公告顯示，長(zhǎng)光華芯全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)研究院）擬出資1億元認(rèn)購(gòu)關(guān)聯(lián)方惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本1333.33萬(wàn)元。本次增資前，研究院持有惟清半導(dǎo)體29%的股權(quán)，增資完成后，研究院將持有惟清半導(dǎo)體31.61%的股權(quán)。

公告顯示，研究院與清純半導(dǎo)體、蘇州惟清企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）、蘇州澤森德勤企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙）共同出資成立了惟清半導(dǎo)體，以共同推動(dòng)高端功率芯片項(xiàng)目的發(fā)展。惟清半導(dǎo)體于2023年9月28日完成工商注冊(cè)登記，注冊(cè)資本1億元人民幣，其中研究院出資0.29億元，持有惟清半導(dǎo)體29.00%的股權(quán)。

其中，清純半導(dǎo)體是一家聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片公司，專(zhuān)業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。清純半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和量產(chǎn)的1200V碳化硅二極管和MOSFET性能已經(jīng)處于國(guó)際先進(jìn)水平，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

長(zhǎng)光華芯主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體激光芯片及其器件、模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體激光芯片、器件及模塊等激光行業(yè)核心元器件產(chǎn)品，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于光纖激光器、固體激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源，醫(yī)學(xué)美容，激光雷達(dá)，3D傳感，人工智能等領(lǐng)域。

根據(jù)公告，惟清半導(dǎo)體預(yù)計(jì)未來(lái)形成月產(chǎn)3000片晶圓的生產(chǎn)能力，整個(gè)產(chǎn)線預(yù)計(jì)2025年上半年實(shí)現(xiàn)通線的目標(biāo)。為保障惟清半導(dǎo)體產(chǎn)線建設(shè)與日常運(yùn)營(yíng)的資金需求，各方擬于近期向惟清半導(dǎo)體增資2.545億元。其中，清純半導(dǎo)體出資1.345億元認(rèn)購(gòu)惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本17933333.33元；研究院出資1億元認(rèn)購(gòu)惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本13333333.33元；武漢澤森聚芯創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）出資0.2億元認(rèn)購(gòu)惟清半導(dǎo)體新增注冊(cè)資本2666666.67元。

長(zhǎng)光華芯表示，投資惟清半導(dǎo)體系公司戰(zhàn)略“橫向拓展”的重要一環(huán)，與公司業(yè)務(wù)具有高度的協(xié)同性：首先，公司現(xiàn)有的化合物半導(dǎo)體芯片工藝及技術(shù)與惟清半導(dǎo)體的高端功率芯片項(xiàng)目的工藝及技術(shù)具有通用性，可以加快推進(jìn)高端功率芯片項(xiàng)目的落地實(shí)施；其次，雙方在客戶(hù)群體上具有較大的重合度，雙方產(chǎn)品均可廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)等客戶(hù)，可以有效提升客戶(hù)資源的利用率。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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6月20日，據(jù)清純半導(dǎo)體官微披露，清純半導(dǎo)體日前與悉智科技在清純半導(dǎo)體寧波總部簽訂車(chē)載電驅(qū)功率模塊&供電電源模塊用SiC芯片定制開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略合作協(xié)議。

source：清純半導(dǎo)體

此次簽約，清純半導(dǎo)體將支撐悉智科技在車(chē)載SiC功率模塊領(lǐng)域的創(chuàng)新升級(jí)和性能提升，助力其開(kāi)發(fā)出更先進(jìn)、更高效、更可靠的新能源汽車(chē)SiC解決方案。

此前，清純半導(dǎo)體已為悉智科技定制了主驅(qū)SiC芯片，融合了雙方技術(shù)的車(chē)載功率模塊已提供給多家國(guó)內(nèi)外車(chē)企測(cè)試。雙方將加快開(kāi)發(fā)以先進(jìn)SiC器件為核心的功率解決方案，共同打造先進(jìn)的SiC功率與電源產(chǎn)品。

官網(wǎng)資料顯示，清純半導(dǎo)體是一家聚焦于SiC半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片公司，專(zhuān)業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。目前，清純半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和量產(chǎn)的1200V SiC 二極管和MOSFET廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

而悉智科技是一家車(chē)規(guī)級(jí)功率與電源模塊廠商，于2022年1月1日正式運(yùn)營(yíng)，當(dāng)前產(chǎn)品聚焦在智能電車(chē)和清潔能源的功率與電源塑封模塊創(chuàng)新領(lǐng)域，擁有先進(jìn)的車(chē)規(guī)級(jí)塑封產(chǎn)線和性能測(cè)試（包括系統(tǒng)級(jí)）&可靠性測(cè)試&失效分析實(shí)驗(yàn)室。

SiC業(yè)務(wù)方面，悉智科技自2022年7月開(kāi)始研發(fā)SiC DCM塑封功率模塊，目前該產(chǎn)品已經(jīng)在部分客戶(hù)側(cè)進(jìn)行PV測(cè)試，有望在今年四季度開(kāi)始量產(chǎn)。悉智科技正配合國(guó)際、國(guó)內(nèi)一線汽車(chē)客戶(hù)在開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的OCDC塑封功率模塊、電驅(qū)SiC塑封功率模塊、OCDC SiC/GaN高頻電源模塊，其中OCDC塑封功率模塊已經(jīng)量產(chǎn)出貨、電驅(qū)SiC塑封功率模塊即將量產(chǎn)出貨、OCDC SiC/GaN高頻電源模塊在開(kāi)發(fā)中。

雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作，有望實(shí)現(xiàn)協(xié)同發(fā)展，共同打造出滿(mǎn)足客戶(hù)與市場(chǎng)需求的基于SiC芯片技術(shù)的車(chē)載功率產(chǎn)品。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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清純半導(dǎo)體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

近日，清純半導(dǎo)體正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型號(hào)：SG2MA35120B）及對(duì)應(yīng)SOT227封裝產(chǎn)品（型號(hào)：S1P04R120SSE），以滿(mǎn)足客戶(hù)在高性能、大功率應(yīng)用的需求。

圖1和圖2分別展示了該芯片單管SOT227封裝 (圖3）的輸出和擊穿特性曲線。在室溫下，該芯片電阻為3.5毫歐，擊穿電壓不低于1600V。本產(chǎn)品通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝的改進(jìn)，完成對(duì)芯片電流路徑上高溫分布電阻的優(yōu)化，特別是溝道電阻與N型區(qū)電阻的折中設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)秀的電阻溫度系數(shù)。測(cè)試結(jié)果表明在175℃下芯片導(dǎo)通電阻僅為室溫下電阻的1.5倍。

source：清純半導(dǎo)體

隨著碳化硅（SiC）材料質(zhì)量和制造技術(shù)的不斷提升，大電流、低導(dǎo)通電阻SiC功率芯片得以實(shí)現(xiàn)，同時(shí)也將進(jìn)一步簡(jiǎn)化功率模塊封裝，加速SiC在新能源汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用。本產(chǎn)品通過(guò)結(jié)構(gòu)、工藝的優(yōu)化設(shè)計(jì)，顯著降低了部分關(guān)鍵缺陷對(duì)性能的影響；同時(shí)采用了更低的比電阻設(shè)計(jì)技術(shù)，降低了同電阻下的芯片面積，從而使成品率降低趨勢(shì)得以控制，實(shí)現(xiàn)了大電流、低電阻芯片的量產(chǎn)。

另一方面，SiC MOSFET在大功率應(yīng)用中，容易受到各類(lèi)干擾的影響而發(fā)生柵極的誤開(kāi)啟，如上下管之間電容自充電引起的寄生開(kāi)啟（Parasitic Turn-on），以及不同橋臂之間的串?dāng)_等。本產(chǎn)品通過(guò)對(duì)柵極微結(jié)構(gòu)布局的優(yōu)化，一方面提升了輸入電容Ciss與轉(zhuǎn)移電容Crss的比值，另一方面提高了閾值電壓，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)串?dāng)_的抑制。

如圖4所示，產(chǎn)品在800V電壓下的Ciss/Crss的電容比達(dá)到580以上。圖5比較了器件閾值電壓和溫度的關(guān)系，在25℃下閾值電壓達(dá)到3.2V，175℃下閾值電壓高于2V。在應(yīng)用方面，該芯片兼容18V與15V驅(qū)動(dòng)電壓，適應(yīng)不同驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)發(fā)需求，方便對(duì)IGBT在各種應(yīng)用的直接替代。

中國(guó)科學(xué)院電工研究所基于芯片產(chǎn)品SG2MA35120B完成了低雜感半橋模塊封裝，雙脈沖測(cè)試波形如圖6所示。中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇表示: “在中科院交叉團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目和國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃新能源汽車(chē)專(zhuān)項(xiàng)項(xiàng)目的支持下，該單顆芯片在環(huán)境溫度為150°C且母線電壓為800V時(shí)實(shí)現(xiàn)了350A的電流輸出能力。本芯片特別適用于大功率車(chē)用電驅(qū)系統(tǒng)，可有效抑制并聯(lián)大數(shù)量小電流芯片帶來(lái)的不均流、不均溫難題”。

Fig 6. 雙脈沖測(cè)試波形（source：清純半導(dǎo)體）

清純半導(dǎo)體始終堅(jiān)持技術(shù)引領(lǐng)，推出的系列SiC產(chǎn)品以?xún)?yōu)異的性能和高可靠性獲得了廣大用戶(hù)的一致認(rèn)可。目前，清純半導(dǎo)體已在750V、1200V、1700V、2000V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十種SiC器件的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，并布局了完善的產(chǎn)能保障體系和嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系，清純半導(dǎo)體將在中國(guó)SiC原創(chuàng)技術(shù)策源地和領(lǐng)先供應(yīng)商的道路上不斷取得新的突破。

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo近日發(fā)布一款符合車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型D2PAK-7L封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ 導(dǎo)通電阻RDS(on)。此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá)60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動(dòng)汽車(chē)（EV）類(lèi)應(yīng)用。

source：Qorvo

據(jù)介紹，UJ4SC075009B7S 在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻值為9mΩ，可在高壓、多千瓦車(chē)載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化裝配流程，降低客戶(hù)的制造成本。全新的750V系列產(chǎn)品是對(duì)Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車(chē)用SiC FET的補(bǔ)充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿(mǎn)足400V和800V電池架構(gòu)電動(dòng)汽車(chē)的應(yīng)用需求。

Qorvo電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾，以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車(chē)輛動(dòng)力挑戰(zhàn)?！?/p>

這些第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置，將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。SiC FET的效率取決于傳導(dǎo)損耗；得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo的共源共柵結(jié)構(gòu)/JFET方式帶來(lái)了更低的傳導(dǎo)損耗。

來(lái)源：清純半導(dǎo)體、Qorvo

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source:清純半導(dǎo)體

資料顯示，清純半導(dǎo)體成立于2021年3月，是一家聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，專(zhuān)業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

成立至今，清純半導(dǎo)體已完成4輪融資，投資方包括美團(tuán)龍珠、復(fù)容投資、蔚來(lái)資本、鴻富資產(chǎn)、澤森資本、蘇州趨勢(shì)基金、英飛源技術(shù)、士蘭微、銀杏谷資本、華登國(guó)際、高瓴創(chuàng)投、宏微科技、九洲創(chuàng)投、高瓴資本、禾望電氣、仁發(fā)投資、海創(chuàng)集團(tuán)等眾多機(jī)構(gòu)，其中，復(fù)容投資、蔚來(lái)資本、高瓴創(chuàng)投等均參與了清純半導(dǎo)體多輪融資，對(duì)清純半導(dǎo)體發(fā)展前景有較大信心。

技術(shù)和產(chǎn)品方面，自成立以來(lái)，清純半導(dǎo)體突破不斷，先后推出國(guó)內(nèi)首款15V驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET及國(guó)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET，并通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證和HV-H3TRB測(cè)試。

據(jù)稱(chēng)，清純半導(dǎo)體是目前國(guó)內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國(guó)際一流水平、基于國(guó)內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET的企業(yè)，公司系列產(chǎn)品已經(jīng)在新能源發(fā)電、新能源汽車(chē)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

據(jù)介紹，截至目前，清純半導(dǎo)體SiC MOSFET累計(jì)出貨達(dá)150萬(wàn)顆，實(shí)現(xiàn)了多家新能源企業(yè)的批量供貨，新能源汽車(chē)主驅(qū)芯片驗(yàn)證與導(dǎo)入進(jìn)展順利，已服務(wù)超過(guò)50家客戶(hù)。

產(chǎn)能方面，2023年2月3日，清純半導(dǎo)體研發(fā)基地正式啟用。項(xiàng)目總面積4600平米，建設(shè)四大實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，總投入近億元，具備支撐月產(chǎn)近千萬(wàn)顆SiC器件的測(cè)試及篩選能力。

目前，清純半導(dǎo)體在SiC器件領(lǐng)域已具有較強(qiáng)實(shí)力，新一輪融資完成有助于公司擴(kuò)大優(yōu)勢(shì)、鞏固自身的行業(yè)地位。

值得關(guān)注的是，近期，至信微電子、超芯星、東映碳材等SiC器件、襯底和材料廠商紛紛完成新一輪融資，顯示了資本市場(chǎng)十分重視SiC產(chǎn)業(yè)鏈，未來(lái)或?qū)鞒龈嗳谫Y消息。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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