該產(chǎn)業(yè)園于2024年5月開(kāi)工，項(xiàng)目計(jì)劃打造臨安首個(gè)集芯片設(shè)計(jì)研發(fā)、先進(jìn)封裝封測(cè)、功率器件封裝封測(cè)等多元功能于一體的集成電路產(chǎn)業(yè)園，占地118畝，建筑面積約20萬(wàn)平方米，包括9幢多層廠房與1幢高層車(chē)間和1幢辦公樓。目前，已有3幢廠房主體順利結(jié)頂，其余6幢廠房基本出正負(fù)零。

未來(lái)，愛(ài)矽科技園不僅是愛(ài)矽科技的總部所在地，擁有第三代半導(dǎo)體研究院、器件及模組設(shè)計(jì)公司、多條先進(jìn)生產(chǎn)線及動(dòng)力配套等設(shè)施，還會(huì)招引多家半導(dǎo)體企業(yè)入駐，匯聚創(chuàng)新力量，形成強(qiáng)大的產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)。

source：愛(ài)矽科技

據(jù)悉，除園區(qū)自用部分，整個(gè)園區(qū)計(jì)劃引入15家左右企業(yè)，目前已成功簽約8家。照此態(tài)勢(shì)，到明年投用時(shí)，有望實(shí)現(xiàn)“開(kāi)園即滿園”的理想狀態(tài)。

資料顯示，杭州作為長(zhǎng)三角地區(qū)的重要科技創(chuàng)新中心，近年順應(yīng)市場(chǎng)需求，杭州在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域（以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體材料為核心）積極布局，匯聚了眾多公司與項(xiàng)目。

中欣晶圓與杭州資本合作建設(shè)8英寸碳化硅外延片基地，規(guī)劃年產(chǎn)能超10萬(wàn)片，填補(bǔ)國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)SiC材料空白，已導(dǎo)入國(guó)際頭部設(shè)備商機(jī)臺(tái)，樣品送樣多家車(chē)企驗(yàn)證。

富加鎵業(yè)已成功突破6英寸氮化鎵單晶襯底量產(chǎn)技術(shù)，良品率達(dá)國(guó)際水平。

士蘭微杭州子公司建設(shè)12英寸特色工藝線，量產(chǎn)SiC MOSFET、GaN射頻器件。

總部設(shè)在杭州的瑞能半導(dǎo)體，開(kāi)發(fā)SiC復(fù)合封裝模塊，支持800V高壓平臺(tái)。

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當(dāng)前，杭州已初步形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，覆蓋材料、設(shè)計(jì)、制造到應(yīng)用的完整鏈條。未來(lái)，在政策與市場(chǎng)需求雙重助力之下，預(yù)計(jì)杭州將進(jìn)一步吸引上下游企業(yè)集聚，加速技術(shù)商業(yè)化進(jìn)程。（集邦化合物半導(dǎo)體 王奇 整理）

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