国产亚洲三区四区精品无码,成人午夜大片一级试看10分钟,成aⅴ人免费观看中文字幕 http://www.teatotalar.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Wed, 16 Aug 2023 01:55:20 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 10億！基于立琻第三代半導(dǎo)體的首條紫外LED產(chǎn)線正式量產(chǎn) http://www.teatotalar.com/Opto/newsdetail-65011.html Mon, 14 Aug 2023 09:35:03 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=65011 據(jù)太倉(cāng)日?qǐng)?bào)報(bào)道，日前，蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“立琻半導(dǎo)體”）基于第三代半導(dǎo)體的首條紫外光源芯片產(chǎn)線正式量產(chǎn)。該產(chǎn)線正式量產(chǎn)后，年產(chǎn)芯片可達(dá)1.2萬(wàn)片，年產(chǎn)值超億元。

據(jù)了解，立琻半導(dǎo)體化合物半導(dǎo)體光電器件研發(fā)制造基地位于江蘇太倉(cāng)高新區(qū)，一期投資10億元，于去年11月正式落成，打造化合物半導(dǎo)體光電器件研發(fā)制造基地，主要產(chǎn)品包括高效紫外LED、紅外VCSEL、車用LED等高性能半導(dǎo)體光電器件。

資料顯示，立琻半導(dǎo)體成立于2021年3月，主要產(chǎn)品包括紫外高功率半導(dǎo)體光源芯片、像素化矩陣式智能車燈光源芯片等。公司在2023年3月完成近億元A輪融資，由中鑫資本領(lǐng)投，這是其繼去年7月獲得LG Innotek入股以來(lái)又一筆融資。

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根據(jù)立琻半導(dǎo)體資料顯示，其成功收購(gòu)世界500強(qiáng)LG的光電化合物半導(dǎo)體事業(yè)部資產(chǎn)，包括近萬(wàn)件專利（其中90%為海外專利）、相關(guān)技術(shù)與成套工藝設(shè)備，并在2022年3月完成交割，成為國(guó)內(nèi)擁有化合物半導(dǎo)體高價(jià)值專利數(shù)最多的公司之一。

近年來(lái)，立琻半導(dǎo)體積極把握當(dāng)前汽車產(chǎn)業(yè)“新能源化和智能化”的發(fā)展契機(jī)，布局汽車下一代光電芯片的研發(fā)與車規(guī)級(jí)芯片制造，通過(guò)布局InGaN（銦鎵氮）基像素化矩陣式智能車大燈光源芯片、AlGaN（鋁鎵氮）基高效大功率深紫外光源芯片、GaAs （砷化鎵）基紅外激光雷達(dá)芯片三款光電芯片產(chǎn)品，加快推進(jìn)汽車向智能化方向發(fā)展。

據(jù)立琻半導(dǎo)體芯片技術(shù)總監(jiān)劉樂(lè)功介紹，InGaN基像素化矩陣式智能車大燈光源芯片的自主研發(fā)工作正有序推進(jìn)，今年年底將給下游客戶提供樣品。

在此基礎(chǔ)上，立琻半導(dǎo)體還聯(lián)合中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所建立AlGaN基深紫外大功率高效LED聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，并與材料科學(xué)姑蘇實(shí)驗(yàn)室共同研發(fā)，攻克深紫外LED產(chǎn)業(yè)化的共性關(guān)鍵技術(shù)。

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]]> 團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《室內(nèi)紫外LED誘蚊燈性能要求》正式發(fā)布 http://www.teatotalar.com/uv-led/newsdetail-57232.html Tue, 29 Jun 2021 03:09:25 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=57232 據(jù)晶能光電微信公眾號(hào)今（29）日消息，6月28日，《室內(nèi)紫外LED誘蚊燈性能要求》CSA團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布。

該標(biāo)準(zhǔn)由晶能光電牽頭，寧波大央科技、佛山照明、漢華光電子以及中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、國(guó)星光電、立達(dá)信、鴻利智匯、珈偉新能等共同提案。標(biāo)準(zhǔn)于2020年6月立項(xiàng)，并確定聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)為T/CSA 073-202X。

該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了紫外LED誘蚊燈的技術(shù)要求和試驗(yàn)方法，適用于各種室內(nèi)場(chǎng)所光源峰值波長(zhǎng)范圍為365nm~400nm的紫外LED誘蚊燈，氣味、溫度、二氧化碳等輔助LED紫外誘蚊方式的誘蚊燈，可以參考使用。

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據(jù)悉，紫外LED誘蚊燈作為一種現(xiàn)有的蚊蟲防控技術(shù)，在我國(guó)的商用以及家用市場(chǎng)具有廣泛的應(yīng)用。目前我國(guó)商用誘蚊燈的年出貨量在每年1000萬(wàn)臺(tái)以上，其光源主要以傳統(tǒng)CCFL燈管為主；家用市場(chǎng)的年出貨量為3000萬(wàn)臺(tái)以上，光源主要以365nm以上的紫外LED光源為主。預(yù)計(jì)到2025年，紫外LED誘蚊燈的市場(chǎng)替換率將達(dá)到90%。

但鑒于之前沒(méi)有紫外LED誘蚊燈的標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，市場(chǎng)出現(xiàn)了各種粗制濫造的低劣產(chǎn)品，影響了紫外LED誘蚊燈的市場(chǎng)，嚴(yán)重制約了紫外LED誘蚊燈產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。本團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，有助于進(jìn)一步規(guī)范室內(nèi)紫外LED誘蚊燈的產(chǎn)品質(zhì)量，推動(dòng)市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)。（LEDinside整理）

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]]> 科研人員利用多元合金超晶格研制高光效紫外LED http://www.teatotalar.com/uv-led/newsdetail-57048.html Fri, 11 Jun 2021 02:47:58 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=57048 全球128個(gè)國(guó)家簽署的《聯(lián)合國(guó)水俁公約》已于2017年8月在中國(guó)正式生效，條約明令各國(guó)從2020年起禁止生產(chǎn)及進(jìn)出口各種含有汞的制品，傳統(tǒng)汞燈將被禁止生產(chǎn)和銷售。發(fā)展環(huán)保節(jié)能的新型紫外固態(tài)光源，替代目前應(yīng)用廣泛的紫外汞燈，已成為殺菌消毒和固化曝光領(lǐng)域迫切的需要?；诘谌雽?dǎo)體材料AlGaN的紫外LED對(duì)肆虐的新型冠狀病毒具有明顯的殺滅效果，因而得到國(guó)內(nèi)外各界的高度關(guān)注。

不同于成熟的藍(lán)光LED，由于紫外LED的核心材料具有更低的In含量和更高的Al含量，這使得外延層缺陷密度高、p-AlGaN材料中空穴濃度低、極化效應(yīng)強(qiáng)、載流子輸運(yùn)不平衡等問(wèn)題極為突出。因此，紫外LED的發(fā)光效率仍遠(yuǎn)低于成熟的藍(lán)光LED。當(dāng)發(fā)光波長(zhǎng)低于370nm時(shí)，紫外LED更是面臨著發(fā)光效率驟降的難題，成為阻礙其高端應(yīng)用的最大障礙。

針對(duì)以上問(wèn)題，廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所先進(jìn)材料平臺(tái)從材料生長(zhǎng)和器件設(shè)計(jì)兩方面對(duì)紫外LED展開了較系統(tǒng)深入的技術(shù)研發(fā)。

首先，采用MOCVD精細(xì)生長(zhǎng)模式調(diào)控技術(shù)成功制備出高質(zhì)量AlGaN材料和高內(nèi)量子效率的AlGaN量子阱；同時(shí)，研究人員采用極化場(chǎng)調(diào)控技術(shù)和能帶工程，將多元合金p-AlInGaN/AlGaN短周期超晶格材料（SPSL）引入到AlGaN基紫外LED的電子阻擋層（EBL）結(jié)構(gòu)中，成功研制出高內(nèi)量子效率的紫外LED器件。

結(jié)果表明SPSL-EBL能改善紫外LED器件的載流子傳輸特性，降低器件的開啟電壓，使得發(fā)光波長(zhǎng)在368 nm的紫外LED器件發(fā)光效率比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提高了101.6%，此項(xiàng)研究將會(huì)為高效率的全固態(tài)紫外光源的研發(fā)開辟新路徑。

以上部分工作結(jié)果近日發(fā)表于國(guó)際權(quán)威期刊《Journal of Materials Chemistry C》。

圖1 (a) 基于p-AlInGaN/AlGaN SPSL-EBL的紫外LED器件結(jié)構(gòu)示意圖；
(b) 368 nm紫外LED外延片（左）和晶圓上的芯片照片（右）。

 

圖2 (a)- (d)和(e)- (h)分別為傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)和基于SPSL-EBL結(jié)構(gòu)的紫外LED截面STEM圖，
兩種樣品的晶體質(zhì)量良好，各異質(zhì)結(jié)界面清晰；
(j)和(k)分別為傳統(tǒng)紫外LED基于SPSL紫外LED在200mA正向電流注入下的點(diǎn)亮照片，
芯片B的紫外光功率相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的紫外LED提高了101.6%

來(lái)源：廣東省科學(xué)院

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