圖片來源：《自然·電子學(xué)》期刊截圖

該研究通過設(shè)計(jì)超過1000個(gè)亞100納米鰭片構(gòu)成的多通道結(jié)構(gòu)，觀測(cè)到當(dāng)電流達(dá)到臨界閾值時(shí)，器件在局部電場(chǎng)增強(qiáng)作用下發(fā)生可逆的電流狀態(tài)躍遷，實(shí)現(xiàn)低于60mV/decade的亞閾值擺幅。這一發(fā)現(xiàn)突破了傳統(tǒng)GaN器件在高頻性能與可靠性間的固有矛盾，顯著提升了射頻功率放大器的線性度與功率效率。

圖片來源：《自然·電子學(xué)》期刊截圖

研究團(tuán)隊(duì)利用電致發(fā)光顯微鏡與三維電磁仿真技術(shù)，證實(shí)鎖存效應(yīng)源于鰭片寬度差異導(dǎo)致的電場(chǎng)分布不均，其中最寬鰭片（>100nm）成為觸發(fā)電流躍遷的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。通過創(chuàng)新的介電涂層工藝，器件在高溫高壓環(huán)境下仍保持穩(wěn)定性能，為極端工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供了技術(shù)保障。該物理機(jī)制的闡明標(biāo)志著GaN器件設(shè)計(jì)范式的重大革新。

在應(yīng)用層面，SLCFET技術(shù)在W波段（75-110GHz）展現(xiàn)的優(yōu)越性能，為拓展至6G預(yù)研的太赫茲頻段（100GHz以上）奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。其可逆鎖存特性與高溫穩(wěn)定性，有望滿足未來6G基站、航空電子及自動(dòng)駕駛系統(tǒng)對(duì)射頻器件的嚴(yán)苛要求。

布里斯托大學(xué)物理學(xué)院Martin Kuball教授指出，這項(xiàng)突破不僅解開了GaN器件物理的長期謎題，更為高能效通信基礎(chǔ)設(shè)施開辟了新路徑?；?GaN 的新架構(gòu)將使通信和傳輸大量數(shù)據(jù)變得更加容易，從而推動(dòng)遠(yuǎn)程診斷和手術(shù)、高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)、虛擬教室等領(lǐng)域的 6G 發(fā)展。

目前研究團(tuán)隊(duì)正與全球產(chǎn)業(yè)伙伴推進(jìn)該技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程，目標(biāo)通過規(guī)模化生產(chǎn)降低應(yīng)用成本。此項(xiàng)研究由英國工程和自然科學(xué)研究委員會(huì)（EPSRC）資助，相關(guān)成果已發(fā)表于Nature Electronics期刊。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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圖片來源：羅姆半導(dǎo)體

圖為BM6GD11BFJ-LB，SOP-JW8 Package(4.90mmx6.00mm,H=Max. 1.65mm）

新產(chǎn)品是羅姆首款面向高耐壓GaN HEMT的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC。在電壓反復(fù)急劇升降的開關(guān)工作中，使用本產(chǎn)品可將器件與控制電路隔離，從而確保信號(hào)的安全傳輸。

新產(chǎn)品通過采用羅姆自主開發(fā)的片上隔離技術(shù)，有效降低寄生電容，實(shí)現(xiàn)高達(dá)2MHz的高頻驅(qū)動(dòng)。通過充分發(fā)揮GaN器件的高速開關(guān)特性，不僅有助于應(yīng)用產(chǎn)品更加節(jié)能和實(shí)現(xiàn)更高性能，還可通過助力外圍元器件的小型化來削減安裝面積。

另外，隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC的抗擾度指標(biāo)——共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI）達(dá)到150V/ns（納秒），是以往產(chǎn)品的1.5倍，可有效防止GaN HEMT開關(guān)時(shí)令人困擾的高轉(zhuǎn)換速率引發(fā)的誤動(dòng)作，從而有助于系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的控制。最小脈沖寬度較以往產(chǎn)品縮減33%，導(dǎo)通時(shí)間縮短至僅65ns。因此，雖然頻率更高卻仍可確保最小占空比，從而可將損耗控制在更低程度。

GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為4.5V～6.0V，絕緣耐壓為2500Vrms，新產(chǎn)品可充分激發(fā)出各種高耐壓GaN器件（包括ROHM EcoGaN系列產(chǎn)品陣容中新增的650V耐壓GaN HEMT“GNP2070TD-Z”）的性能潛力。輸出端的消耗電流僅0.5mA（最大值），達(dá)到業(yè)界超低功耗水平，另外還可有效降低待機(jī)功耗。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：納微半導(dǎo)體

當(dāng)前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配電系統(tǒng)，功率限制在幾百千瓦（kW），依賴笨重的銅母線傳輸電力。隨著AI算力需求激增，單個(gè)機(jī)架功率突破200kW時(shí)，傳統(tǒng)架構(gòu)面臨效率下降、銅材消耗劇增等物理極限問題。800V架構(gòu)通過減少銅材使用量45%、降低電流傳輸損耗，可支撐吉瓦級(jí)AI計(jì)算負(fù)載。

根據(jù)納微半導(dǎo)體官方披露，其GaNFast氮化鎵功率芯片與GeneSiC碳化硅技術(shù)將在合作中發(fā)揮核心作用。其GaNFast功率芯片集成驅(qū)動(dòng)、控制與保護(hù)功能，支持高達(dá)800V的瞬態(tài)電壓，并通過GaNSense技術(shù)實(shí)現(xiàn)超高功率密度（92.36W/cm3）和97.9%的半載效率，顯著優(yōu)化了數(shù)據(jù)中心的能源利用率。

英偉達(dá)規(guī)劃顯示，該架構(gòu)將直接服務(wù)于其“Kyber”機(jī)架級(jí)電力系統(tǒng)，配套維諦技術(shù)計(jì)劃于2026年推出的800VDC電源產(chǎn)品組合，包括集中式整流器、高效直流母線槽及機(jī)架級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換器。

800V高壓技術(shù)的應(yīng)用不僅限于數(shù)據(jù)中心。新能源汽車領(lǐng)域已率先布局800V平臺(tái)，以解決充電速度與續(xù)航焦慮。例如，保時(shí)捷、小鵬、比亞迪等車企已推出相關(guān)車型，帶動(dòng)碳化硅器件需求激增。

英偉達(dá)與納微半導(dǎo)體的合作，將AI計(jì)算需求與功率半導(dǎo)體創(chuàng)新深度綁定。從數(shù)據(jù)中心到電動(dòng)汽車，800V高壓架構(gòu)正成為提升能效、突破功率密度的核心路徑。隨著技術(shù)成熟與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，這一架構(gòu)或?qū)⒅匦露x全球半導(dǎo)體及新能源產(chǎn)業(yè)格局。

此前5月5日，納微半導(dǎo)體公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。

圖片來源：納微半導(dǎo)體公告截圖

納微半導(dǎo)體表示預(yù)計(jì)2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計(jì)為38.5%，上下浮動(dòng)0.5%，非GAAP運(yùn)營費(fèi)用預(yù)計(jì)約為1,550萬美元。

稍早一些3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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5月17日，中科阿爾法科技有限公司發(fā)布了一款基于氮化鎵（GaN）驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人關(guān)節(jié)模組（型號(hào)：ZK-RI 0–PRO–B），具有250Hz高頻神經(jīng)反射與5ms全鏈路時(shí)延，峰值扭矩<18Nm和長時(shí)間持續(xù)工作低溫升特點(diǎn)，適用于工業(yè)機(jī)器人、具身機(jī)器人及特種寬溫機(jī)器人設(shè)備等智能傳動(dòng)領(lǐng)域。

source：中科阿爾法

據(jù)介紹，該模組內(nèi)置中科無線半導(dǎo)體自研AI ASIC動(dòng)力系統(tǒng)芯片陣列GaN HEMT器件，可實(shí)現(xiàn)開關(guān)頻率2MHz以上99.2%能量轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)支持10ns級(jí)快速開關(guān)特性，與傳統(tǒng)Si基MOS管方案相比提升40%。

同時(shí)，上述模組獨(dú)創(chuàng)即時(shí)通信接口，兼容15-60V寬壓輸入，采用自研曼徹斯特編碼即時(shí)通信接口(可選配 CAN/485)，并行通信全鏈路時(shí)延低于5ms，滿足ISO 13849-1 PLd級(jí)安全通信要求及“3D物理大模型”控制。

對(duì)于氮化鎵在人形機(jī)器人領(lǐng)域的應(yīng)用，業(yè)界指出，盡管氮化鎵已展現(xiàn)出顛覆性潛力，但其大規(guī)模商用仍需跨越成本與可靠性門檻。當(dāng)前，單臺(tái)人形機(jī)器人需使用200余顆氮化鎵器件，導(dǎo)致BOM成本增加15%。不過，隨著技術(shù)瓶頸的逐個(gè)突破，一個(gè)由氮化鎵驅(qū)動(dòng)的機(jī)器人時(shí)代，或許比我們想象的更早到來。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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外延生產(chǎn)基地正式通線

據(jù)官方披露，該外延生產(chǎn)基地自立項(xiàng)至通線僅耗時(shí)九個(gè)月，總建筑面積6238.38平方米，配套附屬設(shè)施占地面積2966.6平方米，專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料及電子元器件生產(chǎn)。
華潤微電子副總裁莊恒前在致辭中強(qiáng)調(diào)，此基地是華潤微在氮化鎵產(chǎn)線布局的關(guān)鍵里程碑，標(biāo)志著公司形成從外延材料制備到器件工藝優(yōu)化的全鏈條技術(shù)能力。大連高新區(qū)管委會(huì)副主任國翔宇表示，該基地是央地合作典范，將助力區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

source：華潤微電子

潤新微電子是華潤微旗下專注第三代半導(dǎo)體材料和電子元器件技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)品應(yīng)用的半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。前身為大連芯冠科技有限公司，由海外歸國團(tuán)隊(duì)2016年創(chuàng)立。2022年5月20日，芯冠科技引入重量級(jí)產(chǎn)業(yè)合作伙伴華潤微電子，并正式更名為潤新微電子。

依托華潤微IDM全產(chǎn)業(yè)鏈資源，潤新微已構(gòu)建起涵蓋6英寸硅基氮化鎵外延生長、功率器件設(shè)計(jì)及制造的完整技術(shù)鏈。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源管理、太陽能逆變器等領(lǐng)域，成功進(jìn)入頭部企業(yè)供應(yīng)鏈。

氮化鎵芯片累計(jì)出貨量突破一億顆

潤新微電子氮化鎵芯片出貨量破億，產(chǎn)品遍布多個(gè)細(xì)分市場(chǎng)。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于PD快充充電器，如Nothing CMF 65W、愛莎瓦特65W等品牌產(chǎn)品，憑借高功率密度和低損耗特性，助力設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化與高效能。

source：華潤微電子

在工業(yè)領(lǐng)域，潤新微電子的氮化鎵器件已進(jìn)入通信設(shè)備、伺服電機(jī)及高端電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)，例如古石188W多口桌面充電器采用其XG65T125HS1B器件，支持高頻率開關(guān)且無需續(xù)流二極管，顯著提升系統(tǒng)效率。

此外，潤新微電子正加速拓展新能源汽車市場(chǎng)，規(guī)劃汽車級(jí)氮化鎵產(chǎn)品，并聯(lián)合華潤微電子推動(dòng)氮化鎵在電源管理、電池系統(tǒng)等場(chǎng)景的應(yīng)用。公司已與多家行業(yè)頭部客戶建立合作，市場(chǎng)品牌影響力大幅提升。

華潤微電子表示，未來將持續(xù)加大研發(fā)投入，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，助力我國在高端功率器件市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突圍。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

source：成都市發(fā)展改革委

據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0.14平方毫米，但其發(fā)光范圍、出射亮度、糾纏質(zhì)量等關(guān)鍵指標(biāo)均處于國際先進(jìn)水平。

值得注意的是，該芯片攻克了高質(zhì)量氮化鎵晶體薄膜生長、波導(dǎo)側(cè)壁與表面散射損耗等技術(shù)難題，在國際上首次運(yùn)用氮化鎵材料，使芯片的輸出波長范圍從25.6納米增加到100納米，并朝著單片集成方向發(fā)展。

周強(qiáng)教授表示，包括氮化鎵量子光源芯片在內(nèi)的量子產(chǎn)品有望在2026年實(shí)現(xiàn)多場(chǎng)景技術(shù)驗(yàn)證。

氮化鎵材料因其在LED燈中的廣泛應(yīng)用而被熟知，其在量子光源領(lǐng)域具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。它不僅具備高亮度和高效率的特點(diǎn)，還能提供更廣泛的輸出波長范圍，滿足量子通信的需求。周強(qiáng)教授表示，氮化鎵材料中蘊(yùn)含的量子資源使芯片能夠承載更復(fù)雜的量子算法，為人工智能、生物醫(yī)藥等領(lǐng)域的算力瓶頸提供破局可能。

氮化鎵量子光源芯片的發(fā)布為量子通信和算力支撐等領(lǐng)域帶來了巨大潛力。在量子通信層面，其特有的物理屬性可將信息安全等級(jí)提升至量子維度，為金融、政務(wù)等敏感數(shù)據(jù)傳輸構(gòu)筑“量子護(hù)城河”。此外，該芯片有望在2026年完成多場(chǎng)景技術(shù)驗(yàn)證，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供關(guān)鍵支持。

周強(qiáng)教授指出，氮化鎵量子光源芯片的發(fā)布不僅是中國在量子科技領(lǐng)域的重要突破，也為全球量子技術(shù)的發(fā)展提供了新的思路。隨著技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用場(chǎng)景的拓展，氮化鎵量子光源芯片有望在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，為人類社會(huì)帶來更安全、更高效的通信和計(jì)算解決方案。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

01、納微半導(dǎo)體：營收承壓，聚焦氮化鎵

5月5日，納微半導(dǎo)體 公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。

公告顯示，納微半導(dǎo)體2025年第一季度總收入為1,400萬美元，較2024年同期的2,320萬美元和2024年第四季度的1,800萬美元有所下降。本季度的GAAP運(yùn)營虧損為2,530萬美元，相比2024年同期的3,160萬美元虧損和2024年第四季度的3,900萬美元虧損有所減少。非GAAP運(yùn)營虧損為1,180萬美元，與2024年同期持平，低于2024年第四季度的1,270萬美元。截至2025年3月31日，現(xiàn)金及現(xiàn)金等價(jià)物為7,510萬美元。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

在業(yè)務(wù)展望上，納微半導(dǎo)體表示預(yù)計(jì)2025年第二季度凈營收為1,400萬美元至1,500萬美元。非GAAP毛利率預(yù)計(jì)為38.5%，上下浮動(dòng)0.5%，非GAAP運(yùn)營費(fèi)用預(yù)計(jì)約為1,550萬美元。

此外，納微半導(dǎo)體表示，在未來的12月里，納微氮化鎵將在AI數(shù)據(jù)中心、太陽能微逆和電動(dòng)汽車等新主流市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)應(yīng)用增長。

納微半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“納微在第一季度取得了多個(gè)行業(yè)首創(chuàng)成果，包括全球首款量產(chǎn)級(jí)雙向氮化鎵功率芯片、一款12kW AI數(shù)據(jù)中心電源參考設(shè)計(jì)，以及氮化鎵和碳化硅技術(shù)達(dá)到了前所未有的可靠性標(biāo)準(zhǔn)。”
納微半導(dǎo)體成立于2014年，是唯一一家全面專注下一代功率半導(dǎo)體事業(yè)的公司，重點(diǎn)市場(chǎng)包括移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、太陽能、風(fēng)力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場(chǎng)。

此前3月，納微半導(dǎo)體發(fā)布了全球首款量產(chǎn)級(jí)650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片及高速隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器。4月，納微半導(dǎo)體宣布與兆易創(chuàng)新科技集團(tuán)股份有限公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。

source：納微芯球

02、天岳先進(jìn)：營收微降，加碼研發(fā)

4月30日，天岳先進(jìn) 發(fā)布了2025年一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，2025年第一季度公司營業(yè)總收入4.08億元，同比下降4.25%；歸母凈利潤851.82萬元，同比降幅達(dá)81.52%；扣非凈利潤359.58萬元，同比下降91.75%。基本每股收益0.02元，加權(quán)平均凈資產(chǎn)收益率0.16%，同比下降0.72個(gè)百分點(diǎn)。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

天岳先進(jìn)在報(bào)告中強(qiáng)調(diào)，業(yè)績波動(dòng)主要受大尺寸產(chǎn)品研發(fā)費(fèi)用增加、管理費(fèi)用中介費(fèi)增加以及其他收益進(jìn)項(xiàng)稅加計(jì)抵扣減少所致。

據(jù)2025年一季報(bào)，天岳先進(jìn)加大了研發(fā)投入，一季度研發(fā)支出4494萬元，同比激增101.67%，占營收比例達(dá)11.02%，重點(diǎn)投向12英寸碳化硅襯底、光學(xué)級(jí)碳化硅材料等前沿領(lǐng)域。

市場(chǎng)布局方面，天岳先進(jìn)碳化硅襯底出貨量持續(xù)增長，公司同步推進(jìn)碳化硅材料在新能源汽車800V高壓平臺(tái)、AI算力基礎(chǔ)設(shè)施及AR眼鏡等新興場(chǎng)景的應(yīng)用。

作為全球碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)軍企業(yè)，天岳先進(jìn)專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。

此前在SEMICON China2025展會(huì)上，天岳先進(jìn)全方位展示了6/8/12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣,包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電p型及12英寸導(dǎo)電n型碳化硅襯底。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

其中在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，英諾賽科重點(diǎn)展示了雙面散熱 En-FCLGA 封裝 100V GaN、全球首款100V 雙向器件（VGaN）、大功率合封氮化鎵 ISG6121TD、2kW四相交錯(cuò)Buck、4.2kW服務(wù)器電源方案以及在數(shù)據(jù)中心和人形機(jī)器人應(yīng)用中的多款解決方案。

source：英諾賽科

英諾賽科公開介紹道， 其中一款100V GaN產(chǎn)品，全球首款量產(chǎn)，先進(jìn)的雙面散熱 En-FCLGA 封裝，與傳統(tǒng)的封裝相比，導(dǎo)熱率高出 65%。

INV100FQ030C是英諾賽科全球首款100V 雙向器件（VGaN），支持雙向?qū)ê碗p向關(guān)斷，采用FCQFN4x6封裝，具備超低導(dǎo)通電阻和更寬的SOA邊界，可在48V BMS系統(tǒng)、48V總線負(fù)載開關(guān)中實(shí)現(xiàn)電池保護(hù)。

大功率合封氮化鎵 ISG6121TD是一款行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產(chǎn)品，集成了柵極驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)的GaN功率IC，采用TO-247-4L封裝，能夠幫助設(shè)計(jì)人員開發(fā)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關(guān)方案，可應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器PSU，車載OBC和DC-DC轉(zhuǎn)換器，實(shí)現(xiàn)功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

2kW四相交錯(cuò)Buck是2025年全新發(fā)布的方案，該方案采用四相交錯(cuò)Buck拓?fù)?，每相使?顆INS2002FQ和4顆INN100EA035A實(shí)現(xiàn)功率傳輸，具備靈活的拓展性，效率超98%。

4.2kW服務(wù)器電源方案是英諾賽科與客戶合作開發(fā)，與傳統(tǒng)電源相比，其輕中載電能損耗可減少至少30%，實(shí)現(xiàn)超過96%的轉(zhuǎn)換效率。

此外，本月早些英諾賽科發(fā)布公告宣布其自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺(tái)，可提升車載充電效率并縮小體積，擴(kuò)大續(xù)航里程并降低成本。

作為氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新先鋒，英諾賽科致力于硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 的研發(fā)與制造。此次多款突破性產(chǎn)品的集中亮相，不僅印證了氮化鎵材料在高頻、高效場(chǎng)景中的核心價(jià)值，更彰顯了英諾賽科通過技術(shù)深耕推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的戰(zhàn)略定力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

通過展示和交流，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)能夠更好的發(fā)揮自身在科研、中試、分析檢測(cè)、設(shè)計(jì)仿真等領(lǐng)域的綜合優(yōu)勢(shì)，協(xié)同產(chǎn)業(yè)合作伙伴開展深度合作，打造第三代及第四代功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新高地。

資料顯示，根據(jù)科技部統(tǒng)一部署，深圳市從2021年開始承接國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)建設(shè)任務(wù)，2022年設(shè)立深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為建設(shè)和運(yùn)營主體， “一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同創(chuàng)新聯(lián)動(dòng)”為建設(shè)原則，聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域器件物理研究、材料研究、技術(shù)開發(fā)、產(chǎn)品中試，第四代半導(dǎo)體材料器件前沿研究，致力于打造世界領(lǐng)先的第三代及第四代功率半導(dǎo)體創(chuàng)新、中試及共享的平臺(tái)。

2024年11月，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)正式建成發(fā)布。
目前，該綜合平臺(tái)已在碳化硅、氧化鎵等多個(gè)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域

SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5，是很難加工的材料。1顆SiC晶錠，厚度為20 mm，單片損失按照300μm，理論產(chǎn)出晶片30片，單片材料損耗率達(dá)到46%。為降低材料損耗，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝。其工藝過程示意圖如下所示：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

激光剝離工藝與多線切割工對(duì)照：

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室表示，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對(duì)于快速促進(jìn)8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程有著重要意義。

氧化鎵理論研究方面

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代材料與器件課題組針對(duì)氧化鎵價(jià)帶能級(jí)低和p-型摻雜困難等問題，采用銠固溶方式理論開發(fā)了新型β相銠鎵氧三元寬禁帶半導(dǎo)體。該成果已在《Advanced Electronic Materials》期刊上發(fā)表并受邀提供期刊封面設(shè)計(jì)。該文章也被收錄到《Progress and Frontiers in Ultrawide bandgap Semiconductors》專題。

半導(dǎo)體材料的功率特性（巴利加優(yōu)值）與其帶隙的立方成正比。氧化鎵具有超寬的帶隙（4.9電子伏）和成熟的制備方法，是功率器件的理想材料。

然而，已有氧化鎵器件的功率特性仍顯著低于材料的理論極限，原因在于氧化鎵價(jià)帶頂能級(jí)低，能帶色散關(guān)系平坦。雜質(zhì)摻雜受主能級(jí)多在1電子伏以上，難以實(shí)現(xiàn)有效的p-型導(dǎo)電。目前氧化鎵器件多基于肖特基勢(shì)壘或與其他氧化物(如氧化鎳)形成p-n異質(zhì)結(jié)。較低的肖特基勢(shì)壘及p-n異質(zhì)結(jié)的高界面態(tài)限制了氧化鎵器件的功率特性。如何實(shí)現(xiàn)氧化鎵的p-型摻雜成為當(dāng)下研究的一個(gè)關(guān)鍵問題。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（β相氧化鎵晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖）

本工作基于第一性原理考察了銠固溶氧化鎵結(jié)構(gòu)。由于銠的原子半徑與鎵接近，銠固溶氧化鎵具有較低的混合焓，固溶構(gòu)型具有高穩(wěn)定性。這種現(xiàn)象在實(shí)驗(yàn)上也得到了證實(shí)，采用Pt-Rh坩堝生長氧化鎵晶體時(shí)，銠易進(jìn)入氧化鎵晶格?；谀軒ЫY(jié)構(gòu)分析，銠固溶氧化鎵仍是寬禁帶半導(dǎo)體，其價(jià)帶頂由銠和鄰近的氧原子軌道雜化形成，對(duì)應(yīng)能級(jí)較氧化鎵價(jià)帶頂顯著上升。

此外，價(jià)帶頂附近能帶色散曲率增加，這與沿[010]晶向離域的電子態(tài)密度密切相關(guān)，故該工作作者建議在氧化鎵[010]晶向襯底外延生長銠固溶氧化鎵外延層。具體地，銠固溶摩爾比濃度在0-50%范圍內(nèi)，固溶體的半導(dǎo)體帶隙在3.77和4.10電子伏之間，其價(jià)帶頂能級(jí)相較于氧化鎵上升了至少1.35電子伏。銠摩爾比為25%時(shí)，其空穴有效質(zhì)量僅為氧化鎵的52.3%，這有助于實(shí)現(xiàn)p型摻雜，擴(kuò)展材料應(yīng)用范圍和改進(jìn)器件的性能。

source：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室（圖中(a)和(b)分別為銠固溶摩爾比為25%時(shí)的晶體結(jié)構(gòu)及能帶結(jié)構(gòu)圖，(c) 銠固溶氧化鎵β-(RhxGa1-x)2O3在不同摩爾濃度x下的能帶對(duì)齊圖）

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

1、聞泰科技：AI賦能，功率半導(dǎo)體迎來新機(jī)遇

聞泰科技是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體和通信技術(shù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體、光學(xué)、無線和功率器件等領(lǐng)域。2024年，公司繼續(xù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域加大研發(fā)投入，特別是在碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料方面取得了顯著進(jìn)展。

4月25日，聞泰科技發(fā)布2024年年報(bào)，顯示公司營收達(dá)到735.98億元，同比增長20.23%。其中，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)尤為突出，實(shí)現(xiàn)營收147.15億元，凈利潤22.97億元，毛利率達(dá)37.47%。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

值得強(qiáng)調(diào)的是，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在中國區(qū)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，收入連續(xù)四個(gè)季度實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長，中國區(qū)收入占比穩(wěn)步提升至46.91%，且在2025年第一季度同比增長約24%。

在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，聞泰科技在碳化硅和氮化鎵方面均取得了顯著進(jìn)展。

碳化硅方面， 公司成功推出了高性能車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，該產(chǎn)品憑借其卓越的性能，已廣泛應(yīng)用于電池儲(chǔ)能、光伏逆變器等工業(yè)場(chǎng)景，展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)潛力。

氮化鎵方面， 聞泰科技作為行業(yè)內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供D-mode（耗盡型）和E-mode（增強(qiáng)型）GaN器件的企業(yè)，其產(chǎn)品線覆蓋了40V至700V的電壓規(guī)格，并已在消費(fèi)電子快充以及通信基站等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，進(jìn)一步鞏固了公司在高效能、低功耗半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

為進(jìn)一步滿足全球客戶對(duì)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，聞泰科技于2024年6月宣布計(jì)劃投資2億美元用于SiC、GaN等產(chǎn)品的研發(fā)，并將在漢堡工廠建設(shè)相應(yīng)的生產(chǎn)設(shè)施，彰顯了公司在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的戰(zhàn)略決心。

此外，由聞泰科技控股股東代建的臨港12英寸車規(guī)級(jí)晶圓廠已順利完成車規(guī)認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這一里程碑事件標(biāo)志著聞泰科技在車規(guī)級(jí)芯片的自主產(chǎn)能和工藝水平邁上了新的臺(tái)階，為其包括碳化硅在內(nèi)的模擬芯片國產(chǎn)化進(jìn)程提供了堅(jiān)實(shí)的保障。

在報(bào)告中，聞泰科技指出，AI算力的爆發(fā)為功率半導(dǎo)體開辟了新的增長點(diǎn)。在AI服務(wù)器和AI終端中，公司GaN器件能夠有效提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低能耗和成本，并實(shí)現(xiàn)更小的器件尺寸，從而提高數(shù)據(jù)中心等運(yùn)算密集型應(yīng)用的效率。同時(shí)，隨著端側(cè)算力的發(fā)展，GaN FET芯片已成功在消費(fèi)電子快充客戶中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2、三安光電：深耕化合物半導(dǎo)體，碳化硅業(yè)務(wù)多點(diǎn)開花

三安光電持續(xù)聚焦化合物半導(dǎo)體核心主業(yè)，穩(wěn)步推進(jìn)LED業(yè)務(wù)，并積極拓展射頻前端、電力電子、光技術(shù)等集成電路業(yè)務(wù)。

source：三安光電

根據(jù)最新報(bào)告，三安光電在2025年第一季度實(shí)現(xiàn)主營收入43.12億元，較上年同期增長21.23%。更為顯著的是，歸屬于母公司的凈利潤達(dá)到2.12億元，同比大幅增長78.46%。扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤為7469萬元，較去年同期激增331.43%，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的盈利能力。

回顧2024年，三安光電實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入約118.5億元，同比增長約14.61%。盡管年度凈利潤約為2.5億元，同比下降約31.02%，但值得關(guān)注的是，集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)突出，實(shí)現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入同比增長23.86%，其中碳化硅產(chǎn)品展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長勢(shì)頭，為公司整體營收增長注入了新的動(dòng)能。

source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖

據(jù)悉，在2024年，三安光電集成電路業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)顯著進(jìn)展，其中碳化硅業(yè)務(wù)是三安光電的重點(diǎn)發(fā)展方向，公司圍繞車規(guī)級(jí)應(yīng)用，加快碳化硅MOSFET技術(shù)迭代，并穩(wěn)步推進(jìn)與意法半導(dǎo)體合資的重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目落地。湖南三安作為國內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合制造平臺(tái)，已擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能16,000片/月，8英寸碳化硅襯底、外延產(chǎn)能1,000片/月，8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線正在建設(shè)中，擁有硅基氮化鎵產(chǎn)能2,000片/月。具體來看：

產(chǎn)品布局：湖南三安已完成650V到2000V、1A到100A的全電壓電流的碳化硅二極管產(chǎn)品梯度建設(shè)，其中第五代高浪涌版本碳化硅二極管主要應(yīng)用于光伏領(lǐng)域，第六代低正向?qū)妷寒a(chǎn)品主要應(yīng)用于電源領(lǐng)域。

SiC MOSFET產(chǎn)品：公司已完成從650V到2000V、13mΩ到1000mΩ的全系列SiC MOSFET的產(chǎn)品布局，應(yīng)用于光伏、充電樁、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心及AI服務(wù)器電源等工業(yè)級(jí)市場(chǎng)，部分產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并批量供貨。

合資項(xiàng)目進(jìn)展：湖南三安與意法半導(dǎo)體在重慶設(shè)立的合資公司安意法已于2025年2月實(shí)現(xiàn)通線，首次建設(shè)產(chǎn)能2,000片/月，規(guī)劃達(dá)產(chǎn)后8英寸外延、芯片產(chǎn)能為48萬片/年。湖南三安與理想汽車成立的合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體一期產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線，全橋功率模塊已在2025年一季度實(shí)現(xiàn)批量下線。

而在射頻前端領(lǐng)域，該公司構(gòu)建了專業(yè)的射頻代工平臺(tái)和產(chǎn)品封裝平臺(tái)，提供包括射頻功放/低噪放、濾波器、SIP封裝等差異化解決方案，廣泛應(yīng)用于手機(jī)、WiFi、物聯(lián)網(wǎng)、路由器、通信基站等市場(chǎng)。受益于終端市場(chǎng)需求的回暖以及客戶供應(yīng)鏈的調(diào)整，公司的砷化鎵射頻代工及濾波器業(yè)務(wù)營業(yè)收入較上年同期實(shí)現(xiàn)了大幅增長，鞏固了其在射頻前端國產(chǎn)供應(yīng)鏈中的重要地位。

在氮化鎵射頻代工領(lǐng)域，公司面向通信基站市場(chǎng)提供高性能氮化鎵射頻功放代工平臺(tái)，并積極投入消費(fèi)級(jí)射頻及6G應(yīng)用工藝的研發(fā)，客戶結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)突破，與國際客戶的合作產(chǎn)品已通過初步驗(yàn)證。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）