source：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

村田表示，利用GaN HEMT的高速開關(guān)工作、低寄生電容以及零反向恢復(fù)特性，可將對開關(guān)損耗的影響控制到最小，還可提高開關(guān)轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，且可靠性也很高，用在村田的AI服務(wù)器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來，公司將通過繼續(xù)與在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域優(yōu)勢顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會課題貢獻(xiàn)力量。

氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借其高頻、高效、高功率密度等特性，正在AI服務(wù)器市場中扮演越來越重要的角色。

氮化鎵在AI服務(wù)器中主要用于電源管理系統(tǒng)，特別是DC-DC（直流-直流）轉(zhuǎn)換器。隨著AI服務(wù)器功率密度從300W提升至1700W，傳統(tǒng)硅基器件難以滿足高效能需求，而氮化鎵可將能耗降低50%，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率。

AI服務(wù)器對機(jī)柜功率要求從30-40kW增至100kW，氮化鎵的高功率密度特性使其能在更小體積下實(shí)現(xiàn)更高性能，降低散熱需求，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心空間利用率。

此外，氮化鎵的快速開關(guān)速度（比硅基快10倍以上）可提升服務(wù)器響應(yīng)速度，滿足AI推理場景的實(shí)時(shí)性需求，例如圖像識別和自然語言處理。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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日本羅姆半導(dǎo)體因面臨嚴(yán)峻財(cái)務(wù)形勢，將對高層進(jìn)行調(diào)整；Wolfspeed在2025財(cái)年第一財(cái)季營收下滑、凈虧損嚴(yán)重，為此啟動4.5億美元的設(shè)施關(guān)閉和整合計(jì)劃；住友電工受電動車需求低迷影響，取消了原計(jì)劃投資300億日元、于2027年投產(chǎn)的碳化硅晶圓新廠興建計(jì)劃，還可能對半導(dǎo)體產(chǎn)品線做出調(diào)整。

羅姆：高層發(fā)生變動，SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高目標(biāo)延期

日本羅姆半導(dǎo)體（ROHM）1月17日宣布，將在2025財(cái)年伊始（今年4月1日）更換社長，由目前的董事會成員東克己（Katsumi Higigashi）取代松本功（Isao Matsumoto）擔(dān)任CEO，松本功轉(zhuǎn)任顧問。

羅姆此次的CEO變動，源于公司目前面臨的嚴(yán)峻財(cái)務(wù)形勢。2024年11月，羅姆在2024財(cái)年中期財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì)，全年業(yè)績將出現(xiàn)60億日元的凈虧損，這是自2012財(cái)年以來，羅姆首次面臨全財(cái)年虧損。

總體而言，羅姆2024財(cái)年上半年（2024年4月至9月）期間實(shí)現(xiàn)營收2320億日元（約合人民幣109.04億），同比下滑3%。

羅姆原計(jì)劃在2021-2027年針對碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)投資5100億日元（約合人民幣239.7億），現(xiàn)降至4700億-4800億日元（約合人民幣220.9億-225.6億）。其中2024財(cái)年投資額降至1500億日元（約合人民幣70.5億），2025財(cái)年則降至1000億日元（約合人民幣47億）以下。

此前設(shè)定的2025財(cái)年SiC業(yè)務(wù)達(dá)到1100億日元（約合人民幣51.7億）的銷售額目標(biāo)，因工業(yè)設(shè)備和電動汽車市場放緩，推遲到2026-2027年。

據(jù)悉，東克己自1989年加入羅姆，曾在分立器件生產(chǎn)部門等多個(gè)關(guān)鍵崗位任職，并于2023年成為羅姆阿波羅公司總裁。他在質(zhì)量把控、生產(chǎn)運(yùn)營和通用器件業(yè)務(wù)方面擁有豐富的管理經(jīng)驗(yàn)。

在1月17日的新聞發(fā)布會上，東克表示，羅姆目前正處于預(yù)計(jì)虧損和股價(jià)暴跌的困境中，為使公司恢復(fù)盈利，需要經(jīng)歷痛苦的改革。羅姆正推動8英寸SiC的量產(chǎn)，福岡筑后工廠計(jì)劃于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)，宮崎第二工廠預(yù)計(jì)也將在2025年投入運(yùn)營。

此外，羅姆原計(jì)劃2025財(cái)年將SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能提高至2021財(cái)年的6.5倍，但該目標(biāo)將延遲一年實(shí)現(xiàn)。

source：羅姆

技術(shù)方面，羅姆計(jì)劃在未來幾年通過向8英寸平臺過渡以及推出新一代功率SiC器件和模塊，大幅提升功率SiC業(yè)務(wù)收入。其推出的TRCDRIVE pack?集成了第四代SiC MOSFET，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有SiC模制模塊功率密度的約1.5倍，還簡化了與柵極驅(qū)動器基板的連接，減少了設(shè)計(jì)工作。

Wolfspeed：業(yè)績承壓，工廠調(diào)整與資金注入并行

近期，碳化硅大廠Wolfspeed公布2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)，營收同比下滑1.37%至1.95億美元，凈虧損雖同比收窄了28.68%，但數(shù)額仍高達(dá)2.82億美元。受業(yè)績持續(xù)虧損影響，Wolfspeed啟動了一項(xiàng)耗資4.5億美元的設(shè)施關(guān)閉和整合計(jì)劃。

具體來看，公司關(guān)閉了在美國北卡羅來納州達(dá)勒姆的150毫米碳化硅工廠。

此外，1月13日，Wolfspeed將旗下位于達(dá)拉斯郊外的德克薩斯州碳化硅外延工廠掛牌出售。Wolfspeed在德國薩爾州建設(shè)設(shè)備工廠的計(jì)劃也被無限期暫停。

Wolfspeed也并非沒有好消息，近期Wolfspeed與美國商務(wù)部簽署了一項(xiàng)臨時(shí)協(xié)議，獲得高達(dá)7.5億美元的直接資金，以支持在北卡羅來納州和紐約建設(shè)兩座新工廠。

住友電工：取消碳化硅晶圓新廠興建計(jì)劃

據(jù)外媒消息，受電動車需求低迷影響，且需求復(fù)蘇時(shí)間難以預(yù)估，日本住友電工決定取消半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）晶圓”新廠興建計(jì)劃。住友電工于2023年宣布該量產(chǎn)計(jì)劃，總投資300億日元，原規(guī)劃在富山縣高岡市興建SiC晶圓新工廠，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)，同時(shí)位于兵庫縣伊丹市工廠的新產(chǎn)線也計(jì)劃于2027年投產(chǎn)，合計(jì)建置年產(chǎn)18萬片的SiC晶圓產(chǎn)能，如今該計(jì)劃已全面取消。

行業(yè)人士分析，住友電工可能會將更多的精力和資源集中到其他業(yè)務(wù)領(lǐng)域，如汽車領(lǐng)域中線束業(yè)務(wù)，環(huán)境能源領(lǐng)域中電力電纜等產(chǎn)品的生產(chǎn)，以及信息通信領(lǐng)域中數(shù)據(jù)中心相關(guān)的光器件生產(chǎn)等，以彌補(bǔ)碳化硅晶圓業(yè)務(wù)的損失并實(shí)現(xiàn)整體業(yè)務(wù)的穩(wěn)定發(fā)展。

此外，鑒于6英寸SiC晶圓市場的變化，住友電工可能會對其半導(dǎo)體產(chǎn)品線進(jìn)行調(diào)整，減少對6英寸SiC晶圓的依賴，考慮向8英寸SiC晶圓或其他更具潛力的半導(dǎo)體產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以適應(yīng)市場需求。（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子）

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2023年，羅姆采用臺積電650V耐壓氮化鎵HEMT工藝，推出了屬于羅姆EcoGaN系列的新產(chǎn)品，目前新產(chǎn)品已被用于包括Delta Electronics,Inc.旗下品牌Innergie的45W AC適配器“C4 Duo”在內(nèi)的消費(fèi)電子和工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用。

據(jù)介紹，臺積電看好未來氮化鎵功率器件在電動汽車（EV）的車載充電器和逆變器等車載應(yīng)用中的環(huán)境效益，正在加強(qiáng)自身的氮化鎵技術(shù)實(shí)力。

值得一提的是，圍繞氮化鎵車用場景，氮化鎵器件廠商VisIC與移動技術(shù)公司AVL（在汽車行業(yè)以及鐵路、海洋和能源等領(lǐng)域提供開發(fā)、仿真和測試服務(wù)）近日達(dá)成合作，共同研發(fā)電動汽車（EV）用高效率氮化鎵逆變器技術(shù)。

在目前十分火熱的新能源汽車市場，豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開始將氮化鎵用于汽車的各個(gè)部分，特別是在車載充電機(jī)（OBC）和高壓直流轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示，將氮化鎵器件應(yīng)用于新能源汽車的車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等部件時(shí)，可在節(jié)能70%的同時(shí)使充電效率達(dá)到98%，增加5%續(xù)航。

TrendForce集邦咨詢預(yù)計(jì)，至2025年左右，氮化鎵將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中。再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)移入到牽引逆變器。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)報(bào)道，羅姆將在氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)和臺積電合作，擬通過水平分工、對抗海外競爭對手。在近日舉行的“第85屆應(yīng)用物理學(xué)會秋季學(xué)術(shù)講座”上，羅姆宣布將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。

報(bào)道指出，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運(yùn)用于廣泛用途的650V耐壓產(chǎn)品，通過活用外部資源，因應(yīng)急增的需求，擴(kuò)大事業(yè)規(guī)模。報(bào)道稱，羅姆此前應(yīng)該就已委托臺積電代工，只不過羅姆本身未曾對外公開過。

近期，羅姆頻頻通過合作強(qiáng)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局。

今年8月22日，據(jù)賽米控丹佛斯官微消息，賽米控丹佛斯和羅姆將強(qiáng)化合作伙伴關(guān)系，雙方將基于低功率芯片，擴(kuò)展低功率模塊產(chǎn)品。據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。

隨后在9月27日，芯動半導(dǎo)體宣布，正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進(jìn)一步加快以碳化硅為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度。

而在9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計(jì)劃建立專注于汽車應(yīng)用的半導(dǎo)體合作伙伴關(guān)系。電裝和羅姆一直在汽車應(yīng)用半導(dǎo)體的貿(mào)易和開發(fā)方面進(jìn)行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關(guān)系實(shí)現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導(dǎo)體。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術(shù)和組件，羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件，包括碳化硅芯片和模塊，在汽車電子領(lǐng)域擁有廣泛的產(chǎn)品線。

電裝和羅姆一直在汽車應(yīng)用半導(dǎo)體的貿(mào)易和開發(fā)方面進(jìn)行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關(guān)系實(shí)現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導(dǎo)體。

近年來，在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展帶動下，碳化硅功率器件市場需求持續(xù)增長，在此背景下，電裝和羅姆均加大了碳化硅產(chǎn)業(yè)布局力度。

電裝方面，2023年9月底消息傳出，日本電裝、日立、三菱電機(jī)和住友電氣四家企業(yè)對投資Coherent的碳化硅業(yè)務(wù)感興趣，且已就收購Coherent公司碳化硅業(yè)務(wù)的少數(shù)股權(quán)進(jìn)行了討論，投資金額或高達(dá)50億美元。

同年10月10日，Coherent宣布將成立一家子公司獨(dú)立運(yùn)營碳化硅業(yè)務(wù)，更好地滿足電動汽車等下游市場對碳化硅的需求。彼時(shí)，電裝和三菱電機(jī)已確定投資共計(jì)10億美元，三方還簽訂了長期供貨協(xié)議，Coherent將為電裝和三菱電機(jī)兩家公司供應(yīng)6/8英寸碳化硅襯底和外延片。

羅姆方面，今年7月5日，據(jù)外媒報(bào)道，羅姆子公司SiCrystal GmbH將在德國紐倫堡東北部現(xiàn)有廠址的正對面新建一座生產(chǎn)廠房。新廠房將增加6000平方米的生產(chǎn)面積，并將配備最先進(jìn)的技術(shù)，進(jìn)一步提升碳化硅襯底的產(chǎn)能。毗鄰現(xiàn)有工廠將確保生產(chǎn)流程的緊密結(jié)合。到2027年，包括現(xiàn)有廠房在內(nèi)，SiCrystal公司碳化硅襯底的總產(chǎn)能將比2024年增加約三倍。

而在9月27日，芯動半導(dǎo)體正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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source：芯動半導(dǎo)體

芯動半導(dǎo)體表示，隨著新能源汽車（xEV）市場的不斷擴(kuò)大，市場對于延長續(xù)航里程和提高充電速度的需求也日益高漲。SiC作為解決這些問題的關(guān)鍵器件被寄予厚望，并在核心驅(qū)動部件——牽引逆變器和車載充電器中逐漸得到廣泛應(yīng)用。

通過此次合作，芯動半導(dǎo)體將致力于搭載羅姆SiC芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進(jìn)一步加快以SiC為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度，為汽車技術(shù)創(chuàng)新貢獻(xiàn)力量。

芯動半導(dǎo)體董事長鄭春來表示：“隨著xEV市場的擴(kuò)大，對SiC芯片的需求也在持續(xù)增長。芯動半導(dǎo)體正在通過與優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商建立長期合作關(guān)系來加強(qiáng)SiC功率模塊開發(fā)體系。與羅姆之間的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系將會進(jìn)一步鞏固長城汽車的垂直整合體系，并加快更高性能xEV的開發(fā)速度?！?/p>

同時(shí)，長城汽車還投資了河北同光半導(dǎo)體股份有限公司，此舉將進(jìn)一步發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同作用。

值的一提的是，今年上半年，芯動半導(dǎo)體芯動半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測項(xiàng)目”制造基地也完成了建設(shè)。source：芯動半導(dǎo)體資料顯示，芯動半導(dǎo)體無錫“第三代半導(dǎo)體模組封測項(xiàng)目”制造基地，總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能120萬套。項(xiàng)目于2023年2月開工，2024年2月完工。（來源：芯動半導(dǎo)體、集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

賽米控丹佛斯表示，雙方合作一方面加強(qiáng)了芯片供應(yīng)安全性，另一方面，在合作伙伴關(guān)系下，賽米控丹佛斯能夠參與到芯片開發(fā)的早期階段，這樣在整個(gè)芯片的開發(fā)周期，賽米控丹佛斯都能夠發(fā)揮重要作用。

羅姆則表示，賽米控丹佛斯參與芯片開發(fā)早期階段，使得羅姆可以及時(shí)得到關(guān)于產(chǎn)品的反饋，便于改進(jìn)產(chǎn)品。同時(shí)，與賽米控丹佛斯合作，羅姆得到了拓展工業(yè)市場應(yīng)用的機(jī)會。

據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。這兩種芯片基本適用于任何工業(yè)應(yīng)用，但賽米控丹佛斯和羅姆主要聚焦的是電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，這與兩種芯片的技術(shù)特性相匹配，碳化硅MOSFET短路魯棒性較好，RGA IGBT具備電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用所需的dvdt范圍。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，2022年3月，在賽米控宣布與丹佛斯硅動力合并成立賽米控丹佛斯公司之前，賽米控就與德國某汽車制造商簽訂了一份超百億人民幣的車規(guī)級碳化硅功率模塊合同，約定在2025年在該汽車客戶的下一代電動車控制器平臺上，全面采用eMPack系列車規(guī)級碳化硅功率模塊。

據(jù)了解，eMPack是賽米控丹佛斯推出的一款平臺級模塊產(chǎn)品，適用于400V/800V電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用，最大輸出可達(dá)750KW。eMPack允許賽米控丹佛斯根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制，包括選擇IGBT或碳化硅MOSFET作為模塊芯片。eMPack的技術(shù)優(yōu)勢包括將雜散電感將至2.5nH、大幅延長使用壽命等，預(yù)計(jì)在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

近年來，羅姆一直是賽米控丹佛斯在碳化硅器件供應(yīng)方面的合作伙伴。2022年7月，賽米控丹佛斯和羅姆就碳化硅功率器件展開新的合作，羅姆的第四代碳化硅MOSFET正式被用于賽米控丹佛斯的車規(guī)級碳化硅功率模塊eMPack。

IGBT業(yè)務(wù)方面，2023年4月，賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊。同年7月，英飛凌與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應(yīng)由IGBT和二極管組成的芯片組，這些芯片主要用于電動汽車主驅(qū)逆變器的功率模塊。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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羅姆9日發(fā)表聲明稱，其藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎縣工廠已暫停運(yùn)營，以檢查生產(chǎn)設(shè)備的狀態(tài)并確保安全。羅姆表示，包括藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠在內(nèi)的人員和建筑物都并未受到傷害。

據(jù)公開資料顯示，藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎縣工廠目前主要生產(chǎn)IC、傳感器、二極管、碳化硅功率器件、IGBT。

藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠（曾為“原國富工廠”）原屬于Solar Frontier，2023年11月，羅姆成功將其收購納入了自己的生產(chǎn)網(wǎng)絡(luò)。經(jīng)過修整之后，羅姆計(jì)劃將藍(lán)碧石半導(dǎo)體宮崎第二工廠作為碳化硅功率半導(dǎo)體的主要生產(chǎn)基地，并于2024年年內(nèi)投產(chǎn)。

source：羅姆

此次地震對羅姆旗下碳化硅功率半導(dǎo)體工廠造成的影響還在評估之中，集邦化合物半導(dǎo)體將持續(xù)關(guān)注。（集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)悉，SiCrystal成立于1996年，1997年其第一批晶圓投入市場。2000年，SiCrystal與西門子旗下的SiC供應(yīng)商Freitronics Wafer GmbH&Co.KG合并。2009年，SiCrystal被羅姆正式收購。

SiC襯底產(chǎn)能方面，羅姆半導(dǎo)體株式會社社長松本功在2023年11月的財(cái)報(bào)電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預(yù)計(jì)將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。

據(jù)了解，宮崎第二工廠規(guī)劃項(xiàng)目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃的一部分，羅姆計(jì)劃在2021-2025年為SiC業(yè)務(wù)投入1700億-2200億日元（折合人民幣約77億元-100億元）。

合作方面， SiCrystal當(dāng)前的產(chǎn)能除了滿足羅姆的需求之外，今年4月還宣布與意法半導(dǎo)體在現(xiàn)有的6英寸SiC襯底多年期供貨協(xié)議基礎(chǔ)上，繼續(xù)擴(kuò)大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議，SiCrystal公司將對意法半導(dǎo)體加大德國紐倫堡產(chǎn)的SiC襯底供應(yīng)力度，預(yù)計(jì)協(xié)議總價(jià)不低于2.3億美元。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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松本功表示：“東芝和我們的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)在包括產(chǎn)品組合在內(nèi)的各個(gè)方面都非常平衡且高度兼容，我們希望就如何創(chuàng)造這種協(xié)同效應(yīng)提出建議?！彪p方設(shè)想通過批量采購?fù)ㄓ迷O(shè)備和零部件、相互銷售內(nèi)部設(shè)備以及相互外包產(chǎn)品銷售來降低成本。

據(jù)了解，2023年12月，東芝從東京證券交易所退市，日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴公司（JIP）等企業(yè)財(cái)團(tuán)將其收購。這一過程中，羅姆出資3000億日元（折合人民幣約139億元），成為了最大的投資者，為后續(xù)雙方合作埋下了伏筆。

同月，羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體器件，這一計(jì)劃還得到了日本政府的支持。

該計(jì)劃旨在讓羅姆和東芝分別對SiC功率半導(dǎo)體和Si功率半導(dǎo)體進(jìn)行重點(diǎn)投資，依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進(jìn)行互補(bǔ)，有效提高供應(yīng)能力。項(xiàng)目總投資為3883億日元（折合人民幣約180億元），其中政府將支持1294億日元（折合人民幣約60億元），占比高達(dá)三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負(fù)責(zé)生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

此外，羅姆計(jì)劃在2027財(cái)年之前，對SiC業(yè)務(wù)整體投資5100億日元（折合人民幣約237億元）。到2027財(cái)年，羅姆預(yù)計(jì)SiC功率器件的銷售額將增長到2700億日元（折合人民幣約125億元），是2022財(cái)年的9倍。由東芝負(fù)責(zé)傳統(tǒng)的Si半導(dǎo)體業(yè)務(wù)將使羅姆公司能夠把投資重點(diǎn)放在更尖端的SiC產(chǎn)品上。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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