高頻、高效、高功率密度等優(yōu)勢(shì)，相較于傳統(tǒng)硅基器件，能夠顯著提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能。

具體而言，氮化鎵器件的應(yīng)用使得“黑豹2.0”的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了以下突破：功率密度大幅提升：功率密度提升至15kW/kg，達(dá)到行業(yè)新高，驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)更加緊湊高效。

能效轉(zhuǎn)換效率高達(dá)95%：氮化鎵器件的高頻開(kāi)關(guān)特性（可達(dá)3MHz）和零反向恢復(fù)損耗特性，有效降低了開(kāi)關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)效率。

控制響應(yīng)延遲壓縮至2毫秒以內(nèi)：為機(jī)器人提供了更快的動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力，支持其實(shí)現(xiàn)10米/秒的極限奔跑速度。

驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)小型化與輕量化：通過(guò)減小器件體積，氮化鎵器件助力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)了小型化與輕量化設(shè)計(jì)。

浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心人形機(jī)器人創(chuàng)新研究院院長(zhǎng)王宏濤教授表示：在研發(fā)“黑豹2.0”的過(guò)程中，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了兩大顛覆性突破之一就是設(shè)計(jì)出了國(guó)際領(lǐng)先的具有高功率密度、高載荷能力的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，為下一代工業(yè)四足機(jī)器人的研發(fā)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

氮化鎵功率器件的應(yīng)用不僅提升了“黑豹2.0”的運(yùn)動(dòng)性能，還為機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)的輕量化與能效革新提供了標(biāo)桿案例。其高頻開(kāi)關(guān)特性和高功率密度特性，解決了傳統(tǒng)硅基器件在功率密度、熱損耗與響應(yīng)速度上的瓶頸，助力電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在更高頻率下工作，同時(shí)降低功率損耗。

氮化鎵技術(shù)的引入，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。隨著技術(shù)的進(jìn)一步突破和市場(chǎng)需求增加，氮化鎵有望成為推動(dòng)機(jī)器人領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

1、揚(yáng)杰科技

3月31日，揚(yáng)杰科技披露了其2024年度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，該公司2024年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入60.33億元，同比增長(zhǎng)11.53%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)10.02億元，同比增長(zhǎng)8.50%。其中在第一到第四季度的營(yíng)收逐季增長(zhǎng)，分別為13.28億元、15.37億元、15.58億元和16.10億元。總體來(lái)看，在2024年度，揚(yáng)杰科技收入、毛利率、凈利潤(rùn)大體呈現(xiàn)逐季改善走高的趨勢(shì)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

財(cái)報(bào)中提到，揚(yáng)杰科技持續(xù)增加對(duì)第三代半導(dǎo)體芯片行業(yè)的投入，加大在以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件等產(chǎn)品的研發(fā)力度。其投資的SiC芯片工廠在報(bào)告期內(nèi)完成廠房裝修、設(shè)備搬入和產(chǎn)品通線，采用IDM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了多款SiC產(chǎn)品升級(jí)。公司在碳化硅尤其是SiC MOS市場(chǎng)份額持續(xù)增加，當(dāng)前各類產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于AI服務(wù)器電源、新能源汽車(chē)、光伏、充電樁、儲(chǔ)能、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

公開(kāi)資料顯示，揚(yáng)杰科技集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。報(bào)告期內(nèi)，其不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、人工智能、工業(yè)、光伏儲(chǔ)能等市場(chǎng)的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升。

2、長(zhǎng)電科技

4月9日，長(zhǎng)電科技發(fā)布2024年度業(yè)績(jī)快報(bào)及2025年第一季度主要經(jīng)營(yíng)情況。財(cái)報(bào)顯示，2024年，該公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入359.6億元，同比增長(zhǎng)21.2%；歸屬于母公司的凈利潤(rùn)為16.1億元，同比增長(zhǎng)9.52％。公司的毛利率為12.07%，同比增長(zhǎng)3.16個(gè)百分點(diǎn)；凈利率為4.56%，同比增長(zhǎng)2.10個(gè)百分點(diǎn)。

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此外在2025 年第一季度經(jīng)營(yíng)報(bào)告中，長(zhǎng)電科技預(yù)計(jì)2025年第一季度實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)人民幣2.00 億元左右（未經(jīng)審計(jì)），與上年同期人民幣1.35億元相比，同比增長(zhǎng)50.00%左右。

長(zhǎng)電科技此前表示，公司正在加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，特別是在第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件。在2024年，長(zhǎng)電科技不僅推出兩款碳化硅塑封模塊樣品，還在8月與氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器頭部廠商Allegro MicroSystems達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方合作重點(diǎn)建立高精度磁傳感器和電源管理解決方案的本地化封裝和測(cè)試能力。

3、英諾賽科

英諾賽科也于近日發(fā)布了2024年年報(bào)。年報(bào)顯示，英諾賽科2024年完成營(yíng)業(yè)收入8.29億元，同比增長(zhǎng)39.8%。利率持續(xù)大幅改善，毛損率由2023年的-61.6%縮減至2024年的-19.5%，提升42.1個(gè)百分點(diǎn)。海外銷售收入達(dá)人民幣126.4百萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)118.1%。

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英諾賽科產(chǎn)品在消費(fèi)電子應(yīng)用領(lǐng)域占比持續(xù)增長(zhǎng)，收入同比增長(zhǎng)48%。在新能源汽車(chē)、AI以及人形機(jī)器人領(lǐng)域取得重大突破：車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵交付數(shù)量同比增長(zhǎng)986.7%，AI及數(shù)據(jù)中心芯片交付數(shù)量同比增長(zhǎng)669.8%，100萬(wàn)關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

在生產(chǎn)制造方面，2024年其整體良率達(dá)95%，單位制造成本下降近40%；全年交付芯片6.6億顆，出貨量呈幾何級(jí)數(shù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

綜合來(lái)看，以上三家公司都呈現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿?，未?lái)隨著新能源汽車(chē)、AI算力、光伏儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的增長(zhǎng)，相關(guān)企業(yè)有望推動(dòng)中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高端化邁進(jìn)。（集邦化合物半導(dǎo)體niko整理）

該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TOLL（晶體管外形無(wú)引線）封裝，結(jié)合高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與650V GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），可顯著提升電源設(shè)計(jì)的功率密度和效率，適用于數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源及可再生能源等高需求應(yīng)用場(chǎng)景。

source：德州儀器

德州儀器工業(yè)電源設(shè)計(jì)服務(wù)總經(jīng)理Robert Taylor表示：隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)能源的需求日益增加，全球數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施供電領(lǐng)域開(kāi)始使用更智能、更高效的半導(dǎo)體，先進(jìn)的芯片驅(qū)動(dòng)著人工智能的計(jì)算能力，而模擬半導(dǎo)體則是提高能源效率的關(guān)鍵。我們創(chuàng)新的電源管理技術(shù)使數(shù)據(jù)中心能夠減少其對(duì)環(huán)境的影響，同時(shí)幫助我們滿足數(shù)字世界日益增長(zhǎng)的需求。

新的功率級(jí)集成了高性能柵極驅(qū)動(dòng)器與 650V GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高效率 (>98%) 和高功率密度 (>100W/in3)。這些器件還集成了先進(jìn)的保護(hù)功能，包括過(guò)電流保護(hù)、短路保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)。這對(duì)于服務(wù)器電源等交流/直流應(yīng)用尤為重要，因?yàn)樵O(shè)計(jì)人員面臨著在更小空間內(nèi)提供更大功率的挑戰(zhàn)。

此前， 德州儀器基于氮化鎵（GaN）的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開(kāi)始投產(chǎn)，加上已有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能將提升至原來(lái)的四倍，大幅增強(qiáng)了其供應(yīng)鏈穩(wěn)定性。

隨著AI、云計(jì)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)高能效電源的需求激增。德州儀器的GaN功率級(jí)系列可助力服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)及電動(dòng)汽車(chē)充電設(shè)備實(shí)現(xiàn)更高功率密度和更低能耗，從而降低運(yùn)營(yíng)成本并減少碳足跡。（集邦化合物半導(dǎo)體妮蔻整理）

source：OPPO

據(jù)介紹，OPPO 100W 小方瓶超級(jí)閃充氮化鎵充電器能夠在約 30 分鐘內(nèi)為 OPPO Find X8 Ultra 手機(jī)充入約 90% 的電量。新款OPPO 100W小方瓶超級(jí)閃充氮化鎵充電器采用了獨(dú)特的“前圓后方”設(shè)計(jì)。

快速充電的背后，是氮化鎵（GaN）材料的加持。相較于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵具備更高的能效和更好的熱管理能力，使得充電器在小型化的同時(shí)依然能夠輸出大功率。這也正是OPPO此次能夠?qū)?00W功率集成在“小方瓶”體積中的關(guān)鍵技術(shù)支撐。

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有禁帶寬度大、電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái)，眾多手機(jī)廠商都在氮化鎵充電器領(lǐng)域積極布局。

2019年10月，OPPO正式發(fā)布OPPO Reno Ace，這是氮化鎵首次應(yīng)用于手機(jī)原裝快充充電器。此后，眾多廠商紛紛跟進(jìn)。例如，小米的67W GaN三口版氮化鎵充電器、安克的Zolo 20W氮化鎵充電器、華為的氮化鎵充電器等。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

source：兆易創(chuàng)新

此次合作將納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)與兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)勢(shì)整合，打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源產(chǎn)品，并配合兆易創(chuàng)新的全產(chǎn)業(yè)鏈的管理能力與納微對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用的深刻理解，加速在AI數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、儲(chǔ)能、充電樁和電動(dòng)汽車(chē)商業(yè)化布局。

兆易創(chuàng)新高級(jí)副總裁CTO、MCU事業(yè)部總經(jīng)理李寶魁表示，此次與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作，將高性能GD32 MCU與納微GaNFast氮化鎵技術(shù)深度融合，為數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、新能源汽車(chē)等應(yīng)用場(chǎng)景提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案。

作為戰(zhàn)略合作的重要組成部分，納微還將與兆易創(chuàng)新共建聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，融合雙方的技術(shù)專長(zhǎng)和生態(tài)資源優(yōu)勢(shì)，驅(qū)動(dòng)智能、高效電源管理方案的創(chuàng)新升級(jí)。

作為第三代功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，納微半導(dǎo)體憑借全面的GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件所形成完備的產(chǎn)品組合，為AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能儲(chǔ)能和消費(fèi)電子等行業(yè)帶來(lái)動(dòng)力。

據(jù)悉，在近期的3月中旬，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器。該技術(shù)通過(guò)單級(jí)BDS（雙向開(kāi)關(guān)）變換器，將傳統(tǒng)雙級(jí)拓?fù)湎騿渭?jí)架構(gòu)轉(zhuǎn)型，目標(biāo)市場(chǎng)涵蓋電動(dòng)汽車(chē)充電（車(chē)載充電機(jī)OBC及充電樁）、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。雙向GaNFast氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高達(dá)10%的降本、20%的節(jié)能以及50%的體積縮減。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

據(jù)知情人士透露，這次的神秘買(mǎi)家與之前參與競(jìng)購(gòu)的瑞典-芬蘭財(cái)團(tuán)和比利時(shí)本土投資者不同，其提出了更具吸引力的報(bào)價(jià)。

BelGaN前身為1983年成立的MIETEC，后經(jīng)阿爾卡特、AMI Semiconductor、安森美等多次轉(zhuǎn)手。2022年，該工廠由香港投資方Rockley Management與Wuxi Group收購(gòu)，轉(zhuǎn)型為GaN代工廠。

BelGaN工廠位于比利時(shí)奧德納爾德，占地44萬(wàn)平方米，擁有4300平方米無(wú)塵室及250臺(tái)制造設(shè)備，其中80%可升級(jí)至8英寸產(chǎn)線，月產(chǎn)能達(dá)1.9萬(wàn)片6英寸GaN晶圓。作為歐洲少數(shù)具備車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證的GaN代工廠，其技術(shù)實(shí)力不容小覷。

然而在2024年7月，BelGaN因現(xiàn)金流斷裂申請(qǐng)破產(chǎn)，440名員工面臨失業(yè)。

在BelGaN宣布破產(chǎn)后，曾有三大公司競(jìng)購(gòu)，包括北歐投資集團(tuán)（7 Semiconductors Oy）、中國(guó)賽微電子、歐洲本土勢(shì)力（GuidoDumarey財(cái)團(tuán)）。

有消息稱，若本次收購(gòu)?fù)瓿?，新投資者計(jì)劃保留GaN代工業(yè)務(wù)，同時(shí)引入硅光（Silicon Photonics）技術(shù)，開(kāi)發(fā)光通信芯片。光芯片在數(shù)據(jù)中心、AI算力等領(lǐng)域需求增長(zhǎng)迅速，BelGaN可能瞄準(zhǔn)歐洲光子產(chǎn)業(yè)鏈的空缺市場(chǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

元腦服務(wù)器介紹，在數(shù)據(jù)中心復(fù)雜的能源架構(gòu)里，電源是將外部輸入電能精準(zhǔn)分配給各類IT設(shè)備的核心環(huán)節(jié)。盡管HVDC高壓直流、固態(tài)變壓器（SST）等新型供電架構(gòu)已通過(guò)減少配電層級(jí)損耗，成功將配電層供電鏈路的系統(tǒng)級(jí)能效提升至96%-98%，但傳統(tǒng)鉑金電源的能效短板問(wèn)題正不斷突顯。

source：元腦服務(wù)器

以智算中心主流的20%-50%負(fù)載區(qū)間為例，鉑金電源的轉(zhuǎn)換效率僅為90%-94%，形成“高系統(tǒng)能效、低設(shè)備能效”的斷層，能效差達(dá)4%-8%。在服務(wù)器機(jī)箱這一關(guān)鍵電能轉(zhuǎn)換終端環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)鉑金電源如同“漏水的燃料艙”，造成高達(dá)10%的電能損耗。據(jù)估測(cè)，僅一座10MW智算中心每年便因此浪費(fèi)超900萬(wàn)度電，每1%的能效提升即可節(jié)省百萬(wàn)級(jí)的電費(fèi)支出。

元腦服務(wù)器的氮化鎵鈦金電源方案與傳統(tǒng)服務(wù)器鉑金電源存在顯著差異。

傳統(tǒng)服務(wù)器鉑金電源依賴MOSFET器件，受限于材料物理特性，存在高頻開(kāi)關(guān)損耗與發(fā)熱等問(wèn)題。與之相比，氮化鎵材料優(yōu)勢(shì)明顯，其電子遷移率是硅的10倍，可支持MHz級(jí)高頻開(kāi)關(guān)，能使動(dòng)態(tài)損耗降低70% ；相同功率下?lián)碛谐蛯?dǎo)通電阻（僅為硅基器件的1/5），可讓發(fā)熱量減少50%；擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)3.3MV/cm，憑借出色的耐高壓耐高溫特性，支持高壓直連架構(gòu)，能夠消除多級(jí)轉(zhuǎn)換損耗。

展望未來(lái)，隨著激增的算力需求與數(shù)據(jù)中心能耗矛盾的加劇，在散熱效率、能效標(biāo)準(zhǔn)等需求的推動(dòng)下，更高功率密度、更大功率、更高效的氮化鎵鈦金電源將是服務(wù)器電源行業(yè)發(fā)展必然趨勢(shì)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

1、珠海華芯微電子砷化鎵半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目

2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，推動(dòng)華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)產(chǎn)能達(dá)1.5萬(wàn)片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。

source：珠海華芯微電子

該項(xiàng)目不僅是珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項(xiàng)目，而且也是廣東省重點(diǎn)項(xiàng)目。

項(xiàng)目于2023年7月正式開(kāi)工，2024年11月，首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6寸2um砷化鎵HBT晶圓，將于2025年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；今年年初，格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項(xiàng)目通過(guò)竣工驗(yàn)收。

2、奕斯偉半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目

上述項(xiàng)目總投資100億元，聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游先進(jìn)材料生產(chǎn)，核心產(chǎn)品包括合成石英部件、碳化硅功率模組載板等半導(dǎo)體關(guān)鍵材料。

項(xiàng)目于2024年底開(kāi)工，由奕斯偉集團(tuán)生態(tài)鏈開(kāi)發(fā)業(yè)務(wù)板塊孵化、華發(fā)集團(tuán)戰(zhàn)略領(lǐng)投。

項(xiàng)目整體規(guī)劃面積約267畝，計(jì)劃分兩期建成投產(chǎn)，其中一期預(yù)計(jì)于2026年2月實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。
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珠海正積極布局化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，今年1月消息，珠海市工業(yè)和信息化局公開(kāi)征求 《珠海市電子化學(xué)品產(chǎn)業(yè)發(fā)展三年行動(dòng)方案（2025—2027年）（征求意見(jiàn)稿）》 意見(jiàn)。

其中提到，重點(diǎn)發(fā)展8英寸、12英寸硅片，碳化硅、氮化鎵、磷化銦等新一代化合物半導(dǎo)體襯底材料及外延片；前瞻布局氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等第四代半導(dǎo)體材料。同時(shí)，重點(diǎn)發(fā)展勻膠鉻版光掩模版，KrF、ArF移項(xiàng)光掩模版，前瞻布局深紫外光（DUV）掩膜版。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

source：意法半導(dǎo)體中國(guó)

技術(shù)方面，兩家廠商的合作致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車(chē)等領(lǐng)域打造面向未來(lái)的功率電子技術(shù)。

產(chǎn)能供應(yīng)上，英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在中國(guó)以外地區(qū)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，而意法半導(dǎo)體也可借助英諾賽科在中國(guó)的前端制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。

意法半導(dǎo)體指出，公司與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），兩家公司合作將發(fā)揮IDM模式優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體將加速氮化鎵功率技術(shù)部署，進(jìn)一步完善現(xiàn)有的硅和碳化硅產(chǎn)品組合，同時(shí)公司也將通過(guò)靈活的制造模式更好地服務(wù)于全球客戶。

英諾賽科指出，氮化鎵技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統(tǒng)至關(guān)重要。公司率先實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，累計(jì)出貨超10億顆氮化鎵器件，覆蓋多領(lǐng)域市場(chǎng)。此次與意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略合作將進(jìn)一步擴(kuò)大和加速氮化鎵技術(shù)普及，雙方團(tuán)隊(duì)將共同致力于開(kāi)發(fā)下一代氮化鎵技術(shù)。