中文字幕一区二区在线观看,国产精品综合在线观看 http://www.teatotalar.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Mon, 23 Oct 2023 06:32:23 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 【上周要聞速遞】東芝及氮矽推新產(chǎn)品/士蘭微獲控股股東增持/基本半導(dǎo)體獲專利授權(quán)…… http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-65778.html Mon, 23 Oct 2023 06:32:23 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=65778 除了每日推送有關(guān)化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的熱點(diǎn)文章，我們也整理了上周行業(yè)內(nèi)的一些看點(diǎn)作為拓展：

東芝推出 SiC MOSFET 新品

東芝推出的第3代TWxxNxxxC系列，共有10款產(chǎn)品，包括5款1200V和5款650V產(chǎn)品。

source：東芝半導(dǎo)體

這些新一代MOSFET內(nèi)置了與SiC MOSFET內(nèi)部PN結(jié)二極管并聯(lián)的碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），可提高可靠性。新產(chǎn)品開關(guān)損耗約降低約20%，有助于提高設(shè)備效率。此外，由于柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，可防止開關(guān)噪聲引起的故障。

據(jù)悉，東芝650V和1200V第3代碳化硅MOSFET擁有更低的功耗，適用于大功率且高效、高功率密度的各類應(yīng)用，如開關(guān)電源（數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、通信設(shè)備等）、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電站等。

來源：東芝半導(dǎo)體官方公眾號(hào)

氮矽科技推出全新低壓GaN集成芯片

氮矽科技推出了一款具有工業(yè)級(jí)可靠性的低100V GaN集成產(chǎn)品DXC6010S1C。

據(jù)悉，氮矽科技DXC6010S1C是一款驅(qū)動(dòng)集成GaN芯片，該芯片耐壓100V，內(nèi)部集成了一顆增強(qiáng)型低壓硅基氮化鎵（GaN-on-Si）和單通道高速驅(qū)動(dòng)器。采用DFN5×6封裝，占板面積小，無反向恢復(fù)電荷，并且導(dǎo)通電阻極低。為最高功率密度應(yīng)用提供超小型化的解決方案。

DXC6010S1C適用于多種場(chǎng)景，如高頻高功率密度降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換、AC/DC充電器、太陽能優(yōu)化器和微型逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類音頻放大器等。它也適用于AI、服務(wù)器、通信、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場(chǎng)景，特別適合48V工作電壓的USB PD 3.1快充和戶外電源相關(guān)應(yīng)用。

信息來源：充電頭網(wǎng)

士蘭微：控股股東擬1000萬至2000萬元增持股份

士蘭微于17日發(fā)布公告稱，控股股東杭州士蘭控股有限公司擬自本公告披露之日起6個(gè)月內(nèi)通過上海證 券交易所允許的方式（包括但不限于集中競(jìng)價(jià)、大宗交易等）增持公司股份， 增持金額為不低于人民幣1000萬元且不超過人民幣2000萬元（以下簡(jiǎn)稱“本次增持計(jì)劃”）。

本次增持價(jià)格不超過30 元/股，資金來源為士蘭控股自有資金 及自籌資金。

信息來源：士蘭微官網(wǎng)

基本半導(dǎo)體獲得“功率模塊”專利授權(quán)

天眼查顯示，深圳基本半導(dǎo)體有限公司“功率模塊”專利獲授權(quán)，授權(quán)公告號(hào)為CN219832642U，授權(quán)公告日為10月13日。

source:國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

據(jù)摘要介紹，本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及功率模塊，包括：散熱組件以及功率組件，所述散熱組件貼設(shè)在所述功率組件的底部，所述散熱組件一體成型，所述散熱組件內(nèi)部具有腔體，所述散熱組件的兩側(cè)分別設(shè)有進(jìn)液口以及出液口，所述進(jìn)液口和所述出液口分別與所述腔體連通，所述腔體內(nèi)部設(shè)有多個(gè)散熱針翅，所述腔體靠近所述進(jìn)液口設(shè)有用于引導(dǎo)冷卻液從所述進(jìn)液口均勻分流至所述腔體的第一導(dǎo)流槽，所述腔體靠近所述出液口設(shè)有用于引導(dǎo)所述冷卻液從所述腔體匯流至所述出液口的第二導(dǎo)流槽。

本實(shí)用新型使得冷卻液由進(jìn)液口進(jìn)入后可以均勻地通過整個(gè)腔體，從而達(dá)到對(duì)功率模塊所有芯片的均勻散熱效果；散熱針翅也進(jìn)一步提高了提高散熱效果。

來源：國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

美企Axcelis宣布向日本SiC企業(yè)交付Purion EXE Power系列離子注入機(jī)

美企Axcelis于18日發(fā)布公告稱，公司的Purion EXE SiC Power系列8英寸高能離子注入機(jī)已向日本領(lǐng)先的SiC功率器件芯片制造商發(fā)貨。該系列產(chǎn)品將用于汽車用SiC功率器件的大批量生產(chǎn)。
據(jù)悉，離子注入是IC制造過程中最關(guān)鍵的步驟之一，Axcelis致力于離子注入系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造以及在離子注入系統(tǒng)生命周期內(nèi)提供支持服務(wù)。

信息來源：Axcelis官網(wǎng)

TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》，聚焦中國市場(chǎng)發(fā)展，重點(diǎn)分析供應(yīng)鏈各環(huán)節(jié)發(fā)展情況及主要廠商動(dòng)態(tài)。以下為報(bào)告目錄：

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