source：羅姆半導體集團

村田表示，利用GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性，可將對開關損耗的影響控制到最小，還可提高開關轉(zhuǎn)換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，且可靠性也很高，用在村田的AI服務器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來，公司將通過繼續(xù)與在功率半導體領域優(yōu)勢顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會課題貢獻力量。

氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，憑借其高頻、高效、高功率密度等特性，正在AI服務器市場中扮演越來越重要的角色。

氮化鎵在AI服務器中主要用于電源管理系統(tǒng)，特別是DC-DC（直流-直流）轉(zhuǎn)換器。隨著AI服務器功率密度從300W提升至1700W，傳統(tǒng)硅基器件難以滿足高效能需求，而氮化鎵可將能耗降低50%，顯著提升電源轉(zhuǎn)換效率。

AI服務器對機柜功率要求從30-40kW增至100kW，氮化鎵的高功率密度特性使其能在更小體積下實現(xiàn)更高性能，降低散熱需求，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心空間利用率。

此外，氮化鎵的快速開關速度（比硅基快10倍以上）可提升服務器響應速度，滿足AI推理場景的實時性需求，例如圖像識別和自然語言處理。（集邦化合物半導體整理）

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日本羅姆半導體因面臨嚴峻財務形勢，將對高層進行調(diào)整；Wolfspeed在2025財年第一財季營收下滑、凈虧損嚴重，為此啟動4.5億美元的設施關閉和整合計劃；住友電工受電動車需求低迷影響，取消了原計劃投資300億日元、于2027年投產(chǎn)的碳化硅晶圓新廠興建計劃，還可能對半導體產(chǎn)品線做出調(diào)整。

羅姆：高層發(fā)生變動，SiC功率半導體產(chǎn)能提高目標延期

日本羅姆半導體（ROHM）1月17日宣布，將在2025財年伊始（今年4月1日）更換社長，由目前的董事會成員東克己（Katsumi Higigashi）取代松本功（Isao Matsumoto）擔任CEO，松本功轉(zhuǎn)任顧問。

羅姆此次的CEO變動，源于公司目前面臨的嚴峻財務形勢。2024年11月，羅姆在2024財年中期財報中預計，全年業(yè)績將出現(xiàn)60億日元的凈虧損，這是自2012財年以來，羅姆首次面臨全財年虧損。

總體而言，羅姆2024財年上半年（2024年4月至9月）期間實現(xiàn)營收2320億日元（約合人民幣109.04億），同比下滑3%。

羅姆原計劃在2021-2027年針對碳化硅（SiC）業(yè)務投資5100億日元（約合人民幣239.7億），現(xiàn)降至4700億-4800億日元（約合人民幣220.9億-225.6億）。其中2024財年投資額降至1500億日元（約合人民幣70.5億），2025財年則降至1000億日元（約合人民幣47億）以下。

此前設定的2025財年SiC業(yè)務達到1100億日元（約合人民幣51.7億）的銷售額目標，因工業(yè)設備和電動汽車市場放緩，推遲到2026-2027年。

據(jù)悉，東克己自1989年加入羅姆，曾在分立器件生產(chǎn)部門等多個關鍵崗位任職，并于2023年成為羅姆阿波羅公司總裁。他在質(zhì)量把控、生產(chǎn)運營和通用器件業(yè)務方面擁有豐富的管理經(jīng)驗。

在1月17日的新聞發(fā)布會上，東克表示，羅姆目前正處于預計虧損和股價暴跌的困境中，為使公司恢復盈利，需要經(jīng)歷痛苦的改革。羅姆正推動8英寸SiC的量產(chǎn)，福岡筑后工廠計劃于2025年開始大規(guī)模生產(chǎn)，宮崎第二工廠預計也將在2025年投入運營。

此外，羅姆原計劃2025財年將SiC功率半導體的產(chǎn)能提高至2021財年的6.5倍，但該目標將延遲一年實現(xiàn)。

source：羅姆

技術方面，羅姆計劃在未來幾年通過向8英寸平臺過渡以及推出新一代功率SiC器件和模塊，大幅提升功率SiC業(yè)務收入。其推出的TRCDRIVE pack?集成了第四代SiC MOSFET，實現(xiàn)了現(xiàn)有SiC模制模塊功率密度的約1.5倍，還簡化了與柵極驅(qū)動器基板的連接，減少了設計工作。

Wolfspeed：業(yè)績承壓，工廠調(diào)整與資金注入并行

近期，碳化硅大廠Wolfspeed公布2025財年第一財季財報，營收同比下滑1.37%至1.95億美元，凈虧損雖同比收窄了28.68%，但數(shù)額仍高達2.82億美元。受業(yè)績持續(xù)虧損影響，Wolfspeed啟動了一項耗資4.5億美元的設施關閉和整合計劃。

具體來看，公司關閉了在美國北卡羅來納州達勒姆的150毫米碳化硅工廠。

此外，1月13日，Wolfspeed將旗下位于達拉斯郊外的德克薩斯州碳化硅外延工廠掛牌出售。Wolfspeed在德國薩爾州建設設備工廠的計劃也被無限期暫停。

Wolfspeed也并非沒有好消息，近期Wolfspeed與美國商務部簽署了一項臨時協(xié)議，獲得高達7.5億美元的直接資金，以支持在北卡羅來納州和紐約建設兩座新工廠。

住友電工：取消碳化硅晶圓新廠興建計劃

據(jù)外媒消息，受電動車需求低迷影響，且需求復蘇時間難以預估，日本住友電工決定取消半導體材料“碳化硅（SiC）晶圓”新廠興建計劃。住友電工于2023年宣布該量產(chǎn)計劃，總投資300億日元，原規(guī)劃在富山縣高岡市興建SiC晶圓新工廠，預計2027年投產(chǎn)，同時位于兵庫縣伊丹市工廠的新產(chǎn)線也計劃于2027年投產(chǎn)，合計建置年產(chǎn)18萬片的SiC晶圓產(chǎn)能，如今該計劃已全面取消。

行業(yè)人士分析，住友電工可能會將更多的精力和資源集中到其他業(yè)務領域，如汽車領域中線束業(yè)務，環(huán)境能源領域中電力電纜等產(chǎn)品的生產(chǎn)，以及信息通信領域中數(shù)據(jù)中心相關的光器件生產(chǎn)等，以彌補碳化硅晶圓業(yè)務的損失并實現(xiàn)整體業(yè)務的穩(wěn)定發(fā)展。

此外，鑒于6英寸SiC晶圓市場的變化，住友電工可能會對其半導體產(chǎn)品線進行調(diào)整，減少對6英寸SiC晶圓的依賴，考慮向8英寸SiC晶圓或其他更具潛力的半導體產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，以適應市場需求。（集邦化合物半導體 竹子）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

2023年，羅姆采用臺積電650V耐壓氮化鎵HEMT工藝，推出了屬于羅姆EcoGaN系列的新產(chǎn)品，目前新產(chǎn)品已被用于包括Delta Electronics,Inc.旗下品牌Innergie的45W AC適配器“C4 Duo”在內(nèi)的消費電子和工業(yè)領域應用。

據(jù)介紹，臺積電看好未來氮化鎵功率器件在電動汽車（EV）的車載充電器和逆變器等車載應用中的環(huán)境效益，正在加強自身的氮化鎵技術實力。

值得一提的是，圍繞氮化鎵車用場景，氮化鎵器件廠商VisIC與移動技術公司AVL（在汽車行業(yè)以及鐵路、海洋和能源等領域提供開發(fā)、仿真和測試服務）近日達成合作，共同研發(fā)電動汽車（EV）用高效率氮化鎵逆變器技術。

在目前十分火熱的新能源汽車市場，豐田、寶馬等車企以及氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)已開始將氮化鎵用于汽車的各個部分，特別是在車載充電機（OBC）和高壓直流轉(zhuǎn)換器等關鍵部位。有數(shù)據(jù)顯示，將氮化鎵器件應用于新能源汽車的車載充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等部件時，可在節(jié)能70%的同時使充電效率達到98%，增加5%續(xù)航。

TrendForce集邦咨詢預計，至2025年左右，氮化鎵將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中。再遠到2030年，OEM或考慮將該技術移入到牽引逆變器。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)報道，羅姆將在氮化鎵功率半導體領域加強和臺積電合作，擬通過水平分工、對抗海外競爭對手。在近日舉行的“第85屆應用物理學會秋季學術講座”上，羅姆宣布將全面委托臺積電代工生產(chǎn)。

報道指出，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)有望運用于廣泛用途的650V耐壓產(chǎn)品，通過活用外部資源，因應急增的需求，擴大事業(yè)規(guī)模。報道稱，羅姆此前應該就已委托臺積電代工，只不過羅姆本身未曾對外公開過。

近期，羅姆頻頻通過合作強化第三代半導體產(chǎn)業(yè)布局。

今年8月22日，據(jù)賽米控丹佛斯官微消息，賽米控丹佛斯和羅姆將強化合作伙伴關系，雙方將基于低功率芯片，擴展低功率模塊產(chǎn)品。據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。

隨后在9月27日，芯動半導體宣布，正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進一步加快以碳化硅為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度。

而在9月30日，據(jù)電裝官網(wǎng)消息，電裝和羅姆宣布計劃建立專注于汽車應用的半導體合作伙伴關系。電裝和羅姆一直在汽車應用半導體的貿(mào)易和開發(fā)方面進行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關系實現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導體。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據(jù)悉，電裝為目前幾乎所有品牌和型號的車輛開發(fā)技術和組件，羅姆則生產(chǎn)一系列功率器件和分立器件，包括碳化硅芯片和模塊，在汽車電子領域擁有廣泛的產(chǎn)品線。

電裝和羅姆一直在汽車應用半導體的貿(mào)易和開發(fā)方面進行合作。未來，兩家公司將考慮通過這種合作伙伴關系實現(xiàn)高度可靠產(chǎn)品的穩(wěn)定供應，并采取各種措施開發(fā)高質(zhì)量、高效率的半導體。

近年來，在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展帶動下，碳化硅功率器件市場需求持續(xù)增長，在此背景下，電裝和羅姆均加大了碳化硅產(chǎn)業(yè)布局力度。

電裝方面，2023年9月底消息傳出，日本電裝、日立、三菱電機和住友電氣四家企業(yè)對投資Coherent的碳化硅業(yè)務感興趣，且已就收購Coherent公司碳化硅業(yè)務的少數(shù)股權進行了討論，投資金額或高達50億美元。

同年10月10日，Coherent宣布將成立一家子公司獨立運營碳化硅業(yè)務，更好地滿足電動汽車等下游市場對碳化硅的需求。彼時，電裝和三菱電機已確定投資共計10億美元，三方還簽訂了長期供貨協(xié)議，Coherent將為電裝和三菱電機兩家公司供應6/8英寸碳化硅襯底和外延片。

羅姆方面，今年7月5日，據(jù)外媒報道，羅姆子公司SiCrystal GmbH將在德國紐倫堡東北部現(xiàn)有廠址的正對面新建一座生產(chǎn)廠房。新廠房將增加6000平方米的生產(chǎn)面積，并將配備最先進的技術，進一步提升碳化硅襯底的產(chǎn)能。毗鄰現(xiàn)有工廠將確保生產(chǎn)流程的緊密結合。到2027年，包括現(xiàn)有廠房在內(nèi)，SiCrystal公司碳化硅襯底的總產(chǎn)能將比2024年增加約三倍。

而在9月27日，芯動半導體正式與羅姆簽署以碳化硅為核心的車載功率模塊戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議。通過此次合作，芯動半導體將致力于搭載羅姆碳化硅芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：芯動半導體

芯動半導體表示，隨著新能源汽車（xEV）市場的不斷擴大，市場對于延長續(xù)航里程和提高充電速度的需求也日益高漲。SiC作為解決這些問題的關鍵器件被寄予厚望，并在核心驅(qū)動部件——牽引逆變器和車載充電器中逐漸得到廣泛應用。

通過此次合作，芯動半導體將致力于搭載羅姆SiC芯片的車載功率模塊的創(chuàng)新和性能提升，以延長xEV的續(xù)航里程。未來，雙方將會進一步加快以SiC為核心的創(chuàng)新型車載電源解決方案的開發(fā)速度，為汽車技術創(chuàng)新貢獻力量。

芯動半導體董事長鄭春來表示：“隨著xEV市場的擴大，對SiC芯片的需求也在持續(xù)增長。芯動半導體正在通過與優(yōu)質(zhì)供應商建立長期合作關系來加強SiC功率模塊開發(fā)體系。與羅姆之間的戰(zhàn)略合作伙伴關系將會進一步鞏固長城汽車的垂直整合體系，并加快更高性能xEV的開發(fā)速度?！?/p>

同時，長城汽車還投資了河北同光半導體股份有限公司，此舉將進一步發(fā)揮產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同作用。

值的一提的是，今年上半年，芯動半導體芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地也完成了建設。source：芯動半導體資料顯示，芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測項目”制造基地，總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能120萬套。項目于2023年2月開工，2024年2月完工。（來源：芯動半導體、集邦化合物半導體整理）

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賽米控丹佛斯表示，雙方合作一方面加強了芯片供應安全性，另一方面，在合作伙伴關系下，賽米控丹佛斯能夠參與到芯片開發(fā)的早期階段，這樣在整個芯片的開發(fā)周期，賽米控丹佛斯都能夠發(fā)揮重要作用。

羅姆則表示，賽米控丹佛斯參與芯片開發(fā)早期階段，使得羅姆可以及時得到關于產(chǎn)品的反饋，便于改進產(chǎn)品。同時，與賽米控丹佛斯合作，羅姆得到了拓展工業(yè)市場應用的機會。

據(jù)悉，雙方的合作范圍涉及羅姆的第四代碳化硅MOSFET和RGA IGBT，二者都適用于賽米控丹佛斯的模塊。這兩種芯片基本適用于任何工業(yè)應用，但賽米控丹佛斯和羅姆主要聚焦的是電機驅(qū)動應用，這與兩種芯片的技術特性相匹配，碳化硅MOSFET短路魯棒性較好，RGA IGBT具備電機驅(qū)動應用所需的dvdt范圍。

碳化硅業(yè)務方面，2022年3月，在賽米控宣布與丹佛斯硅動力合并成立賽米控丹佛斯公司之前，賽米控就與德國某汽車制造商簽訂了一份超百億人民幣的車規(guī)級碳化硅功率模塊合同，約定在2025年在該汽車客戶的下一代電動車控制器平臺上，全面采用eMPack系列車規(guī)級碳化硅功率模塊。

據(jù)了解，eMPack是賽米控丹佛斯推出的一款平臺級模塊產(chǎn)品，適用于400V/800V電驅(qū)系統(tǒng)應用，最大輸出可達750KW。eMPack允許賽米控丹佛斯根據(jù)客戶需求進行定制，包括選擇IGBT或碳化硅MOSFET作為模塊芯片。eMPack的技術優(yōu)勢包括將雜散電感將至2.5nH、大幅延長使用壽命等，預計在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

近年來，羅姆一直是賽米控丹佛斯在碳化硅器件供應方面的合作伙伴。2022年7月，賽米控丹佛斯和羅姆就碳化硅功率器件展開新的合作，羅姆的第四代碳化硅MOSFET正式被用于賽米控丹佛斯的車規(guī)級碳化硅功率模塊eMPack。

IGBT業(yè)務方面，2023年4月，賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT的功率模塊。同年7月，英飛凌與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組，這些芯片主要用于電動汽車主驅(qū)逆變器的功率模塊。（集邦化合物半導體Zac整理）

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羅姆9日發(fā)表聲明稱，其藍碧石半導體宮崎縣工廠已暫停運營，以檢查生產(chǎn)設備的狀態(tài)并確保安全。羅姆表示，包括藍碧石半導體宮崎第二工廠在內(nèi)的人員和建筑物都并未受到傷害。

據(jù)公開資料顯示，藍碧石半導體宮崎縣工廠目前主要生產(chǎn)IC、傳感器、二極管、碳化硅功率器件、IGBT。

藍碧石半導體宮崎第二工廠（曾為“原國富工廠”）原屬于Solar Frontier，2023年11月，羅姆成功將其收購納入了自己的生產(chǎn)網(wǎng)絡。經(jīng)過修整之后，羅姆計劃將藍碧石半導體宮崎第二工廠作為碳化硅功率半導體的主要生產(chǎn)基地，并于2024年年內(nèi)投產(chǎn)。

source：羅姆

此次地震對羅姆旗下碳化硅功率半導體工廠造成的影響還在評估之中，集邦化合物半導體將持續(xù)關注。（集邦化合物半導體Rick整理）

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據(jù)悉，SiCrystal成立于1996年，1997年其第一批晶圓投入市場。2000年，SiCrystal與西門子旗下的SiC供應商Freitronics Wafer GmbH&Co.KG合并。2009年，SiCrystal被羅姆正式收購。

SiC襯底產(chǎn)能方面，羅姆半導體株式會社社長松本功在2023年11月的財報電話會議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預計將于2024年開始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。

據(jù)了解，宮崎第二工廠規(guī)劃項目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴張計劃的一部分，羅姆計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務投入1700億-2200億日元（折合人民幣約77億元-100億元）。

合作方面， SiCrystal當前的產(chǎn)能除了滿足羅姆的需求之外，今年4月還宣布與意法半導體在現(xiàn)有的6英寸SiC襯底多年期供貨協(xié)議基礎上，繼續(xù)擴大合作。根據(jù)新簽署的長期供貨協(xié)議，SiCrystal公司將對意法半導體加大德國紐倫堡產(chǎn)的SiC襯底供應力度，預計協(xié)議總價不低于2.3億美元。（集邦化合物半導體Zac整理）

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松本功表示：“東芝和我們的半導體業(yè)務在包括產(chǎn)品組合在內(nèi)的各個方面都非常平衡且高度兼容，我們希望就如何創(chuàng)造這種協(xié)同效應提出建議?！彪p方設想通過批量采購通用設備和零部件、相互銷售內(nèi)部設備以及相互外包產(chǎn)品銷售來降低成本。

據(jù)了解，2023年12月，東芝從東京證券交易所退市，日本產(chǎn)業(yè)合作伙伴公司（JIP）等企業(yè)財團將其收購。這一過程中，羅姆出資3000億日元（折合人民幣約139億元），成為了最大的投資者，為后續(xù)雙方合作埋下了伏筆。

同月，羅姆和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導體器件，這一計劃還得到了日本政府的支持。

該計劃旨在讓羅姆和東芝分別對SiC功率半導體和Si功率半導體進行重點投資，依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進行互補，有效提高供應能力。項目總投資為3883億日元（折合人民幣約180億元），其中政府將支持1294億日元（折合人民幣約60億元），占比高達三分之一。羅姆旗下位于宮崎縣的工廠將負責生產(chǎn)SiC功率器件和SiC晶圓，而東芝旗下位于石川縣的工廠將以生產(chǎn)Si芯片為主。

此外，羅姆計劃在2027財年之前，對SiC業(yè)務整體投資5100億日元（折合人民幣約237億元）。到2027財年，羅姆預計SiC功率器件的銷售額將增長到2700億日元（折合人民幣約125億元），是2022財年的9倍。由東芝負責傳統(tǒng)的Si半導體業(yè)務將使羅姆公司能夠把投資重點放在更尖端的SiC產(chǎn)品上。（集邦化合物半導體Morty整理）

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