據(jù)矽力杰介紹，寬禁帶功率器件與應用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導體的器件與電源管理技術(shù)，建設(shè)貫通“器件-封裝測試-電源變換裝備”的完善技術(shù)鏈及產(chǎn)業(yè)應用體系，重點建設(shè)突破一維電阻極限的碳化硅（SiC）單極型器件技術(shù)，聚焦寬禁帶器件先進封裝測試技術(shù)的高效率、高密度電源變換技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化三大重點方向。

資料顯示，物質(zhì)導電需要有自由電子或者空穴存在，自由電子存在的能帶稱作導帶，空穴存在的能帶稱作價帶。被束縛的電子要想成為自由電子或空穴，必須獲得足夠能量從價帶躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。

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寬禁帶半導體是指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，而當前主流的半導體材料硅的禁帶寬度大約是1.12eV。寬禁帶半導體以碳化硅、氮化鎵（GaN）為代表，因其禁帶寬度大、電子遷移率高等物理特性，廣泛應用于移動通信、汽車電子、光伏儲能以及光電領(lǐng)域。

隨著終端電力電子產(chǎn)品的迭代升級，傳統(tǒng)硅基元件已無法滿足高功率、高壓場景需求，碳化硅、氮化鎵器件因其在高溫、高壓、高頻應用領(lǐng)域的顯著優(yōu)勢，市場需求持續(xù)上漲。

據(jù)TrendForce研究，2022年全球碳化硅功率市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%；2022年全球氮化鎵功率市場規(guī)模約1.8億美元，至2026年可達13.3億美元，CAGR達65%。

值得一提的是，矽力杰自主研發(fā)了集成度更高的合封氮化鎵芯片，將控制器與氮化鎵器件集成，包含驅(qū)動、保護等功能，支持QR/DCM模式。在傳統(tǒng)初級電路中兩三顆芯片才能實現(xiàn)的功能，通過采用矽力杰合封方案，僅由一顆芯片就能完成，不僅能夠簡化設(shè)計，還可以提升整體方案性能，也能減少PCB板的用量，縮小尺寸并減少物料成本。（化合物半導體市場Zac整理）

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