01華潤微:公司SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中
華潤微披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表顯示,該公司MOSFET等功率器件、功率IC、MEMS、模塊等產(chǎn)品預(yù)計(jì)受益于汽車智能化、電子化趨勢(shì)及AI、超計(jì)算等新興領(lǐng)域帶來的變革,實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。
source:華潤微電子官微(圖為華潤微電子(重慶)功率半導(dǎo)體研發(fā)中心)
產(chǎn)能方面,華潤微深圳12吋產(chǎn)線已于2024年底實(shí)現(xiàn)通線,處于新品驗(yàn)證和新工藝轉(zhuǎn)移階段;重慶12吋產(chǎn)線已達(dá)成規(guī)劃產(chǎn)能3萬片/月。
產(chǎn)品進(jìn)展方面,華潤微表示,目前中低壓MOS、高壓MOS、SiC產(chǎn)品可應(yīng)用于AI服務(wù)器電源中,已處于上量階段。
SiC JBS和SiC MOS已完成產(chǎn)品系列化并量產(chǎn),覆蓋650V/1200V/1700V系列,性能達(dá)到國際領(lǐng)先同等水平。碳化硅模塊產(chǎn)品已在上量階段。產(chǎn)品圍繞新能源汽車、充電樁、光伏逆變、儲(chǔ)能逆變、服務(wù)器電源等領(lǐng)域全面推廣上量,預(yù)計(jì)今年將實(shí)現(xiàn)高增長(zhǎng)。
業(yè)界指出,碳化硅在AI服務(wù)器中的應(yīng)用圍繞高效能電源設(shè)計(jì)與高可靠性散熱管理展開,通過替代傳統(tǒng)硅基器件,顯著提升能效比并降低運(yùn)營成本。隨著AI熱潮不斷持續(xù),碳化硅技術(shù)將成為AI數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低碳化與高性能化的重要推手。
02瞻芯電子推出2000V SiC 4相升壓模塊
瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品,可應(yīng)用于光伏等領(lǐng)域,已通過工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試,并在光伏客戶導(dǎo)入驗(yàn)證。
該款產(chǎn)品殼體高度僅12mm,能壓縮應(yīng)用系統(tǒng)的體積,金屬底座讓模塊安裝更牢固,并消除了塑料底座老化的隱患。產(chǎn)品內(nèi)部集成了4相升壓電路,共用電源接地,分為2組,集成熱敏電阻以監(jiān)測(cè)溫度,可靈活適配2路或者4路直流輸入(DC input),滿足個(gè)性化設(shè)計(jì)需求。相對(duì)于分立器件方案,大幅提升功率密度,同時(shí)顯著簡(jiǎn)化了電路的設(shè)計(jì)。
瞻芯電子介紹,2000V SiC MOFET和Diode特別適用于1500V 光伏升壓電路。在升壓變換電路中,2000V SiC分立器件能簡(jiǎn)化電路拓?fù)?、減少元器件數(shù)量,降低總物料成本,同時(shí)讓應(yīng)用控制更簡(jiǎn)單。對(duì)比分立器件的方案,若采用2000V SiC功率模塊產(chǎn)品,還進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì),大幅提升了功率密度。
03重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)SiC芯片流片成功下線
近日,重慶青山與重慶大學(xué)聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片首輪流片成功下線。此次雙方聯(lián)合研發(fā)的SiC功率芯片,在耐壓和閾值電壓等關(guān)鍵參數(shù)上均表現(xiàn)出優(yōu)秀的性能。
器件耐壓性能突出,擊穿電壓最高可達(dá)1700V以上;閾值電壓一致性表現(xiàn)優(yōu)異,通過率達(dá)到98%,實(shí)測(cè)值分布集中,具有較強(qiáng)的抗干擾能力,在大批量使用時(shí)更易于配對(duì),從而節(jié)約成本。(集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理)
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]]>瞻芯電子本輪首批融資款將主要用于產(chǎn)品和工藝研發(fā)、碳化硅(SiC)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)及公司運(yùn)營等開支,以持續(xù)提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,增強(qiáng)晶圓廠的保供能力,滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。
資料顯示,瞻芯電子2017年在上海成立,是一家聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的芯片公司,致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅功率模塊產(chǎn)品。
source:瞻芯電子
融資方面,瞻芯電子從成立至今已完成了7輪融資,累計(jì)股權(quán)融資金額逾20億。投資方包括小米、北汽、廣汽、小鵬汽車、寧德時(shí)代、陽光電源、錦浪科技等企業(yè)。
產(chǎn)能方面,瞻芯電子位于浙江的碳化硅晶圓廠已于2022年交付投產(chǎn),專注生產(chǎn)6英寸SiC MOSFET和SBD等產(chǎn)品。該工廠按照車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能為30萬片,首批6英寸SiC MOSFET晶圓已于2022年9月成功流片。
依托該晶圓廠,瞻芯電子在2024年相繼推出了第二代650V車規(guī)級(jí)SiC MOSFET、第三代1200V SiC MOSFET、2000V SiC MOSFET和SBD等產(chǎn)品。
瞻芯電子表示,在過去的2024年里,公司銷售業(yè)績(jī)大幅增長(zhǎng)100%以上,累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品逾1600萬顆,SiC SBD產(chǎn)品逾1800萬顆,驅(qū)動(dòng)芯片近6000萬顆。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)
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]]>圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉,瞻芯電子在國內(nèi)較早自主開發(fā)并掌握了6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái),并持續(xù)進(jìn)行升級(jí)迭代。
依托自建的SiC晶圓產(chǎn)線,瞻芯電子開發(fā)了第二代SiC MOSFET產(chǎn)品,其中IV2Q12040T4Z(1200V 40mΩ SiC MOSFET)于2023年8月獲得了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)認(rèn)證證書,而且通過了新能源行業(yè)頭部企業(yè)的導(dǎo)入測(cè)試,開啟了量產(chǎn)交付。
瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì),使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
而在近日,瞻芯電子基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證;同時(shí),瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)已正式量產(chǎn)。
瞻芯電子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET,現(xiàn)有IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA、IV3Q12013BD 3款產(chǎn)品,主要用于車載電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),已獲得多家車載電驅(qū)動(dòng)客戶的項(xiàng)目定點(diǎn)。
其第三代1200V SiC MOSFET仍為平面柵型MOSFET,相比第二代工藝,元胞的Pitch縮小了超過20%。核心指標(biāo)方面,第三代產(chǎn)品在保證器件的耐壓和短路能力的前提下,將比導(dǎo)通電阻Rsp降低至2.5mΩ*cm2,同時(shí),第三代產(chǎn)品的開關(guān)損耗對(duì)比第二代產(chǎn)品進(jìn)一步降低30%以上。
在可靠性方面,首款產(chǎn)品IV3Q12013T4Z不僅按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)完成了三批次可靠性認(rèn)證,獲得車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證證書,而且通過了更嚴(yán)格的Beyond-AECQ可靠性考核,包括動(dòng)態(tài)可靠性(D-HTRB,D-H3TRB,AC-BTI),柵極負(fù)偏壓下的HTRB等。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>圖源:瞻芯電子
此外,公司英文名稱、法定代表人、統(tǒng)一社會(huì)信用代碼、經(jīng)營地址及郵寄地址、聯(lián)系方式均不變。瞻芯電子表示,此次變更不會(huì)影響公司日常運(yùn)營,原簽訂的合同繼續(xù)有效,業(yè)務(wù)主體、法律關(guān)系和原有服務(wù)承諾不變。
官網(wǎng)介紹,瞻芯電子成立于2017年,是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司。公司致力于開發(fā)碳化硅功率器件和模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片產(chǎn)品,并圍繞碳化硅應(yīng)用,為客戶提供一站式解決方案。
另一方面,汽車市場(chǎng)作為未來發(fā)展主軸,正逐漸成為SiC應(yīng)用領(lǐng)域的重中之重。而瞻芯電子對(duì)此早有布局。
產(chǎn)品及應(yīng)用方面,瞻芯電子已成功量產(chǎn)了122款產(chǎn)品,其中包含28款車規(guī)級(jí)產(chǎn)品,涵蓋了SiC MOSFET、SiC SBD、SiC Module和柵極驅(qū)動(dòng)芯片。據(jù)悉,瞻芯電子SiC MOSFET產(chǎn)品于2021年第四季度開始大批量“上車”應(yīng)用。
產(chǎn)能方面,2022年瞻芯電子建于浙江義烏的車規(guī)級(jí)SiC晶圓廠順利交付投產(chǎn),這也意味著瞻芯電子正式實(shí)現(xiàn)由Fabless邁向IDM的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。
根據(jù)企查查官網(wǎng)信息,瞻芯電子現(xiàn)已完成七輪融資,投資機(jī)構(gòu)中也出現(xiàn)了諸多車企的影子。
其中,上汽集團(tuán)、小鵬汽車、北汽藍(lán)谷等整車廠商通過直接或者間接方式參與了瞻芯電子的融資,星航資本(小鵬汽車發(fā)起的私募基金)則參與了Pre-B輪融資。(集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理)
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]]>瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15-18V,可提升應(yīng)用兼容性,簡(jiǎn)化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上,第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET,但進(jìn)一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計(jì),使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%,并顯著降低開關(guān)損耗,提升系統(tǒng)效率。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
同時(shí),第二代SiC MOSFET產(chǎn)品依然保持高可靠性與強(qiáng)魯棒性,在AEC-Q101車規(guī)可靠性認(rèn)證、短路測(cè)試、浪涌測(cè)試中等評(píng)估中表現(xiàn)優(yōu)良。
此外,瞻芯電子將在2023年陸續(xù)推出更多規(guī)格類型的第二代SiC MOSFET,耐壓等級(jí)包括650V/750V/1200V/1700V,導(dǎo)通電阻覆蓋14mΩ-50Ω,并且大都采用車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)。(文:瞻芯電子)
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]]>2022年12月 ,瞻芯電子剛剛完成了數(shù)億元Pre-B輪融資。由上汽集團(tuán)戰(zhàn)略直投基金、尚頎資本(上汽集團(tuán)旗下私募股權(quán)投資平臺(tái))在管基金聯(lián)合領(lǐng)投,星航資本持續(xù)加注,同時(shí)獲得陽光電源、愛士惟、錦浪科技、浙江創(chuàng)智、華強(qiáng)創(chuàng)投等戰(zhàn)略機(jī)構(gòu)鼎力加入。融資資金用于瞻芯電子義烏SiC晶圓廠的持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)、運(yùn)營以及研發(fā)的持續(xù)投入。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
瞻芯電子是一家聚焦于碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海臨港,致力于開發(fā)碳化硅功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品,并圍繞碳化硅功率半導(dǎo)體應(yīng)用,為客戶提供一站式(Turn-key)芯片解決方案。
此外,瞻芯電子還是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的公司,建成了一座按車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SiC晶圓廠,將持續(xù)創(chuàng)新,放眼世界,致力于打造中國領(lǐng)先、國際一流的碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理)
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