除已推向市場的第一代碳化硅離子注入機(jī)外，艾恩半導(dǎo)體對標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機(jī)目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一款硅基中束流離子注入機(jī)。

除此之外，由艾恩半導(dǎo)體自主研發(fā)制造的碳化硅大束流離子注入機(jī)，預(yù)計(jì)將于今年年底推向市場，有望填補(bǔ)國產(chǎn)設(shè)備在這一領(lǐng)域的空白。

資料顯示，離子注入機(jī)是芯片制造領(lǐng)域僅次于光刻工藝的重要環(huán)節(jié)，其注入效果決定了芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)器件最基本、最核心的電學(xué)性能，對第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展至關(guān)重要。

由于技術(shù)復(fù)雜度高、驗(yàn)證周期長的特點(diǎn)，長期以來離子注入機(jī)被國外大廠壟斷，國產(chǎn)化率極低，國內(nèi)半導(dǎo)體廠商極易被“卡脖子”。這一背景下，近年國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商積極瞄準(zhǔn)該領(lǐng)域發(fā)展。

艾恩半導(dǎo)體專注于芯片制造核心設(shè)備——離子注入機(jī)研發(fā)、制造，2024年年底，在其天使投資人——魯信集團(tuán)直管企業(yè)魯信創(chuàng)投的“牽線搭橋”下，艾恩半導(dǎo)體將公司總部遷入山東、落地濟(jì)南高新區(qū)。

source：艾恩半導(dǎo)體

據(jù)悉，魯信創(chuàng)投在艾恩半導(dǎo)體成立之初便進(jìn)行投資孵化，積極通過招商引資助其落戶山東，將有效補(bǔ)強(qiáng)山東第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，充分發(fā)揮承上啟下作用，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，助力國產(chǎn)離子注入機(jī)供應(yīng)鏈自主可控盡快成為現(xiàn)實(shí)。

山東作為中國工業(yè)大省，正加速布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。山東已將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)納入新材料產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃核心板塊，明確提出實(shí)施“標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)鏈戰(zhàn)略材料攻堅(jiān)行動(dòng)”。

目前，山東已形成涵蓋襯底材料、外延生長、芯片設(shè)計(jì)、器件制造到封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈，涌現(xiàn)出山東天岳、山東晶鎵、艾恩半導(dǎo)體等眾多知名企業(yè)。

區(qū)域布局上，濟(jì)南依托國家集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)化基地，聚焦碳化硅基功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)，打造國際先進(jìn)產(chǎn)業(yè)基地；青島發(fā)揮整機(jī)應(yīng)用優(yōu)勢，形成從材料到封測的完整產(chǎn)業(yè)鏈；濟(jì)寧強(qiáng)化上游材料基礎(chǔ)，濰坊布局研發(fā)創(chuàng)新，其他地市差異化協(xié)同發(fā)展。

其中，濟(jì)南近期發(fā)布《2025年國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展計(jì)劃》，提出要加快培育產(chǎn)業(yè)新動(dòng)能，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地，加快推進(jìn)山東中晶芯源碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目、山東天岳碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)，加大碳化硅上下游領(lǐng)域布局力度，爭取集成電路關(guān)鍵材料和第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目獲得國家支持。

1、連科半導(dǎo)體八吋硅區(qū)熔爐及碳化硅電阻爐成果鑒定達(dá)到國際領(lǐng)先水平

“連城數(shù)控”官微消息，近期，中國有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)在無錫組織召開科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。由中科院技物所褚君浩院士，有研科技集團(tuán)周旗鋼教授以及來自東南大學(xué)，南京航空航天大學(xué)，浙大科創(chuàng)中心等的五位專家組成的專家組，對由連科半導(dǎo)體有限公司等單位完成的兩項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。

專家組一致認(rèn)為，“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項(xiàng)目，聯(lián)合了浙江大學(xué)等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw；開發(fā)了高精度控制軟件，實(shí)現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應(yīng)用后，經(jīng)濟(jì)、社會(huì)效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達(dá)到5cm以上。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

source：連城數(shù)控

“200mm 區(qū)熔硅單晶爐成套技術(shù)”項(xiàng)目，獨(dú)創(chuàng)了下主軸與密封內(nèi)襯分別由伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)并同步耦合控制的技術(shù)，及第二相機(jī)測量熔化流量的控制新思路，攻克了主軸高精密加工和裝配問題。形成了關(guān)鍵技術(shù)-樣機(jī)示范-產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的全鏈條技術(shù)體系。技術(shù)難度大、復(fù)雜程度高。項(xiàng)目技術(shù)已在有研半導(dǎo)體硅材料股份公司成功投產(chǎn)并穩(wěn)定運(yùn)行，技術(shù)重現(xiàn)性好、成熟度高。項(xiàng)目整體技術(shù)達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

2、 “增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅基復(fù)合材料及其部件”榮獲2025年日內(nèi)瓦國際發(fā)明展金獎(jiǎng)

“武漢理工大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，近期，第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展（The 50thInternational Exhibition of Inventions of Geneva）在瑞士日內(nèi)瓦舉行，武漢理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院副院長劉凱教授攜項(xiàng)目“增材制造復(fù)雜結(jié)構(gòu)高性能碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其部件”參展并榮獲金獎(jiǎng)。

source：武漢理工大學(xué)材料學(xué)院

據(jù)悉， 上述項(xiàng)目面向極端服役環(huán)境對高性能碳化硅陶瓷材料復(fù)雜構(gòu)件的制造需求，開展了材料-結(jié)構(gòu)-性能一體化增材制造研究。建立了高增材適應(yīng)性碳化硅復(fù)合粉末設(shè)計(jì)制備與激光增材制造工藝方法，研制了纖維增強(qiáng)碳化硅復(fù)合材料復(fù)雜構(gòu)件的增材制造技術(shù)與裝備，推動(dòng)了增材制造碳化硅陶瓷構(gòu)件在航空航天、能源化工、半導(dǎo)體裝備等領(lǐng)域的工程應(yīng)用。

項(xiàng)目相關(guān)成果已獲得多項(xiàng)國家發(fā)明專利授權(quán)，并在Journal of the European Ceramic Society、Journal of the American Ceramic Society、Composite Structures等期刊上發(fā)表系列論文。

3、結(jié)語

在“雙碳”目標(biāo)與智能制造升級(jí)的雙重需求下，碳化硅正深度賦能新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、5G通信等領(lǐng)域，推動(dòng)能源效率革命。上述碳化硅技術(shù)突破表明我國在半導(dǎo)體材料自主可控方面不斷努力并取得了新成就，隨著技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，未來中國以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體有望邁上新臺(tái)階。（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

source：芯干線科技

AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測試，順利通過某全球某一線AI服務(wù)器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。

3C消費(fèi)電子領(lǐng)域，芯干線為某全球一線手機(jī)品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增強(qiáng)型(E-mode)氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻150mΩ，DFN5x6封裝。

專業(yè)音頻領(lǐng)域，芯干線針對高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過國際一線品牌的認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

新能源儲(chǔ)能領(lǐng)域，芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲(chǔ)能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導(dǎo)通電阻，在導(dǎo)通電阻與動(dòng)態(tài)性能上均實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)大的提升。

展望2025，芯干線計(jì)劃將研發(fā)投入提升至營收的25%，重點(diǎn)突破車規(guī)級(jí)SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標(biāo)在新能源汽車功率半導(dǎo)體市場實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

據(jù)悉，中微公司此次簽約的微觀加工設(shè)備研發(fā)中心項(xiàng)目，將擴(kuò)大在南昌高新區(qū)的研發(fā)投入力度。

項(xiàng)目重點(diǎn)聚焦于多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，包括用于先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體制造相關(guān)設(shè)備與工藝的開發(fā)、第三代半導(dǎo)體（碳化硅和氮化鎵）功率器件相關(guān)制造設(shè)備與工藝的開發(fā)、Micro LED用MOCVD設(shè)備應(yīng)用推廣以及Mini LED用MOCVD設(shè)備性能提升等。這些研發(fā)方向不僅契合當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢，也體現(xiàn)了中微公司在高端微觀加工設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力和戰(zhàn)略布局。

公開資料顯示，在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，中微公司已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展。據(jù)悉，中微公司推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備PrismoPD5，目前已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗(yàn)證，并取得了重復(fù)訂單；其中微公司啟動(dòng)了SiC功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，并取得了較大的技術(shù)進(jìn)展。公司已將樣機(jī)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗(yàn)證，并正與多家客戶正在推進(jìn)合作。

source：中微半導(dǎo)體（圖為中微半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備）

值得關(guān)注的是，據(jù)中微公司2024年年度業(yè)績快報(bào)公告，公司2024年?duì)I業(yè)收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，刻蝕設(shè)備銷售約72.77億元，同比增長約54.73%；MOCVD設(shè)備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%；LPCVD設(shè)備2024年實(shí)現(xiàn)首臺(tái)銷售，全年設(shè)備銷售約1.56億元。

2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤約16.26億元，較上年同期減少8.93%。凈利潤下降的主要原因是2024年公司研發(fā)投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發(fā)投入占公司營業(yè)收入比例約為27.05%。

據(jù)成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局官微消息，在今年更早的2月18日，中微公司與成都高新區(qū)簽訂投資合作協(xié)議。中微公司將設(shè)立全資子公司——中微半導(dǎo)體設(shè)備（四川）有限公司，專注于高端邏輯及存儲(chǔ)芯片相關(guān)設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)，涵蓋化學(xué)氣相沉積設(shè)備、原子層沉積設(shè)備及其他關(guān)鍵設(shè)備。

同時(shí)，中微公司還將建設(shè)研發(fā)及生產(chǎn)基地暨西南總部項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計(jì)劃購地約50余畝，用于建設(shè)研發(fā)中心、生產(chǎn)制造基地、辦公用房及附屬配套設(shè)施，以滿足量產(chǎn)需求。項(xiàng)目擬于2025年啟動(dòng)建設(shè)，2027年正式投入生產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體 王琪 整理）

未來網(wǎng)絡(luò)、第三代半導(dǎo)體、創(chuàng)新藥研發(fā)為南京的“賽道名片”。

第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，南京已經(jīng)將第三代半導(dǎo)體納入戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，出臺(tái)專項(xiàng)政策扶持，江北新區(qū)等區(qū)域明確將第三代半導(dǎo)體作為重點(diǎn)發(fā)展方向，打造全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

科研攻堅(jiān)方面，依托南京大學(xué)、東南大學(xué)、南京理工大學(xué)等高校，南京持續(xù)推進(jìn)碳化硅器件、氮化鎵外延片等關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

其中，東南大學(xué)寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，致力于攻克GaN垂直結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)，導(dǎo)通電阻降低40%；南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，則在SiC MOSFET溝槽柵氧化層技術(shù)有所突破。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備，涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域！

SEMICON China 2025展會(huì)期間，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備新銳創(chuàng)企新凱來“首秀”，引發(fā)現(xiàn)場極大關(guān)注。新凱來展出了工藝裝備、量檢測裝備等全系列產(chǎn)品，并發(fā)布了五款新品，涉及先進(jìn)制程、第三代半導(dǎo)體等多個(gè)領(lǐng)域。

五款新品分別是：

EPI（峨眉山）：專攻先進(jìn)制程及第三代半導(dǎo)體。
ALD（阿里山）：支持5nm及更先進(jìn)制程。
PVD（普陀山）：金屬鍍膜精度微米級(jí)，已進(jìn)入國內(nèi)晶圓代工大廠驗(yàn)證階段。
ETCH（武夷山）：聚焦第三代半導(dǎo)體刻蝕。
CVD（長白山）：適配5nm，兼容多種制程節(jié)點(diǎn)。

據(jù)悉，EPI外延層是半導(dǎo)體制造中的重要技術(shù)，尤其是在先進(jìn)制程和第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。ETCH蝕刻是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一道相當(dāng)重要的步驟，是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝，目前主要由國際巨頭主導(dǎo)；CVD化學(xué)氣相沉積是半導(dǎo)體制造中需求量最大的設(shè)備之一，PVD物理氣相沉積、ALD原子層沉積等都是半導(dǎo)體制造工藝當(dāng)中非常重要的高端設(shè)備。

資料顯示，新凱來致力于半導(dǎo)體裝備及零部件、電子制造設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與服務(wù)，該公司核心團(tuán)隊(duì)具備20年以上電子設(shè)備技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)。近年，新凱來完成了全系列裝備開發(fā)，初步滿足邏輯、存儲(chǔ)等半導(dǎo)體制造企業(yè)的需求。截至2024年底，大部分裝備已經(jīng)取得突破，開始驗(yàn)證和應(yīng)用。

2、電科裝備大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案亮相

SEMICON China 2025期間，媒體聚焦電科裝備最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案進(jìn)行報(bào)道。

電科裝備經(jīng)過多年發(fā)展，電科裝備培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。

報(bào)道指出，該公司最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案采用最新激光剝離工藝進(jìn)行晶體切片，相較于傳統(tǒng)加工產(chǎn)線采用的多線切割晶體切片技術(shù)，激光剝離設(shè)備可以使激光聚焦在碳化硅晶體內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生一層裂紋，從而避免了傳統(tǒng)多線切割造成的切割線損，平均每片切割研磨損耗僅為原來的40%左右，顯著降低加工成本。

目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進(jìn)入用戶產(chǎn)線開展試驗(yàn)驗(yàn)證，并與多家頭部企業(yè)達(dá)成意向合作。

3、高測股份展示碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案

高測股份首次亮相該展會(huì)，帶來了公司聚焦晶圓加工制造環(huán)節(jié)，全面迭代布局的8英寸碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案。

在切割環(huán)節(jié)，高測股份2018年、2021年，先后推出針對半導(dǎo)體硅、碳化硅切割的金剛線切片專機(jī)，通過持續(xù)優(yōu)化切割工藝和參數(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)對不同尺寸、不同材質(zhì)晶圓的高精度切割，不斷提升線切的切割效率、切片質(zhì)量，降低材料損耗。

在倒角環(huán)節(jié)，高測股份2024年推出全自動(dòng)晶圓倒角機(jī)，采用獨(dú)特的雙工位獨(dú)立研磨設(shè)計(jì)，適用于4寸、6寸、8寸半導(dǎo)體晶圓材料的邊緣倒角加工。

source：高測股份

在研磨環(huán)節(jié)，高測股份全自動(dòng)減薄機(jī)采用In-feed加工原理，通過砂輪旋轉(zhuǎn)及垂直進(jìn)給對旋轉(zhuǎn)的晶圓進(jìn)行磨削加工，實(shí)現(xiàn)高精度、高剛性、高穩(wěn)定性、高效加工能力、低損傷加工，全面兼容6-8英寸晶圓磨削加工，表面粗糙度控制在3nm以下，滿足高端芯片制造對晶圓表面質(zhì)量的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。

在第三代半導(dǎo)體材料加工需求激增的背景下，針對市場對工藝整合與效率提升愈發(fā)迫切的訴求，高測股份“切、倒、磨”一體化方案全流程緊密銜接，從切割設(shè)備的高效切割，到倒角設(shè)備對晶圓邊緣的精細(xì)處理，再到減薄設(shè)備對晶圓表面的打磨拋光，實(shí)現(xiàn)了從原材料到成品的一站式加工。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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01新疆北屯40億元半導(dǎo)體材料項(xiàng)目簽約，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

據(jù)第十師北屯市公眾號(hào)消息，近日，新疆第十師北屯市與北京卓融和遠(yuǎn)科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“北京卓融和遠(yuǎn)科技”）正式簽約總投資40億元的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，標(biāo)志著該地區(qū)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步。

據(jù)了解，新疆北屯卓融和遠(yuǎn)半導(dǎo)體材料項(xiàng)目位于北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資40億元。項(xiàng)目選址北屯市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，將依托當(dāng)?shù)刎S富的礦產(chǎn)資源、區(qū)位優(yōu)勢及政策環(huán)境，重點(diǎn)發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及材料研發(fā)制造，涵蓋碳化硅（SiC）、金剛石等核心材料。

企查查顯示，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體有限公司間接持有北京卓融和遠(yuǎn)科技30%股權(quán)。江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體成立于2018年，是一家以創(chuàng)新開發(fā)為主導(dǎo)，以先進(jìn)技術(shù)為基石的第三代半導(dǎo)體高新科技企業(yè)。公司自成立以來一直專注于寬禁帶半導(dǎo)體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務(wù)有寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅SiC晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域的相關(guān)應(yīng)用。

02廣西梧州龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園開工，年產(chǎn)30噸合成碳化硅晶體

3月5日，廣西梧州市長洲區(qū)舉行重大項(xiàng)目集中開竣工活動(dòng)，其中龍新珠寶首飾產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目正式啟動(dòng)。該項(xiàng)目總投資約50億元，占地面積250畝，聚焦合成立方氧化鋯與合成碳化硅晶體材料生產(chǎn)，規(guī)劃年產(chǎn)1萬噸合成立方氧化鋯晶體及30噸合成碳化硅晶體，建成后將形成集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)加工、銷售貿(mào)易于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。

作為長洲區(qū)寶石產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心項(xiàng)目，產(chǎn)業(yè)園將引入智能化生產(chǎn)設(shè)備，推動(dòng)傳統(tǒng)珠寶加工向綠色化、高端化轉(zhuǎn)型。同時(shí)，項(xiàng)目將聯(lián)動(dòng)京東科技等企業(yè)，深化數(shù)字經(jīng)濟(jì)與實(shí)體經(jīng)濟(jì)融合，預(yù)計(jì)帶動(dòng)就業(yè)超千人，并為村級(jí)集體經(jīng)濟(jì)增收提供新路徑。長洲區(qū)政府表示，將通過“專班推進(jìn)+要素保障”模式，確保項(xiàng)目2025年內(nèi)投產(chǎn)見效。

03元山電子啟動(dòng)二期車規(guī)級(jí)SiC項(xiàng)目，加速國產(chǎn)碳化硅模組量產(chǎn)

據(jù)“濟(jì)南報(bào)業(yè)時(shí)政融媒”報(bào)道，2月24日，元山（濟(jì)南）電子科技有限公司（以下簡稱“元山電子”）投資建設(shè)的車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組自動(dòng)化產(chǎn)線”已取得新的進(jìn)展。該項(xiàng)目的一期試線建設(shè)已全面完成，二期正加快建設(shè)，今年一季度完成自動(dòng)化產(chǎn)線搭建并開始投產(chǎn)。

此前2024年12月，元山電子宣布車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷，標(biāo)志著其二期項(xiàng)目進(jìn)入投產(chǎn)沖刺階段。該項(xiàng)目總投資3億元，規(guī)劃建設(shè)60萬只碳化硅功率模塊產(chǎn)線，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值超5億元，可滿足新能源汽車、儲(chǔ)能、光伏等領(lǐng)域的高功率需求。

在2024年12月元山電子車規(guī)級(jí)碳化硅功率模組全自動(dòng)量產(chǎn)線設(shè)備完成搬遷的同時(shí)，晶能微電子的車規(guī)級(jí) Si/SiC 封測產(chǎn)線擴(kuò)建項(xiàng)目（總投資超億元）也在同期推進(jìn)，雙方通過技術(shù)互補(bǔ)與產(chǎn)能協(xié)同，加速國產(chǎn)碳化硅模組的規(guī)?；瘧?yīng)用。

公開資料顯示，元山電子成立于2020年，專注于碳化硅模組研發(fā)，其產(chǎn)品性能已達(dá)國內(nèi)領(lǐng)先水平。此次二期項(xiàng)目將進(jìn)一步優(yōu)化工藝，引入全自動(dòng)封裝技術(shù)，提升車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的可靠性與一致性。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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其中，杭州高裕電子科技股份有限公司的第三代半導(dǎo)體可靠性測試設(shè)備生產(chǎn)基地項(xiàng)目備受矚目。該項(xiàng)目預(yù)計(jì)在未來三年實(shí)現(xiàn)營收超7.5億元，將有力推動(dòng)杭州在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)的技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

杭州高裕電子科技股份有限公司成立于2009年10月16日，注冊資本5250萬元人民幣，是國內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件可靠性試驗(yàn)設(shè)備、測試設(shè)備研制及元器件可靠性整體解決方案集成商。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于國防電子工業(yè)和國內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)等，已在行業(yè)內(nèi)樹立起良好口碑。

該公司業(yè)務(wù)范圍全面覆蓋電子元器件可靠性試驗(yàn)設(shè)備與測試設(shè)備研制，除主機(jī)設(shè)備及試驗(yàn)電源、老化測試板、老化測試座等相關(guān)配件銷售外，還為客戶定制自動(dòng)化老化測試產(chǎn)線，并提供第三方可靠性測試、失效分析和技術(shù)咨詢服務(wù)，構(gòu)建了完整的產(chǎn)業(yè)服務(wù)生態(tài)。

隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新焦點(diǎn)，高裕電子在杭州西湖區(qū)建設(shè)的生產(chǎn)基地將進(jìn)一步提升其在半導(dǎo)體可靠性測試領(lǐng)域的競爭力，助力杭州在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)賽道上再進(jìn)一步，推動(dòng)區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完善與升級(jí)，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新與高質(zhì)量發(fā)展貢獻(xiàn)力量。（集邦化合物半導(dǎo)體viki整理）

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據(jù)介紹，美迪凱微電子的年產(chǎn)20億顆（件、套）半導(dǎo)體器件建設(shè)項(xiàng)目和美迪凱光學(xué)半導(dǎo)體的半導(dǎo)體晶圓制造及封測項(xiàng)目都在按計(jì)劃推進(jìn)；公司射頻芯片主要為設(shè)計(jì)公司代工，Normal SAW、TC-SAW、TF-SAW均已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，包括晶圓制造和封裝測試；BAW項(xiàng)目諧振器收集已完成，已開始全流程樣品試做；公司第三代半導(dǎo)體封測已實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

官網(wǎng)資料顯示，杭州美迪凱光電科技股份有限公司成立于2010年8月，是一家從事光學(xué)光電子、半導(dǎo)體光學(xué)、半導(dǎo)體微納電路、智能終端的研發(fā)、制造和銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的趨勢下，封測領(lǐng)域不時(shí)傳出廠商新動(dòng)態(tài)，近期三菱電機(jī)、晶能微電子等企業(yè)都披露了新進(jìn)展。

11月20日，據(jù)三菱電機(jī)官網(wǎng)消息，三菱電機(jī)將投資約100億日元（約4.67億人民幣）在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測試工廠。該工廠最初于2023年3月14日宣布，預(yù)計(jì)于2026年10月開始運(yùn)營。

另據(jù)溫嶺發(fā)布消息，近日，晶能微電子車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測基地二期項(xiàng)目正式開工。據(jù)悉，2023年5月，溫嶺新城開發(fā)區(qū)與晶能微電子簽約車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測基地項(xiàng)目，項(xiàng)目共分兩期實(shí)施建設(shè)。其中，一期擴(kuò)建項(xiàng)目主要建設(shè)一條車規(guī)級(jí)Si/SiC器件先進(jìn)封裝產(chǎn)線，已于今年7月正式投產(chǎn)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：投資順義

據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資6.3億元，占地60畝，總建筑面積6.47萬平方米，2023年8月開工建設(shè)，主要建設(shè)內(nèi)容包含2棟生產(chǎn)廠房、2棟綜合配套建筑、6棟危化品庫房、1棟動(dòng)力中心以及地下車庫等11棟單體建筑。

該項(xiàng)目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體企業(yè)的研發(fā)、生產(chǎn)、制造及應(yīng)用等多個(gè)環(huán)節(jié)，致力于實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全鏈條的覆蓋，包括設(shè)計(jì)、晶圓加工、襯底和外延制備以及設(shè)備和材料的研發(fā)。

近年來，北京順義區(qū)加速發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。2023年2月，北京順義區(qū)印發(fā)《順義區(qū)進(jìn)一步促進(jìn)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（以下簡稱：措施），加快打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。措施適用于從事第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體領(lǐng)域襯底、外延、芯片設(shè)計(jì)/制造環(huán)節(jié)，封裝測試以及關(guān)鍵裝備和芯片直接應(yīng)用的企業(yè)、事業(yè)單位、社會(huì)團(tuán)體、民辦非企業(yè)等機(jī)構(gòu)。

在項(xiàng)目建設(shè)方面，順義區(qū)規(guī)劃建設(shè)總面積約20萬平方米的三代半標(biāo)廠，第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（一期）7.4萬平方米科創(chuàng)芯園壹號(hào)已投入使用，聚集了瑞能、特思迪、漠石科技、金冠電氣、清能智聯(lián)等三代半企業(yè)入駐。

截至目前，順義區(qū)初步形成了從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了國聯(lián)萬眾、泰科天潤、瑞能半導(dǎo)體、特思迪等重點(diǎn)企業(yè)20余家。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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