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芯粵能SiC芯片制造項目加速一期產能爬坡

在這兩個項目當中，芯粵能碳化硅（SiC）芯片制造項目是廣東“強芯工程”重大項目，總投資額為75億元，占地150畝，一期投資35億元，建成年產24萬片6英寸SiC芯片的生產線，二期建設年產24萬片8英寸SiC芯片的生產線，產品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要應用于新能源汽車、光伏、智能電網等領域。

據此前報道，這是國內唯一一個專注于車規(guī)級、具備規(guī)?；a業(yè)聚集及全產業(yè)鏈配套能力的SiC芯片制造項目。

從該項目進度來看，2023年1月，廣東省能源局發(fā)布芯粵能“面向車規(guī)級和工控領域的碳化硅芯片制造項目”節(jié)能報告的審查意見，原則同意該項目節(jié)能報告。

2023年3月底，芯粵能一期項目已經試投產，計劃2024年12月底達產。在一期達產的同時，芯粵能將啟動二期項目，預計2026年達產。芯粵能預計項目一期達產后年產值40億元，二期達產后合計年產值將達100億元。

2023年6月，芯粵能表示其車規(guī)級SiC芯片產線已經進入量產階段，包括1200V 16毫歐/35毫歐等一系列車規(guī)級和工控級SiC芯片產品，各方面測試數據良好，陸續(xù)交付多家主機廠和客戶送樣驗證。芯粵能稱已簽約COT客戶10余家，并即將完成4家客戶規(guī)格產品量產。

近日，據芯粵能晶圓廠廠長邵永華介紹，目前整個工廠正在擴產爬坡，預計今年年底實現(xiàn)年產24萬片6英寸車規(guī)級SiC芯片的規(guī)劃產能。預留的8英寸產線就在6英寸產線隔壁，建成后將具備年產24萬片8英寸車規(guī)級SiC芯片的能力。

在芯粵能SiC芯片制造項目當中，無塵車間于2022年11月正式啟用，目前已經實現(xiàn)月產1萬片產能，車規(guī)級和工控級芯片成功流片并送樣，即將完成車規(guī)認證。截至目前，芯粵能已與40多家客戶簽約流片，覆蓋全國大部分SiC芯片設計企業(yè)。

晶旭半導體二期項目預計8月主體落成

近日，據上杭融媒消息，晶旭半導體二期項目已完成三通一平工程量的90%，現(xiàn)正進行地基施工中。該項目總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線。

據項目負責人介紹，晶旭半導體二期項目于2023年12月份開建，目前已經完成了整個樁基地下工程部分，正在做樁基測試部分。預計在4月底5月初完成主體生產廠房封頂，8月份整個項目的主體工程落成。

該負責人表示，晶旭半導體二期項目主要生產氧化鎵基（超光鏡）材料濾波器芯片，首批產線規(guī)劃實現(xiàn)400KK的年產能。

據了解，作為一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片（BAW）全鏈條核心技術、以IDM模式運行的廠商，晶旭半導體核心技術是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片，擁有獨立自主知識產權，已取得多項技術創(chuàng)新。

值得一提的是，今年2月初，晶旭半導體完成億級人民幣戰(zhàn)略融資，由睿悅控股集團獨家投資，助力其實現(xiàn)年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片。（集邦化合物半導體Zac整理）

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