天岳先進(jìn)上半年扭虧為盈

天岳先進(jìn)2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，天岳先進(jìn)實(shí)現(xiàn)營收9.12億元，同比增長108.27%；歸母凈利潤1.02億元，同比扭虧為盈。

產(chǎn)品方面，目前，天岳先進(jìn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸半絕緣型襯底、4英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的批量供應(yīng)，主要客戶包括國內(nèi)外電力電子器件、5G通信、汽車電子等領(lǐng)域知名客戶。

產(chǎn)能布局方面，天岳先進(jìn)目前已形成山東濟(jì)南、濟(jì)寧碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地。上海臨港智慧工廠已于2023年5月實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品交付，是其導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。

技術(shù)研發(fā)方面，天岳先進(jìn)設(shè)有碳化硅半導(dǎo)體材料研發(fā)技術(shù)國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家級(jí)博士后科研工作站、山東省碳化硅材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等國家和省級(jí)研發(fā)平臺(tái)，承擔(dān)了一系列國家和省部級(jí)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。其子公司上海天岳與長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心、上海長三角技術(shù)創(chuàng)新研究院共建了“長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心-天岳半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新中心”，共同推動(dòng)碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)。

關(guān)于業(yè)績?cè)鲩L原因，天岳先進(jìn)表示，報(bào)告期內(nèi)，得益于碳化硅半導(dǎo)體材料在新能源汽車及風(fēng)光儲(chǔ)等應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透，下游應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大，終端對(duì)高品質(zhì)、車規(guī)級(jí)產(chǎn)品的需求旺盛。其導(dǎo)電型產(chǎn)品產(chǎn)能產(chǎn)量持續(xù)提升，產(chǎn)品交付能力持續(xù)增加，隨著新建產(chǎn)能的利用率提升，產(chǎn)能規(guī)模的擴(kuò)大，盈利能力提高。

納芯微上半年實(shí)現(xiàn)營收8.49億元，同比增長17.30%

納芯微2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，納芯微實(shí)現(xiàn)營收8.49億元，同比增長17.30%；歸母凈利潤-2.65億元，歸母扣非凈利潤-2.86億元。

關(guān)于營收增長原因，納芯微表示，隨著下游汽車電子領(lǐng)域需求穩(wěn)健增長，其汽車電子領(lǐng)域相關(guān)產(chǎn)品持續(xù)放量，以及消費(fèi)電子領(lǐng)域景氣度的持續(xù)改善，其實(shí)現(xiàn)營收同比增長。

關(guān)于凈利潤下滑，納芯微表示，受整體宏觀經(jīng)濟(jì)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇的影響，其產(chǎn)品售價(jià)承壓，毛利率較上年同期有所下降；同時(shí)，其在市場(chǎng)開拓、供應(yīng)鏈體系建設(shè)、產(chǎn)品質(zhì)量管理、人才建設(shè)等多方面資源投入的積累，使得公司銷售費(fèi)用、管理費(fèi)用同比上升。

納芯微是一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司，產(chǎn)品涵蓋傳感器、信號(hào)鏈和電源管理三大領(lǐng)域，被廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子場(chǎng)景，其中泛能源領(lǐng)域主要是指圍繞能源系統(tǒng)的工業(yè)類應(yīng)用，從發(fā)電端、到輸電、到配電、再到用電端的各個(gè)領(lǐng)域，包括光伏儲(chǔ)能、模塊電源、工控、電力電子等。

納芯微以信號(hào)鏈技術(shù)為基礎(chǔ)，在模擬及混合信號(hào)領(lǐng)域開展了自主研發(fā)工作，并在傳感器、信號(hào)鏈、電源與驅(qū)動(dòng)、化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域形成了多項(xiàng)核心技術(shù)，上述核心技術(shù)均已應(yīng)用于其主要產(chǎn)品。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，納芯微的碳化硅二極管基于混合式PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了1200V系列產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓<1.4V,極低的反向漏電流uA級(jí)，額定電流10倍以上的抗浪涌電流能力；碳化硅MOSFET器件基于平面柵工藝，推出新一代自對(duì)準(zhǔn)高電流密度產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的比導(dǎo)通電阻參數(shù)<4mohm2，損耗更低，同時(shí)兼容15V/18V驅(qū)動(dòng)電壓。該技術(shù)常用于光伏、儲(chǔ)能、充電樁、電動(dòng)汽車充電機(jī)、主驅(qū)動(dòng)等電力電子場(chǎng)景，用以降低系統(tǒng)損耗、成本及體積等參數(shù)。

揚(yáng)杰科技上半年碳化硅等產(chǎn)品訂單和出貨量同比增長

揚(yáng)杰科技2024年半年度報(bào)告數(shù)顯示，2024年上半年，揚(yáng)杰科技實(shí)現(xiàn)營收28.65億元，同比增長9.16%；歸母凈利潤4.25億元，同比增長3.43%；歸母扣非凈利潤4.22億元，同比增長3.04%。

揚(yáng)杰科技致力于功率半導(dǎo)體硅片、芯片及器件設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等中高端領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，其主營產(chǎn)品主要分為三大板塊，具體包括材料板塊（單晶硅棒、硅片、外延片）、晶圓板塊（5英寸、6英寸、8英寸等各類電力電子器件芯片）及封裝器件板塊（MOSFET、IGBT、SiC系列產(chǎn)品、整流器件、保護(hù)器件、小信號(hào)及其他產(chǎn)品系列等），產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、5G通訊、安防、工業(yè)、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。

報(bào)告期內(nèi)，揚(yáng)杰科技不斷加大Mosfet、IGBT、SiC等產(chǎn)品在工業(yè)、光伏儲(chǔ)能、新能源汽車、人工智能等市場(chǎng)的推廣力度，整體訂單和出貨量較去年同期提升。

上半年，揚(yáng)杰科技針對(duì)新能源汽車控制器應(yīng)用，重點(diǎn)解決了低電感封裝、多芯片均流、銅線互連、銀燒結(jié)等關(guān)鍵技術(shù)，研制了750V/820A IGBT模塊、1200V/2mΩ三相橋SiC模塊。

宏微科技上半年實(shí)現(xiàn)營收6.37億元，首款1200V碳化硅MOSFET芯片研制成功

宏微科技2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，宏微科技實(shí)現(xiàn)營收6.37億元，同比下滑16.72%；歸母凈利潤0.03億元，同比下滑95.98%。

宏微科技從事IGBT、FRD為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，并為客戶提供功率半導(dǎo)體器件的解決方案。

報(bào)告期內(nèi)，宏微科技產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRD、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品300余種，IGBT、FRD、MOSFET、整流二極管及晶閘管等灌封和塑封模塊產(chǎn)品600余種，應(yīng)用于工業(yè)控制（變頻器、伺服電機(jī)、UPS及各種開關(guān)電源等），新能源發(fā)電（光伏逆變器、風(fēng)能變流器和電能質(zhì)量管理）、新能源汽車（電控系統(tǒng)、充電樁和OBC、DC電源）等領(lǐng)域。

在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，宏微科技布局了SiC芯片和封裝業(yè)務(wù)，相關(guān)的SiC模塊已批量應(yīng)用于新能源等行業(yè)。

業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，宏微科技首款1200V SiC MOSFET芯片已研制成功，自主研發(fā)的SiC SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）芯片已經(jīng)通過可靠性驗(yàn)證，并已通過終端客戶驗(yàn)證；其新能源汽車碳化硅模塊1款產(chǎn)品在整機(jī)客戶端認(rèn)證中，1款產(chǎn)品工藝調(diào)試中；不間斷電源（UPS）系統(tǒng)定制的三電平SiC混合模塊已經(jīng)完成開發(fā)，已經(jīng)開始批量供貨；SiC混合封裝光伏用模塊已突破100萬只。

中微公司上半年?duì)I收增長36.46%，碳化硅功率器件外延生產(chǎn)設(shè)備開展驗(yàn)證測(cè)試

中微公司2024年半年度報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，2024年上半年，中微公司實(shí)現(xiàn)營收34.48億元，同比增長36.46%；歸母凈利潤5.17億元，同比下滑48.48%；歸母扣非凈利潤4.83億元，同比下滑6.88%。

中微公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，通過向下游集成電路、LED外延片、先進(jìn)封裝、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件及服務(wù)實(shí)現(xiàn)收入和利潤。

報(bào)告顯示，中微公司本期刻蝕設(shè)備收入為26.98億元，較上年同期增長約56.68%，刻蝕設(shè)備占營業(yè)收入的比重由上年同期的68.16%提升至本期的78.26%。其另一重要產(chǎn)品MOCVD設(shè)備本期收入1.52億元，較上年同期減少約49.04%。

上半年，中微公司積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器件應(yīng)用的市場(chǎng)，并在Micro-LED和其他顯示領(lǐng)域的專用MOCVD設(shè)備開發(fā)上取得良好進(jìn)展，已付運(yùn)和將付運(yùn)幾種MOCVD新產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)。此外，本期其新產(chǎn)品LPCVD設(shè)備實(shí)現(xiàn)首臺(tái)銷售，收入0.28億元。

目前，中微公司用于碳化硅功率器件外延生產(chǎn)的設(shè)備正在開發(fā)中，已付運(yùn)樣機(jī)至國內(nèi)領(lǐng)先客戶開展驗(yàn)證測(cè)試；下一代用于氮化鎵功率器件制造的MOCVD設(shè)備也正在按計(jì)劃開發(fā)中。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：納芯微

據(jù)介紹，納芯微的SiC MOSFET具有RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動(dòng)電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動(dòng)汽車（EV）OBC/DC-DC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）以及不間斷電源（UPS）等領(lǐng)域。

據(jù)悉，為了提供更可靠的SiC MOSFET產(chǎn)品，納芯微在SiC芯片生產(chǎn)過程中施行嚴(yán)格的質(zhì)量控制，所有SiC產(chǎn)品做到100%靜態(tài)電參數(shù)測(cè)試，100%抗雪崩能力測(cè)試。此外，會(huì)執(zhí)行比AEC-Q101更加嚴(yán)格的測(cè)試條件來驗(yàn)證產(chǎn)品可靠性。

作為一家高性能高可靠性模擬及混合信號(hào)芯片公司，納芯微自2013年成立以來，聚焦傳感器、信號(hào)鏈、電源管理三大方向，提供半導(dǎo)體產(chǎn)品及解決方案，并被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、信息通訊及消費(fèi)電子領(lǐng)域。

2023年，納芯微開始布局SiC產(chǎn)業(yè)并于當(dāng)年7月推出1200V系列SiC二極管產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現(xiàn)出卓越的效率特性，能夠滿足中高壓系統(tǒng)的需求。

據(jù)介紹，納芯微的SiC二極管采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)的JBS結(jié)構(gòu)相比，具有較大優(yōu)勢(shì)。MPS結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)構(gòu)在大電流下更容易開啟，通過向高電阻的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子形成電導(dǎo)調(diào)節(jié)效應(yīng)，從而降低漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻。在保持器件正向?qū)妷翰蛔兊那闆r下，器件的抗浪涌電流能力得到增強(qiáng)。

同時(shí)，納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向?qū)妷簩?shí)測(cè)典型值為1.39V，而單次浪涌電流的實(shí)測(cè)典型值可以達(dá)到220A，是正向額定電流的11倍，性能優(yōu)于行業(yè)水平。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，納芯微全新推出的1200V系列SiC二極管產(chǎn)品專為光伏、儲(chǔ)能、充電等工業(yè)場(chǎng)景而設(shè)計(jì)，具有更低的正向?qū)妷?，在面?duì)瞬態(tài)高電流沖擊時(shí)，具備更強(qiáng)的抗浪涌能力。其在單相或三相PFC、隔離或非隔離型DC-DC電路中均能展現(xiàn)出出色的效率特性，可完美滿足中高壓系統(tǒng)的需求。

納芯微SiC二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)示意圖

隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)先，汽車業(yè)務(wù)成績亮眼

納芯微成立于2013年，專注于高性能高可靠性模擬芯片的研發(fā)與設(shè)計(jì)，產(chǎn)品主要聚焦傳感器、信號(hào)鏈和電源管理三大方向，廣泛應(yīng)用于汽車、泛能源及消費(fèi)電子領(lǐng)域。目前，納芯微已能提供1400余款可供銷售的產(chǎn)品型號(hào)。

據(jù)了解，納芯微的數(shù)字隔離芯片和驅(qū)動(dòng)技術(shù)具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，其是國內(nèi)較早規(guī)模量產(chǎn)數(shù)字隔離芯片的企業(yè)，也是國內(nèi)首家通過VDE增強(qiáng)隔離認(rèn)證的芯片公司，公司所有隔離芯片品類均有型號(hào)通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證。目前，納芯微的隔離器件已進(jìn)入汽車電子、工業(yè)控制、通信電源等各行業(yè)一線客戶的供應(yīng)體系并實(shí)現(xiàn)批量供貨。此外，納芯微也是國內(nèi)較早布局車規(guī)級(jí)芯片的企業(yè)，產(chǎn)品已在大量主流整車廠商/汽車一級(jí)供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)批量裝車。

值得注意的是，目前，汽車電子領(lǐng)域是納芯微增速最快的一個(gè)賽道。據(jù)納芯微電子CEO王升楊在“納芯微十周年暨2023媒體溝通會(huì)”上透露，2022年納芯微汽車電子的營收占比從2021年的不到10%增長到23.13%。同時(shí)，考慮到公司的營收在2022年實(shí)現(xiàn)了90%以上的增長，這意味著納芯微汽車電子在過去一年取得了約4倍的營收增長。

目前，納芯微在汽車應(yīng)用領(lǐng)域主要布局兩方面，一是圍繞汽車的電動(dòng)化趨勢(shì)來做產(chǎn)品布局，主要集中在新能源汽車的三電和熱管理領(lǐng)域；二是圍繞汽車的智能化趨勢(shì)做產(chǎn)品布局，主要集中在智能座艙、自動(dòng)駕駛、整車域控、智慧照明等領(lǐng)域。其隔離和驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品主要應(yīng)用于OBC、DC-DC、主電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS和熱管理系統(tǒng)。

王升楊當(dāng)時(shí)表示，納芯微已量產(chǎn)的產(chǎn)品在一輛高端的新能源汽車上，大概可實(shí)現(xiàn)超過400元的單車價(jià)值量。并且，納芯微將持續(xù)拓展新產(chǎn)品及應(yīng)用，進(jìn)一步提升單車價(jià)值量，預(yù)計(jì)在2025年前，納芯微可量產(chǎn)的產(chǎn)品單車價(jià)值量能突破2000元。

協(xié)同優(yōu)勢(shì)明顯，SiC賽道有望后來者居上

作為模擬芯片的研發(fā)設(shè)計(jì)商，納芯微原本沒有涉足SiC領(lǐng)域，如今推出SiC系列產(chǎn)品，印證了其在積極開發(fā)新產(chǎn)品及相關(guān)應(yīng)用，也意味著SiC領(lǐng)域又新增了一個(gè)玩家。

近年來，SiC下游需求旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展迅猛，從應(yīng)用來看，以新能源汽車領(lǐng)域的需求和發(fā)展最為強(qiáng)勁。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》顯示，SiC功率元件的第一大應(yīng)用為新能源汽車，市場(chǎng)規(guī)模在2022年已達(dá)到10.9億美元，占整體SiC功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值約67.4%。

據(jù)納芯微介紹，新能源汽車的趨勢(shì)是采用800V電氣架構(gòu)+SiC功率器件，這兩大趨勢(shì)對(duì)隔離IC和驅(qū)動(dòng)IC提出了新的更高的要求，而納芯微具備競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng)的隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)。

隔離方面，納芯微采用基于容耦的電容隔離技術(shù)。相比光耦，容耦的傳輸速率更高，容易達(dá)到Mbps以上的通信速率，工作溫度范圍更寬。

納芯微指出，SiC器件對(duì)數(shù)字隔離器的要求是開關(guān)頻率變高了，傳輸速率也要提升，共模抑制能力至少要大于100kV/微秒，而納芯微的隔離器件可以達(dá)到150kV甚至200kV的水平。同時(shí)，在新一代電驅(qū)動(dòng)開發(fā)平臺(tái)中，在選擇合適的SiC功率管驅(qū)動(dòng)芯片時(shí)，CMTI、寬柵極電壓擺幅、大峰值輸出電流、快速上升下降時(shí)間，以及快速短路保護(hù)、軟關(guān)斷能力，都是需要考慮的隔離驅(qū)動(dòng)芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。

目前，在新能源汽車電驅(qū)動(dòng)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用方面，納芯微已量產(chǎn)NSi6611和NSi6651智能保護(hù)增強(qiáng)型隔離驅(qū)動(dòng)，以及增強(qiáng)型數(shù)字隔離器、增強(qiáng)型的隔離采樣等隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。除了驅(qū)動(dòng)外，納芯微三電系統(tǒng)總線的電壓或電流隔離采樣NSi1311和NSi1300等已擁有較高的市場(chǎng)占有率。

從目前來看，納芯微將在SiC這一新賽道蓄勢(shì)待發(fā)，SiC業(yè)務(wù)有望與其在隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)領(lǐng)域形成協(xié)同效應(yīng)，幫助更快拓展SiC車用市場(chǎng)，隨著車規(guī)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)品的上市和應(yīng)用，納芯微未來在汽車市場(chǎng)的市占率和影響力將進(jìn)一步提升。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Jenny）

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