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國(guó)內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)

近期，颶芯科技國(guó)內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線投產(chǎn)發(fā)布會(huì)于廣西柳州舉行，標(biāo)志著GaN半導(dǎo)體激光器芯片實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口替代和自主可控。

據(jù)悉，由于技術(shù)門檻較高，國(guó)際上只有少數(shù)企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決GaN激光器芯片“卡脖子”問題，颶芯科技建成了國(guó)內(nèi)首條GaN半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線，產(chǎn)線包含8大工藝站點(diǎn)，擁有半導(dǎo)體量產(chǎn)設(shè)備100余臺(tái)，涵蓋襯底、外延、工藝與封測(cè)等各生產(chǎn)環(huán)節(jié)。

目前，北京大學(xué)胡曉東團(tuán)隊(duì)已經(jīng)攻克了GaN半導(dǎo)體激光器相關(guān)的主要科學(xué)和技術(shù)問題，建立了芯片制備技術(shù)中的8大核心工藝，打破了國(guó)外企業(yè)長(zhǎng)期的技術(shù)壟斷。

此外，半導(dǎo)體所集成光電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室趙德剛研究員團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研制出GaN基大功率紫外激光器，室溫連續(xù)輸出功率2W，電注入激射波長(zhǎng)384nm。這是趙德剛研究員團(tuán)隊(duì)在實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)小于360nm的AlGaN紫外激光器突破之后取得的又一重要進(jìn)展。

資料顯示，GaN基紫外激光器由于波長(zhǎng)短、光子能量大，在消毒殺菌、病毒檢測(cè)、激光加工、紫外固化等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。但由于GaN基紫外激光器基于大失配異質(zhì)外延材料技術(shù)制備而成，缺陷多、發(fā)光效率低，器件研制難度大，瓦級(jí)大功率紫外激光器一直是國(guó)際相關(guān)領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)，但關(guān)鍵技術(shù)尚未完全攻克，大功率紫外激光器是國(guó)際公認(rèn)的技術(shù)壁壘。

芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房完成交接

近日，芯能半導(dǎo)體合肥高端功率模塊封裝制造基地廠房交接儀式在合肥安巢經(jīng)開區(qū)舉行，本次交接項(xiàng)目為一棟三層半結(jié)構(gòu)，約13000m2。

官網(wǎng)資料顯示，芯能半導(dǎo)體成立于2013年9月，專注功率芯片、驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)開發(fā)，產(chǎn)品包括分立器件(Discrete)、智能功率模塊(IPM)以及標(biāo)準(zhǔn)功率模塊(PIM)，廣泛應(yīng)用于工控、家電、以及新能源汽車等領(lǐng)域。

芯能半導(dǎo)體總部位于深圳，在浙江義烏建有車規(guī)級(jí)功率模塊制造基地，在深圳、上海、蘇州設(shè)有研發(fā)中心，并在深圳、上海、蘇州、青島、順德、杭州等地建立了銷售辦事處。目前，芯能半導(dǎo)體合作客戶超過1000家，廣泛分布于小家電、白色家電、工控、新能源汽車、以及太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。

2023年5月，芯能半導(dǎo)體與合肥市政府簽署項(xiàng)目合作協(xié)議，將在合肥安巢經(jīng)開區(qū)建設(shè)10條IGBT、5條SiC MOS自動(dòng)化生產(chǎn)線，產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、太陽(yáng)能和家電等行業(yè)。

據(jù)透露，芯能半導(dǎo)體合肥項(xiàng)目專注于大功率模塊封測(cè)，項(xiàng)目整體建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)480萬只IGBT模塊和60萬只SiC MOS模塊。

產(chǎn)品方面，芯能半導(dǎo)體去年7月發(fā)布了IPM29 SiC MOS智能功率模塊新產(chǎn)品。作為緊湊的1200V等級(jí)封裝，這款SiC MOSFET IPM使用簡(jiǎn)便，針對(duì)SiC定制優(yōu)化驅(qū)動(dòng)部分，能夠有效減小開關(guān)振蕩。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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