值得注意的是，這并不是該公司首次開啟IPO。早在2022年10月，飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請文件曾獲上海證券交易所受理，該公司當(dāng)時(shí)擬募資15.22億元。2024 年 9 月，公司及保薦機(jī)構(gòu)向上海證券交易所撤回發(fā)行上市申請，上海證券交易所于2024年10月終止公司的發(fā)行上市審核。

公開資料顯示，飛驤科技成立于2015年，前身為深圳國民飛驤科技有限公司。該公司法定代表人是公司創(chuàng)始人龍華，其控股股東上海上驤企業(yè)管理中心（有限合伙），直接持股14.30%，通過特別表決權(quán)股份安排實(shí)際享有37.34%的表決權(quán)。

飛驤科技是一家專注于射頻前端芯片研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司，核心業(yè)務(wù)覆蓋2G – 5G全品類射頻前端芯片，產(chǎn)品包括射頻功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等。

2020年6月，飛驤科技發(fā)布了第一套完整支持所有5G頻段的國產(chǎn)射頻前端解決方案和第一套采用國產(chǎn)工藝實(shí)現(xiàn)5G性能的射頻前端模塊，提供5G/4G/3G/2G射頻方案、IoT射頻方案、Wi-Fi射頻方案。現(xiàn)在該公司已量產(chǎn)出貨L-PAMiF、PAMiF、L-FEM等高集成度5G模組，技術(shù)難度更大的高集成度5G模組L-PAMiD和L-DiFEM已完成設(shè)計(jì)并開始樣品驗(yàn)證。

其核心終端客戶涵蓋傳音、聯(lián)想（摩托羅拉）、聞泰科技、天瓏移動(dòng)、華勤技術(shù)、中諾通訊、龍旗科技、榮耀等知名品牌，并且成功進(jìn)入這些知名ODM廠商的供應(yīng)鏈體系。

據(jù)飛驤科技公布財(cái)報(bào)，其在2019-2024年上半年分別實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入為1.16億元、3.65億元、9.16億元、10.22億元、17.17億元和11.31億元。2019-2023年五年復(fù)合增長率為96.19%，其中2023年?duì)I收同比增長68.08%，2024年上半年同比增長107.25%。

具體來看，2019-2023年飛驤科技處于虧損狀態(tài)，其中2019年到2022年分別虧損1.2億元、1.75億元、3.41億元、3.62億元，2023年則大幅縮窄到虧損1.93億元。五年累計(jì)虧損額約為11.91億元。在2024年上半年。飛驤科技持續(xù)大幅扭虧，至凈利潤在1327.99萬元至1827.99萬元的區(qū)間，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈。

官方表示，業(yè)績轉(zhuǎn)好主要得益于5G模組及泛連接等產(chǎn)品的良好表現(xiàn)。自從銷售5G產(chǎn)品以來，飛驤科技5G產(chǎn)品營收從2020年的不足億元增長至2023年的4億元，毛利率達(dá)22.19%。該公司泛連接產(chǎn)品營收也從2021年的418萬元增長至2023年的1.17億元。此外，飛驤科技還披露其高技術(shù)門檻的L-PAMiD產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)突破并放量出貨。

飛驤科技表示，2024年至2025年，預(yù)計(jì)公司將綜合受益于Wi-Fi、L-PAMiD、車載、衛(wèi)星通信等高附加值產(chǎn)品的導(dǎo)入帶來的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及客戶結(jié)構(gòu)優(yōu)化（A 公司、榮耀、vivo）等品牌客戶占比提升，以及期間費(fèi)用將趨于穩(wěn)定或緩增，預(yù)計(jì)會(huì)迎來盈利拐點(diǎn)。

另外，公開資料顯示，從2015年至今，飛驤科技共計(jì)完成14輪融資，引入招商證券、聞泰科技等戰(zhàn)略投資者，研發(fā)投入累計(jì)超10億元，公司專利206項(xiàng)。

值得注意的是，飛驤科技自2015年起便錨定國產(chǎn)砷化鎵（GaAs）工藝替代，其5G模組采用自主設(shè)計(jì)的國產(chǎn)GaAs工藝平臺(tái)量產(chǎn)，較進(jìn)口方案成本降低30%，并率先進(jìn)入三星Galaxy系列供應(yīng)鏈。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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source：先導(dǎo)科技集團(tuán)

消息稱，該項(xiàng)目位于高新六路以南、光谷五路以東，建筑面積26萬平方米，共19棟建筑，包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等，整個(gè)項(xiàng)目力爭2025年年底實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營。未來，半導(dǎo)體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠房下線，有力補(bǔ)強(qiáng)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。

此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠房將承擔(dān)核心材料制造，具體來看：

M1廠房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線（應(yīng)用于5G射頻芯片）
M2廠房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線（光通信激光器核心材料）
M3廠房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線
M4廠房?? 鍺片生產(chǎn)基地（紅外探測器關(guān)鍵材料）

資料顯示，先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月，該項(xiàng)目落戶光谷，投資120億元建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目。項(xiàng)目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。

“這相當(dāng)于在光谷建造了一個(gè)‘化合物半導(dǎo)體超市’?！表?xiàng)目總工程師李明透露，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片，滿足全球15%的高端需求。

化合物半導(dǎo)體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時(shí)代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，我國砷化鎵襯底進(jìn)口依存度仍高達(dá)83%，磷化銦更是超過90%。

化合物半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關(guān)鍵變革的重要節(jié)點(diǎn)。從市場規(guī)模來看，隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料需求的持續(xù)攀升，化合物半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)出增長態(tài)勢。業(yè)界預(yù)測，未來幾年全球化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率，市場前景極為廣闊。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，各國科研團(tuán)隊(duì)與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入，致力于攻克技術(shù)難題。在材料生長工藝上，分子束外延（MBE）和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等先進(jìn)技術(shù)持續(xù)優(yōu)化，能夠生長出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導(dǎo)體材料，為后續(xù)芯片制造奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。在芯片設(shè)計(jì)與制造工藝方面，也取得了諸多突破，例如新型器件結(jié)構(gòu)的研發(fā)，有效提升了化合物半導(dǎo)體芯片的性能與集成度。

競爭格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢。國際上，歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術(shù)、品牌和市場優(yōu)勢，在高端產(chǎn)品領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。

美國的Wolfspeed在碳化硅（SiC）領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源等對功率器件要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域，為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵（GaAs）等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面技術(shù)成熟，產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設(shè)備提供了穩(wěn)定高效的信號(hào)處理能力。

同時(shí)，韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力，積極布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，在中低端市場通過成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢具備較強(qiáng)競爭力。

隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力，近年來取得了顯著進(jìn)展。

source：穩(wěn)懋半導(dǎo)體

穩(wěn)懋半導(dǎo)體等企業(yè)專注于化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域，憑借豐富的代工經(jīng)驗(yàn)與較高的生產(chǎn)效率，在全球化合物半導(dǎo)體代工市場占據(jù)重要份額，為全球眾多設(shè)計(jì)公司提供生產(chǎn)制造服務(wù)。

而上述提到的先導(dǎo)科技集團(tuán)在光谷投資建設(shè)的120億元化合物半導(dǎo)體基地，更是國內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個(gè)重要縮影。

越來越多的國內(nèi)企業(yè)開始涉足化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無到有的突破，逐步縮小與國際先進(jìn)水平的差距。但整體而言，國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)實(shí)力、高端人才儲(chǔ)備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面，與國際領(lǐng)先水平仍存在一定差距。

從應(yīng)用領(lǐng)域拓展來看，除了傳統(tǒng)的通信、電子領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測器等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。業(yè)界表示，可預(yù)見的是，隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低，化合物半導(dǎo)體將在更多領(lǐng)域大放異彩，成為推動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。（集邦化合物半導(dǎo)體南清整理）

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source：珠海建安

據(jù)悉，由華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項(xiàng)目是廣東省重點(diǎn)項(xiàng)目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項(xiàng)目，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。

該項(xiàng)目于2023年7月正式開工建設(shè)。2024年8月，華芯微電子將首批設(shè)備移入園區(qū)。同年11月，華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通，并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓，預(yù)計(jì)將于2025年上半年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

據(jù)介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。

資料顯示，華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立，是華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司全資子公司，專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，面向手機(jī)、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場。

格力集團(tuán)此前消息顯示，2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，推動(dòng)華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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根據(jù)公告，兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導(dǎo)體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項(xiàng)目（一期）”，并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線，主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片。本次投資為項(xiàng)目一期，項(xiàng)目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

資料顯示，兆馳半導(dǎo)體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售，產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、背光、超高清顯示等多個(gè)領(lǐng)域。自2023年起，兆馳半導(dǎo)體進(jìn)一步布局光通信領(lǐng)域，已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期，國內(nèi)還有多個(gè)砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項(xiàng)目披露了最新進(jìn)展，分別由縱慧芯光、芯辰半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)建設(shè)。

10月23日，縱慧芯光正式宣布，旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項(xiàng)目”已完成封頂。該項(xiàng)目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢能資本”消息，芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn)，覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片，致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)介紹，該晶圓具備高增益、高效能的特性，可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。

資料顯示，華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立，是華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司全資子公司，專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù)，面向手機(jī)、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場。

華芯（珠海）半導(dǎo)體有限公司主營數(shù)通VCSEL芯片，是以IDM模式實(shí)現(xiàn)25G&56G PAM4 VCSEL芯片大規(guī)模出貨的廠商，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)穿戴裝置、光傳感裝置等新興產(chǎn)業(yè)場景。

據(jù)悉，華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項(xiàng)目是廣東省重點(diǎn)項(xiàng)目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項(xiàng)目，格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。

格力集團(tuán)此前消息顯示，2023年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，推動(dòng)華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)總投資約34億元、產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。

隨后在2023年8月17日，珠海高新區(qū)25個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目集中開工建設(shè)，其中包括由格力集團(tuán)投資打造的華芯（珠海）半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)此前中電三公司與武進(jìn)日報(bào)披露，該項(xiàng)目總投資5.5億元，規(guī)劃用地40畝，預(yù)計(jì)明年1月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計(jì)約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

source：縱慧芯光

資料顯示，縱慧芯光成立于2015年，致力于垂直腔面激光發(fā)射器（VCSEL）的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和制造。企業(yè)自有6寸外延產(chǎn)線，可實(shí)現(xiàn)每月2000片6寸砷化鎵外延片的量產(chǎn)產(chǎn)能，并建有封裝產(chǎn)線。公司產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子，汽車電子，光通訊等領(lǐng)域。

企查查顯示，截至目前，縱慧芯光已完成了多輪融資。其中，能見到不少知名大企的身影——2020年6月，華為旗下投資平臺(tái)哈勃投資入股了該公司；隨后，小米于2020年12月對其進(jìn)行了投資；比亞迪也參與了縱慧芯光2021年、2022年的兩輪融資。

值得一提的是，同獲得華為哈勃投資的長光華芯，公司旗下化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)項(xiàng)目也于9月封頂。

該項(xiàng)目將打造先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，進(jìn)行氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等激光器和探測器用2-3英寸芯片產(chǎn)線建設(shè)及器件封裝等。建成后，將具備年產(chǎn)1億顆芯片、500萬器件的能力。項(xiàng)目于2023年12月開工，預(yù)計(jì)2025年建成并全面投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

格力集團(tuán)消息顯示，今年3月，格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體，助力華芯珠海核心團(tuán)隊(duì)完成數(shù)億元融資，”以投促引”推動(dòng)華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項(xiàng)目落戶珠海，并在珠海投資建設(shè)總投資約34億元、產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6寸砷化鎵晶圓代工廠。

同時(shí)，格力集團(tuán)通過旗下建設(shè)投資板塊出資約6.21億元，為華芯半導(dǎo)體分兩期建設(shè)總計(jì)容建面約8.26萬平方米的定制化5.0產(chǎn)業(yè)新空間。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)2024年7月具備入駐條件、9月試投產(chǎn)，滿產(chǎn)后年產(chǎn)值可達(dá)32億元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）

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近日，有消息傳英國廠商IQE將取代臺(tái)企聯(lián)亞，成為蘋果iPhone 15系列的近距離傳感器的外延晶圓獨(dú)家供應(yīng)商。

據(jù)天風(fēng)國際證券分析師郭明錤在3月24 日于社交平臺(tái)發(fā)文表示，IQE將取代聯(lián)亞，成為iPhone 15系列的proximity sensor的磊晶晶圓 (epi wafer) 獨(dú)家供應(yīng)商。所有iPhone 15機(jī)型雖均采用與iPhone 14 Pro機(jī)型相同的動(dòng)態(tài)島設(shè)計(jì)，但差別在于iPhone 14 Pro將proximity sensor放置屏下/在動(dòng)態(tài)島外，而iPhone 15系列則在動(dòng)態(tài)島面積幾乎沒有變化下，將proximity sensor放置在動(dòng)態(tài)島內(nèi)。

基于此改變，F(xiàn)inisar (被Coherent/II-VI收購) 將改供應(yīng)波長940nm的proximity sensor (iPhone 14 Pro為1380nm)，而上游epi wafer供應(yīng)商也改為IQE。

近距離傳感器用來感測物體的距離，并相對應(yīng)地做出該有的反應(yīng)，比如當(dāng)手機(jī)用戶接聽電話或者裝進(jìn)口袋時(shí)，傳感器可以判斷出手機(jī)貼近了人的臉部或者衣服而關(guān)閉屏幕的觸控功能，以防止錯(cuò)誤操作。郭明錤認(rèn)為，iPhone 15系列動(dòng)態(tài)島面積幾乎沒有變化下，但近距離傳感器將放在動(dòng)態(tài)島內(nèi)，因此Finisar將改供應(yīng)波長940nm的近接傳感器，而上游外延芯片供應(yīng)商也改為IQE，而非目前的聯(lián)亞。

簡而言之，蘋果公司可能是為了提高iPhone 15系列的近接傳感器性能和設(shè)計(jì)效果，才選擇了IQE作為新的供應(yīng)商。

IQE和聯(lián)亞都是生產(chǎn)以砷化鎵與磷化銦為基板的Ⅲ-Ⅴ族材料化合物的磊芯片的公司。IQE是英國的外延晶圓大廠，而聯(lián)亞是中國臺(tái)灣地區(qū)的光通信模塊臺(tái)廠。

據(jù)悉，IQE是一家倫敦上市公司，專注于基于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN) 和硅的先進(jìn)硅和化合物半導(dǎo)體材料。該公司是通過金屬有機(jī)氣相外延(MOCVD)、分子束外延(MBE) 和化學(xué)氣相沉積(CVD)制造外延片的最大獨(dú)立外包生產(chǎn)商。

IQE 由 Drew Nelson 和 Michael Scott 于 1988 年創(chuàng)立，前身是Epitaxial Products International ( EPI )。最初，該公司專門為主要用于光纖通信的光電設(shè)備生產(chǎn)外延片。金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積 (MOCVD)技術(shù)用于生產(chǎn)半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管(LED) 和光電探測器，設(shè)計(jì)用于在 1300 nm 和 1550 nm 的波長下工作，用于長距離光纖通信。

1999 年，Epitaxial Products International 與位于賓夕法尼亞州的 Quantum Epitaxial Designs (QED) 合并，成立了 IQE。QED 由 Tom Hierl 創(chuàng)立。

同樣在 1999 年，新合并的實(shí)體在歐洲 Easdaq (納斯達(dá)克歐洲) 證券交易所進(jìn)行了首次公開募股(IPO)，隨后一年后在倫敦證券交易所上市。

與 QED 的合并為該集團(tuán)帶來了一系列基于分子束外延(MBE) 技術(shù)的新型制造工具和一系列無線電信產(chǎn)品。合并后，IQE 成為第一家使用 MOCVD 和 MBE 技術(shù)生產(chǎn)光電和射頻 (RF) 外延晶圓的獨(dú)立外包制造商。伯利恒工廠專門生產(chǎn)多種無線產(chǎn)品，包括假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT) 和金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MESFET)。

2000 年，該公司成立了一家新的全資子公司，專門從事硅基外延生長。IQE Silicon 成立于毗鄰集團(tuán)總部和位于英國威爾士卡迪夫的歐洲制造基地的新工廠。

新子公司使用化學(xué)氣相沉積(CVD) 工具生產(chǎn)硅和鍺外延晶片，以提高硅加工性能、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS) 和納米技術(shù)應(yīng)用。

同樣在 2000 年，該集團(tuán)收購了位于英國米爾頓凱恩斯的 Wafer Technology 。此次收購為該集團(tuán)提供了砷化鎵(GaAs) 和磷化銦(InP)襯底的內(nèi)部生產(chǎn)，并增加了用于紅外應(yīng)用的銻化鎵(GaSb) 和銻化銦(InSb)的生產(chǎn)能力。

2006 年，集團(tuán)從 Emcore 手中收購了電子材料部門，為 IQE 提供了位于新澤西州薩默塞特的第二個(gè)美國業(yè)務(wù)。此次收購進(jìn)一步增加了 MOCVD 產(chǎn)能和互補(bǔ)射頻 (RF) 產(chǎn)品，包括異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 和雙極場效應(yīng)晶體管(BiFET)。

同樣在 2006 年，該集團(tuán)以新加坡MBET 技術(shù)的形式進(jìn)一步收購，為該集團(tuán)提供了完整的多站點(diǎn)、多技術(shù)和多產(chǎn)品能力，從而成為世界上最大的外延片獨(dú)立合同制造商。2009 年，該集團(tuán)收購了巴斯大學(xué)的一家初創(chuàng)公司 NanoGaN，從而 增加了新的獨(dú)立式氮化鎵(GaN) 襯底能力。

2012年，IQE集團(tuán)收購了位于美國華盛頓州斯波坎的Galaxy Compound Semiconductors和位于美國北卡羅來納州格林斯伯勒的RFMD的MBE外延制造部門。

該公司于 2018 年 11 月 12 日向證券交易所發(fā)布公告稱，其產(chǎn)品的出貨量將大幅減少，也對盈利能力產(chǎn)生重大影響，導(dǎo)致股價(jià)暴跌。

IQE于2019財(cái)年?duì)I收凈虧損3500萬英鎊，銷售額與2018年相比下降了10%。

2022年5月，IQE與初創(chuàng)公司Porotech達(dá)成了戰(zhàn)略合作，進(jìn)軍micro-LED新興市場。Porotech于2020年從劍橋大學(xué)分拆出來，目前正在研究基于多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的新型可見光發(fā)射器。

2022年6月22日，IQE 與創(chuàng)新光學(xué)和光子產(chǎn)品設(shè)計(jì)與制造商Lumentum共同宣布，雙方簽署了一項(xiàng)多年協(xié)議，IQE將為Lumentum提供支持3D傳感、汽車激光雷達(dá)和光網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的外延片（Epiwafer）。（文：國際電子商情）

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代工廠進(jìn)入寒冬

作為全球最大的GaAs代工廠，自2022年第一季度開始，穩(wěn)懋的營收與凈利潤就出現(xiàn)了持續(xù)下滑。2022年第四季度的營收下滑至35.27億新臺(tái)幣，同比下降51.13%。其資本支出也從2021年的80.81億新臺(tái)幣回落至2022年的71.24億新臺(tái)幣。

從營收結(jié)構(gòu)來看，穩(wěn)懋的營收主要來自移動(dòng)手機(jī)（主要是智能手機(jī)PA放大器）、技術(shù)設(shè)施建設(shè)、WIFI這三大部分，不過由于智能手機(jī)業(yè)務(wù)市場需求的不景氣，穩(wěn)懋來自智能手機(jī)的營收占比在顯著下滑，2022年第四季度來自Cellular（移動(dòng)手機(jī)網(wǎng)絡(luò)）的營收占比為25~30%，與2021年同期相比下降了25個(gè)百分點(diǎn)?；A(chǔ)建設(shè)（Infrastructure）相關(guān)營收雖然仍略低于第3季的水準(zhǔn)，不過第4季已超越手機(jī)PA成為營收最高的族群，Wi-Fi營收則在部分客戶回補(bǔ)庫存之下出現(xiàn)小幅增長。

Source：穩(wěn)懋

另一家GaAs代工企業(yè)宏捷科今年2月營收1.05億新臺(tái)幣，同比銳減42.31%，創(chuàng)下2019年4月以來的新低。目前宏捷科的產(chǎn)能已經(jīng)達(dá)到了2萬片/月，但由于需求不景氣，產(chǎn)能利用率維持在3成左右的水準(zhǔn)。宏捷科在法說會(huì)上表示，目前中國大陸PA設(shè)計(jì)企業(yè)的庫存仍然需要5個(gè)月才能恢復(fù)到正常水位，且未來智能手機(jī)的銷量能夠走強(qiáng)仍需觀察。

射頻龍頭承壓

砷化鎵下游的最大應(yīng)用產(chǎn)品是射頻PA（Power Amplifier）。

從設(shè)計(jì)端來看，目前全球射頻PA龍頭分別是Skyworks和Qorvo。目前兩家企業(yè)的營收都不同程度的遭受到壓力。Qorvo在最新一季度的營收為7.43億美元，同比下降33.3%。其對下一季度的業(yè)績指引中，營收將不超過6.4%，同比下滑40%以上。在主營業(yè)務(wù)營收疲軟之下，Qorvo也正在加速降低產(chǎn)能利用率，以避免庫存積壓過多。

而Skyworks相對能夠好一些，2022年第四季度營收達(dá)到了14.1億美元，同比增長7.3%，全年?duì)I收54.86億美元，同比增長7.37%，Skyworks營收能夠?qū)崿F(xiàn)正增長主要是因?yàn)榈谒募径忍O果發(fā)布新的產(chǎn)品，Skyworks作為蘋果手機(jī)射頻PA的供應(yīng)商，營收被一定程度地拉動(dòng)上升。

此外，兩大龍頭的盈虧不同的另一個(gè)重要原因是其營收結(jié)構(gòu)不相同。此前Qorvo的營收中來自中國的占比在一半左右，因此受到中國市場影響比較大，受到中國智能手機(jī)需求的下行，Qorvo在2022年第三季度來自中國的營收占比已經(jīng)下滑至19%。而Skyworks的營收中，來自美國市場的占比超過50%，2022年第三季度來自中國的營收占比只有8%。

在全球智能手機(jī)下行的大背景下，射頻PA自然也受影響，但從業(yè)績上來看，Skyworks和Qorvo雖略有不同程度的衰退，但相對于代工廠而言并不算大，一個(gè)重要原因是兩大射頻PA龍頭正在加速多元化。

射頻龍頭多元化布局

轉(zhuǎn)型，似乎成為過去五年射頻龍頭的主旋律，有像Broadcom這樣，一度要放棄射頻業(yè)務(wù)，徹底轉(zhuǎn)型軟件服務(wù)的，也有像Skyworks和Qorvo這樣，將業(yè)務(wù)多元化布局的。

在過去十年，Qorvo與Skyworks進(jìn)行了多起并購，一部分是用來鞏固自身在射頻領(lǐng)域的地位，另一部分則是為了拓展全新的業(yè)務(wù)，尋找新的增長點(diǎn)。

Qorvo在2019年分別收購了CustomMMIC和Active-Semi，前者是從事微波射頻通信的制造商，后者主要是專注電源管理與電機(jī)驅(qū)動(dòng)。在2020年Qorvo又收購了UWB芯片供應(yīng)商Decawave，2021年收購MEMS傳感器解決方案供應(yīng)商N(yùn)extInput。同年又收購了SiC企業(yè)UnitedSiC，布局SiC產(chǎn)業(yè)。經(jīng)過一系列的并購，Qorvo的發(fā)展方向不再局限于移動(dòng)通訊的射頻解決方案，產(chǎn)品線也比老對手Skyworks更加多元化。從Qorvo最新的財(cái)報(bào)來看，其來自ACG業(yè)務(wù)線（先進(jìn)移動(dòng)通信部門）的營收為66%。

Skyworks的近幾年的重點(diǎn)發(fā)力方向則聚焦汽車領(lǐng)域與物聯(lián)網(wǎng)市場，其在2021年斥資27.5億美元并購了SiliconLaboratories的基礎(chǔ)設(shè)施和汽車業(yè)務(wù)，2018年收購Avnera以擴(kuò)大其音頻解決方案組合并進(jìn)入了智能揚(yáng)聲器、耳機(jī)和汽車音頻等市場。

由于Skyworks和Qorvo在過去兩年進(jìn)行了并購，且正在加速多元化，因此其受到當(dāng)前周期影響會(huì)被減弱。

將目光聚焦中國射頻設(shè)計(jì)廠商，則更能看出當(dāng)前射頻PA的現(xiàn)狀。從卓勝微與唯捷創(chuàng)芯過去8個(gè)季度的營收表現(xiàn)可以看出，其營收走勢雖然受到淡旺季的影響會(huì)略有漲跌，但總體趨勢是呈現(xiàn)下降狀態(tài)。唯捷創(chuàng)芯作為中國本土射頻PA的頭部企業(yè)，90%左右的營收都來自射頻PA，因此其更能夠直觀地展現(xiàn)出當(dāng)前射頻PA的狀態(tài)。

此外，從庫存情況來看，2022年第三季度，唯捷創(chuàng)芯的庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)達(dá)到了256天，超過了近三年的歷史峰值。而Qorvo和Skyworks庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)也在160天左右，射頻PA廠商的庫存積壓嚴(yán)重。

需求減弱

射頻PA的下游需求主要有兩大部分，一部分是智能手機(jī)，一部分是基站。

在手機(jī)方面，根據(jù)Trendforce集邦咨詢的研究數(shù)據(jù)顯示，2022年智能手機(jī)的生產(chǎn)量為11.92億部，年減10.6%。2023年一季度智能手機(jī)產(chǎn)量仍會(huì)持續(xù)下跌，預(yù)估僅約2.51億部，年減18.9%。若以2023全年來看，隨著品牌持續(xù)調(diào)節(jié)渠道庫存，預(yù)測2023上半年渠道庫存可回到健康水位，預(yù)估全年產(chǎn)量仍有機(jī)會(huì)成長0.9%，達(dá)12.02億部。從成長性來看，雖然有5G滲透率的緩慢提升，但總體上半年庫存的調(diào)整對射頻PA的出貨量影響更大，手機(jī)射頻PA今年上半年增長基本無望。

從基站方面來看，在中國市場中，根據(jù)工信部的數(shù)據(jù)，2022年新建5G基站88.7萬個(gè)，截止2月末，我國5G基站總數(shù)達(dá)238.4萬個(gè)，占移動(dòng)基站總數(shù)的21.9%。預(yù)計(jì)今年全年建設(shè)5G基站60萬個(gè)，累計(jì)總數(shù)超過290萬個(gè)。總體來看，來自基站的增量還在，但相對而言，我國的5G基站建設(shè)已經(jīng)放緩，在全球性經(jīng)濟(jì)下行的壓力之下，各國在基站方面建設(shè)也將不會(huì)出現(xiàn)大跨步。

GaAs射頻PA所處生態(tài)位

此外，GaAs在基站上領(lǐng)域也并非處于一家獨(dú)大的局面。射頻PA的主要材料以LDMOS（Si）、GaAs（GaAs）和氮化鎵（GaN）這三大材料為主。這三大材料彼此優(yōu)劣勢明顯，GaAs器件的缺點(diǎn)是器件功率較低，通常低于50W。LDMOS器件的缺點(diǎn)是工作頻率存在極限，最高有效頻率在3.5GHz以下。GaN則彌補(bǔ)了GaAs和Si基LDMOS這兩種傳統(tǒng)技術(shù)的缺陷，在體現(xiàn)GaAs高頻性能的同時(shí)，結(jié)合了Si基LDMOS的功率處理能力，但缺點(diǎn)是貴。因此在不同的應(yīng)用場景，這三大材料互有重疊。

在成本上，雖然Si材料價(jià)格更低，但由于Si CMOS PA在工作頻率的性能明顯不足，難以適應(yīng)高頻場景。尤其是隨著5G的到來，對頻率有了更高的要求，4G的射頻通信需要用到5模13頻，平均使用7顆PA，但到了5G新增了頻段（n41 2.6GHz，n77 3.5GHz和n79 4.8GHz），未來還需要新增6 GHz以上高頻段，同時(shí)需要繼續(xù)兼容4G、3G、2G標(biāo)準(zhǔn)，因此Si CMOS PA在性能上無法取得優(yōu)勢。

另一方面，雖然GaN能夠滿足5G的需求，但5G手機(jī)平均射頻PA用量在10顆，遠(yuǎn)超4G手機(jī)，GaN本身成本就高于GaAS，因此在成本上GaN不是最優(yōu)選。GaAs在性能與成本上取得很好的平衡，因此基于GaAS的射頻PA在智能手機(jī)市場中占據(jù)絕對優(yōu)勢。

在基站領(lǐng)域，基站分為宏基站和小基站。5G宏基站對射頻器件有更高的要求，宏基站的覆蓋半徑在200米以上，小基站的覆蓋范圍在200米以下，在功率上，宏基站的單載波發(fā)射功率在10W以上，小基站在10W以下。因此其使用的射頻PA對材料也是有不同的要求。

簡單來說，GaN和LDMOS輸出功率較高，主要應(yīng)用于宏基站射頻單元中，其中LDMOS技術(shù)適用于低頻段，在高頻段領(lǐng)域存在局限性，而GaN在高頻上的優(yōu)勢，讓其成為焦點(diǎn)。在小基站上，GaAs擁有較高的性價(jià)比而成為主流。

目前國產(chǎn)企業(yè)中，從事手機(jī)PA的公司有唯捷創(chuàng)芯、昂瑞微、飛驤科技、銳石創(chuàng)芯、紫光展銳、芯樸科技。在基站PA領(lǐng)域有至晟微、安其威微、華泰、明夷、芯百特等國產(chǎn)企業(yè)。

總結(jié)

由于GaAs的最大市場還在通信領(lǐng)域，尤其是在智能手機(jī)領(lǐng)域，因此其和智能手機(jī)可以說是榮衰與共，當(dāng)智能手機(jī)和其它通信產(chǎn)業(yè)景氣度上升時(shí)，射頻企業(yè)的營收也跟著水漲船高，GaAs產(chǎn)業(yè)鏈也跟著受益，而當(dāng)市場陷入下行周期的時(shí)候，GaAs也跟著下行。

另外，過去幾年，GaAs的快速增長核心還是受到5G滲透率提升所帶動(dòng)的，但當(dāng)前5G手機(jī)的滲透率已經(jīng)進(jìn)入了一個(gè)尾聲，而智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)也進(jìn)入了一個(gè)成熟甚至未來會(huì)間歇性下滑與上升的階段，GaAs企業(yè)的下一個(gè)增長點(diǎn)在何處？也許擴(kuò)大在GaN和SiC領(lǐng)域的版圖是一個(gè)不錯(cuò)的選擇，至少穩(wěn)懋已經(jīng)在這么做了。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 令小山）

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