source：英飛凌

英飛凌表示，公司是全球首家在現有可擴展的大批量生產環(huán)境中掌握這一突破性技術的公司。這一突破將極大地推動氮化鎵功率半導體市場的發(fā)展。

英飛凌表示，12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產2.3倍數量的芯片，技術和效率顯著提升。

基于氮化鎵的功率半導體在工業(yè)、汽車、消費類、計算和通信應用中迅速獲得采用，涵蓋AI系統(tǒng)的電源、太陽能逆變器、充電器、適配器以及電機控制系統(tǒng)。

先進的氮化鎵制造工藝提高了設備性能，它實現了更高的效率性能、更小的尺寸、更小的重量和更低的總體成本，為客戶帶來便利。此外，12英寸氮化鎵制造通過可擴展性確保了供應穩(wěn)定性。

英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“這一技術突破將改變行業(yè)格局，并使公司能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購GaN Systems近一年后，英飛凌掌握了硅、碳化硅和氮化鎵三種相關材料的技術?！?/p>

source：英飛凌

英飛凌利用現有成熟生產12英寸硅晶圓和8英寸氮化鎵晶圓的能力，公司已成功在奧地利維拉赫的功率工廠中現有的12英寸硅晶圓生產線上制造12英寸氮化鎵晶圓。

后續(xù)，英飛凌將根據市場需求進一步擴大GaN產能。英飛凌表示，12英寸氮化鎵晶圓的生產將使英飛凌在不斷增長的氮化鎵市場中占據有利地位。

據集邦咨詢最新的《2024全球GaN Power Device市場分析報告》顯示，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。

目前，英飛凌正在推動12英寸氮化鎵技術，以加強現有的解決方案和應用領域，并使新的解決方案和應用領域具有越來越高的成本效益價值主張，并能夠滿足客戶系統(tǒng)的全方位需求。后續(xù)，英飛凌將于2024年11月在慕尼黑舉辦的電子展（electronica）上向公眾展示首批12英寸氮化鎵晶圓。

英飛凌表示，12英寸氮化鎵技術的一大優(yōu)勢是可以利用現有的12英寸硅晶圓制造設備，這是因為氮化鎵和硅的制造工藝非常相似。英飛凌現有的大規(guī)模12英寸硅晶圓生產線是試點可靠氮化鎵技術的理想選擇，有利于加快實施速度并有效利用資金。

全面規(guī)?；慨a12英寸氮化鎵生產將有助于氮化鎵在RDS(on)水平上與硅的成本平價，這意味著同類硅和氮化鎵產品的成本持平。（集邦化合物半導體Morty編譯）

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source：英飛凌汽車電子生態(tài)圈

據介紹，HybridPACK Drive是英飛凌電動汽車功率模塊系列產品，英飛凌此次為零跑C16供應的是1200V HybridPACK Drive G2 CoolSiC模塊。

在碳化硅加速“上車”趨勢下，國際碳化硅功率器件巨頭持續(xù)推進與國內新能源車企的合作進程，除英飛凌外，羅姆也在近期宣布了相關進展。

今年8月，羅姆宣布，其第四代碳化硅MOSFET裸芯片已被吉利汽車旗下ZEEKR品牌的三款電動車車型采用，用于其牽引逆變器中。這些功率模塊自2023年以來已由羅姆與正海集團的合資企業(yè)HAIMOSIC有限公司批量生產，并交付給吉利旗下的一級供應商Viridi E-Mobility Technology公司。

據悉，自2018年以來，吉利與羅姆持續(xù)展開合作，最初通過技術交流打下基礎，并于2021年形成了專注于碳化硅功率器件的戰(zhàn)略合作伙伴關系。這一合作關系促成了羅姆碳化硅MOSFET的集成，成功應用于ZEEKR X、009和001三款車型的牽引逆變器中。在這些電動車中，羅姆的碳化硅MOSFET功率解決方案在延長續(xù)航里程和提升整體性能方面發(fā)揮了關鍵作用。（集邦化合物半導體整理）

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消費電子市場走向成熟，GaN初闖高功率市場受挫

GaN（氮化鎵）和SiC（碳化硅）同為性能優(yōu)異的寬禁帶半導體材料，二者在擊穿電場、高溫性能、高功率處理能力以及化學穩(wěn)定性等方面存在共同之處，但相比之下，GaN在開關頻率和能效上更加突出，因此更適合高頻應用領域，有助于實現高效功率轉換、減少開關損耗、降低熱耗散、縮小元件尺寸等。

按應用劃分，GaN主要面向光電子、射頻通訊、功率半導體三大應用領域，對應消費電子、無線通信、數據中心、汽車、航空航天、國防軍工等細分場景。其中，光電子是GaN最快普及的應用，至今已有很多年的發(fā)展歷史，但GaN真正“火”起來是在近幾年的功率半導體市場，并首先崛起于消費電子快充應用。

根據TrendForce集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場分析報告》數據顯示，2020年全球GaN功率半導體市場規(guī)模為0.5億美金，至2022年成長至1.8億美金，年復合增長率約53%。其中，2022年的市場規(guī)模相比2021年大幅增長了125%。

也就是在這一年，GaN高速滲透快充市場，并開始向家電、智能手機等其他消費場景拓展；與此同時，新能源汽車、光儲充、數據中心等產業(yè)的迭代升級，使得GaN作為更為符合新需求的理想材料之一亦被寄予了厚望。在此背景下，GaN廠商從低功率朝向高功率市場延伸便順理成章。

然而，據集邦化合物半導體觀察，一方面，快充、適配器等消費電子市場不斷成熟，可供廠商發(fā)揮的空間、可分的“蛋糕”持續(xù)縮??；另一方面，在汽車、數據中心等高功率應用領域，由于技術可靠性、成本等問題，多數GaN廠商處于產品研發(fā)、驗證、送樣、項目合作階段，真正落地的案例鮮少，這也側面反映GaN打開高功率市場需更多的技術和時間沉淀。

GaN產業(yè)步入整合期，量到質的改變開始顯現

為了突破高壓大功率市場，不少廠商開始嘗試新結構、新工藝路線，其中包括有望全面解鎖GaN優(yōu)良特性的垂直GaN元件，但這條路并不好走。隨著時間的推移，各家廠商面臨前期大量投入難以兌現的壓力，而持續(xù)創(chuàng)新的研發(fā)投入需求則帶來了資金的壓力，多方面承壓之下，退場者隨之出現。據集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，今年1-3月，美國垂直GaN器件廠NexGen Power Systems與Odyssey Semiconductor相繼宣布倒閉、破產。

同樣地，GaN頭部廠商也面臨更進一步發(fā)展以及長遠立足的難題，于是有了GaN Systems并入功率半導體大廠英飛凌（Infineon），Transphorm并入全球半導體芯片大廠瑞薩電子（Renesas），Odyssey Semiconductor并入Power Integrations（PI）。

雖然沒有出現產能過?；驉盒詢r格戰(zhàn)等現象，但GaN功率半導體市場顯然也進入了一輪洗牌調整期。從并購、倒閉破產案可見，未來能夠馳騁GaN“沙場”的定是具備過硬綜合競爭力的廠商，這其實對于GaN產業(yè)而言利大于弊，因為優(yōu)勢資源的不斷集中有利于推動技術加快產業(yè)化，實現量產應用。

在供應鏈資源大整合之際，廠商的技術沉淀與項目開發(fā)進展也到了一個新的階段，隨之而來的便是GaN技術逐步從量到質的改變。

據集邦化合物半導體了解，經過幾年的技術儲備，GaN相關廠商目前在消費電子增量市場、電動汽車、光儲充、數據中心等市場都取得了更多實質性的進展，并逐步收獲成果。

以汽車和新能源應用為例，納微半導體（Navitas）2023年針對車載OBC及路邊充電樁場景引入新的GaNSafe技術（配合其SiC技術），截至今年第二季度，納微22kW車載充電機（OBC）方案已有15個客戶項目在推進至評審階段，其預計電動汽車領域將在2025年底獲得首批由GaN技術帶來的收入。

在太陽能/儲能市場，納微此前已打入美國前五大太陽能設備制造商中三家的供應鏈，截至今年第二季度，納微已有6個相關的客戶項目推進至評審階段，預計將于明年在美國實現GaN基微型逆變器的量產。

國內廠商中，鎵未來（GaNext）實現了國產GaN突破光伏微逆市場，其集成型Cascode 技術GaN功率器件設計已用在微型逆變器龍頭廠商的2000W新型逆變器中；氮矽科技也與全球頭部逆變器設計公司及知名制造商建立了戰(zhàn)略合作關系，共同開發(fā)一款基于GaN技術的新一代微型逆變器。

汽車應用方面，氮矽科技今年發(fā)布了一款超高開關頻率（>100MHz）驅動芯片，適用于高速汽車激光雷達系統(tǒng)；同時，該公司正在推進多款100V集成驅動產品的車規(guī)級驗證，這些產品主要適用于車載無線充和DC-DC；鎵未來目前也正在推進產品的車規(guī)級認證，同步與車廠展開相關項目研究；IDM廠商能華微則在推進1200V產品的車規(guī)級認證······

AI數據中心、人形機器人等引燃，GaN“上大分”

AI數據中心服務器

數據中心領域也是近幾年GaN廠商重點耕耘的方向之一，從相關廠商的進展可見，GaN在數據中心電源市場的應用已經邁出了一大步，而AI技術的興起為該市場再添了一把火。

在AI生態(tài)中，數據中心對高速運算和電力都有著龐大的需求。根據TrendForce集邦咨詢調查，NVIDIA（英偉達） Blackwell平臺將于2025年正式放量，取代既有的Hopper平臺，成為NVIDIA高端GPU（圖形處理器）主力方案，占整體高端產品近83%。在B200和GB200等追求高效能的AI Server機種，單顆GPU功耗可達1,000W以上。

面對高漲的功率需求，每個數據中心機柜的功率規(guī)格將從30-40kW推高至100kW，對于數據中心電源系統(tǒng)來說挑戰(zhàn)極大，而GaN與液冷技術的結合，將成為提升AI 數據中心能效的關鍵。

芯片功耗的大幅上升需要服務器擁有更高的功率密度和效能，GaN能夠降低損耗、提高功率密度，已被視為AI數據中心優(yōu)化能源效率的關鍵技術之一，吸引了英飛凌、德州儀器（TI）、納微、英諾賽科、Transphorm、能華微、氮矽科技、鎵未來等大批GaN玩家加入布局陣列。其中，納微和英飛凌均公布了AI數據中心電源技術路線圖，表明搶占該市場制高點的決心。

英飛凌AI數據中心電源路線圖

英飛凌融合Si、SiC以及GaN的獨特優(yōu)勢，已推出輸出功率為3 kW和3.3 kW的PSU，8 kW PSU預計將于2025年第一季度上市，全新8 kW PSU支持最高輸出功率達300 kW或以上的AI機架。與3 kW PSU的32 W/in3 相比，其效率和功率密度提升至100 W/in3，進一步縮小了系統(tǒng)尺寸并節(jié)省了運營商的成本。

以GaN技術來看，英飛凌的CoolGaN? 解決方案可為PFC拓撲提供超過99%的系統(tǒng)效率。此外，英飛凌收購的GaN Systems則早在2022年就發(fā)布了3.2kW AI服務器電源供應器，并于2023年推出第四代GaN平臺，效率超過鈦金級能效標準，功率密度從100W/in3提升至120W/in3。因此，雙方結合后在GaN領域產生的效應備受看好。

納微去年全新GaNSafe?和Gen-3 Fast碳化硅技術以及納微專用設計中心已設計完成4.5kW CRPS，實現傳統(tǒng)硅解決方案兩倍以上功率密度。在此基礎上，納微7月發(fā)布全新的CRPS185 4.5kW AI數據中心服務器電源方案，功率密度達137W/in3，效率超97%。

納微AI數據中心電源路線圖

納微透露，3.2kW和4.5kW電源方案已有超過60個數據中心客戶項目正在研發(fā)中，預計將在2024-2025年間為納微GaN和SiC的營收帶來數百萬美元的增長。據集邦化合物半導體進一步了解，納微預計用于AI數據中心電源方案有望于年底實現小批量生產。

面對AI服務器興起創(chuàng)造的商機，GaN廠商顯然加快了步伐。除了英飛凌和納微之外，其他廠商也在通過各自的發(fā)展路線悶聲謀大事，如TI、EPC（宜普電源轉換）、能華微、鎵未來、氮矽科技等。

TI早在2021年便與全球最大的服務器電源供應商臺達（市占率近5成）就數據中心服務器電源達成合作，基于其GaN技術和C2000 MCU實時控制解決方案，為數據中心開發(fā)設計高效、高功率的企業(yè)用服務器電源供應器（PSU）?；陂L期的合作伙伴關系，雙方在AI服務器電源市場的合作成果將備受期待。

鎵未來已與知名院校達成合作，由其提供理論依據和技術支持，共同完成 3.5kW 無風扇服務器電源的開發(fā),通過兩相交錯圖騰柱 PFC及 LLC實現高效率和高功率密度48V電源方案。鎵未來指出，AI 服務器與傳統(tǒng)服務器相比具有功率等級高且長時間滿載工作的特性，對于電源的轉換效率要求更高，因此采用GaN器件的圖騰柱PFC拓撲將是最優(yōu)選擇。

產品開發(fā)方面，EPC將在本月底的PCIM Asia展會展示最新一代GaN FET和IC，涵蓋包括AI服務器、機器人等在內的各種實際應用；氮矽科技多款相關產品已送樣國內頭部知名企業(yè)，并完成了相關的可靠性測試；能華微1200V GaN產品也已經送樣知名服務器電源廠，正在進行可靠性評估。

人形機器人

事實上，不止AI數據中心服務器，更多新興市場正在為GaN產業(yè)注入活力，如今年發(fā)展一樣如火如荼的人形機器人等電機驅動產業(yè)。

人形機器人的系統(tǒng)主要由傳感系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電機系統(tǒng)以及電池系統(tǒng)四部分構成，而GaN的“用武之地”包括激光雷達系統(tǒng)、電機控制器、DC-DC轉換器及電池BMS。其中，電機驅動扮演關鍵角色。

TrendForce集邦咨詢研究顯示，由于自由度急劇上升，人形機器人對電機驅動器的需求量大幅增加，為了獲得更高的爆發(fā)力，需要配置高功率密度、高效率、高響應的電機驅動器，而GaN能夠滿足這些需求，還可以在熱管理、緊湊設計等方面提高人形機器人的整體性能，優(yōu)化整體設計。

據悉，西門子、安川電機、Elmo等已經在機器人電機中導入了GaN技術，而GaN產業(yè)鏈也正摩拳擦掌。據集邦化合物半導體了解，TI、EPC、Transphorm、英諾賽科、納微、能華微等正在推動GaN于電機驅動領域的應用。其中，Transphorm已為安川電機的新型伺服電機提供了GaN FET 產品。

TrendForce集邦咨詢表示，未來的機器人定會超乎想象，而精確、快速和強大的運動能力是其中之關鍵，驅動其運動所需的電機也勢必隨之進步，GaN將因此受益。

綜合當前廠商頻繁的動作來看，AI數據中心、人形機器人等新興產業(yè)無疑引燃了GaN市場，相關廠商多年的儲備和積累可望加快變現。譬如，英飛凌預估來自AI電源領域的營收將在2025財年實現同比翻番，同時將在2-3年內突破10億歐元。

GaN功率半導體產業(yè)提速，誰將占據龍頭寶座？

短期而言，消費電子市場仍將是功率GaN的主舞臺，并且，家電、智能手機等更多消費電子應用正在為GaN提供新的發(fā)展空間。但長期而言，電動汽車、數據中心等將成為GaN更重要的增長引擎。

據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，長遠來看，GaN功率半導體市場的主要動力將來自電動汽車、數據中心、電機驅動等場景，受此驅動，全球GaN功率元件市場規(guī)模預估從2023年的2.71億美金左右上升至2030年的43.76億美金，年復合年增長率（CAGR）高達49%。其中，非消費類應用的比例預計將從2023年的23%上升至2030年的48%。

足見，電動汽車、數據中心、電機驅動等應用動能強勁，GaN功率半導體市場未來可期，這也側面解釋了英特爾（Intel）、臺積電（TSMC）等集成電路賽道的大廠同樣青睞GaN的原因。其中，英特爾去年底就透露已集成CMOS硅晶體管與GaN功率晶體管，用于高度集成的48V設備。

從區(qū)域市場層面觀察，GaN正在吸引更多的戰(zhàn)略投資。以中國香港為例，該地在7月底啟動了首條超高真空GaN外延片中試線，由香港科技園公司與GaN外延技術商麻省光子技術(香港)有限公司聯合于7月底舉行了啟動儀式，麻省光子技術預計將在香港投資至少2億港元，帶動當地化合物半導體產業(yè)發(fā)展。

可以預見，未來會有更多玩家和資金涌入GaN功率半導體領域，而市場競爭也將逐步激烈化。然而，市場格局目前撲朔迷離，未來誰能占據龍頭寶座仍是未知數。

TrendForce集邦咨詢指出，從產業(yè)發(fā)展進程來看，Fabless（無晶圓廠）公司在過去一段時間里表現較為活躍，但隨著產業(yè)不斷整合以及應用市場逐步打開，未來傳統(tǒng)IDM大廠的話語權有望顯著上升，為產業(yè)格局的未來圖景帶來新的重大變數。

當前，從商業(yè)模式劃分，GaN玩家包括英飛凌、瑞薩（Transphorm）等傳統(tǒng)綜合型的IDM（集成器件制造）大廠，PI、納微、EPC等Fabless設計廠，英諾賽科、能華微等專業(yè)型IDM廠。

在消費電子應用仍占大比重的背景下，英諾賽科占據較大的市場份額，加上其努力推廣工業(yè)應用，整體市占率位居前列。據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2023年GaN功率半導體市占率前五大廠商分別是英諾賽科、PI、納微、EPC、英飛凌。

而數據中心、電機驅動、電動汽車、光伏逆變器等更高功率的應用對廠商的集成整合能力以及產業(yè)鏈協(xié)同效應等各方面提出了更高的要求，因此，英飛凌、瑞薩、TI等傳統(tǒng)IDM廠商，以及TI等在這方面的優(yōu)勢將逐步顯現。

據集邦化合物半導體觀察，作為全球最大的功率半導體以及車用半導體廠商，目前英飛凌正在充分發(fā)揮和融合Si、SiC以及GaN的獨有優(yōu)勢，技術創(chuàng)新與集成能力以及綜合成本優(yōu)勢有望逐步凸顯。Fabless廠商中，納微也在發(fā)揮其在SiC、GaN以及驅動技術的集成能力和協(xié)同優(yōu)勢，筑高自身的競爭壁壘。

而英諾賽科、能華微等專業(yè)型廠商技術專注度高、創(chuàng)新速度快、決策鏈條短、市場靈活性高，能夠以深厚的技術積累，適時調整產品線和業(yè)務戰(zhàn)略，快速響應GaN市場新需求。

綜合而言，不同模式下的廠商實力與水平各有千秋，布局策略和發(fā)展路線也有所不同，目前在新興應用賽道上各方都處于前期起跑蓄力階段，勝負未分。不過，英飛凌、TI等廠商今年明顯向GaN傾注了更多資源，均展現出勇奪龍頭寶座之勢。未來，GaN功率半導體的“天平”將傾向哪一方？答案或許將隨之市場的打開逐步揭曉。（文：集邦化合物半導體 陳佳純）

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source：英飛凌

據了解，該工廠的一期項目投資額高達20億歐元，將重點生產碳化硅功率半導體，并涵蓋氮化鎵外延的生產。目前該工廠已經獲得了總價值約50億歐元的設計訂單，并且收到了來自新老客戶約10億歐元的預付款。

寬禁帶半導體是英飛凌的重點戰(zhàn)略方向，作為全球最大的功率半導體供應商，目前英飛凌在碳化硅和氮化鎵兩大領域均未拿下龍頭寶座。對于碳化硅領域，據TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023年英飛凌的營收市占率約16.5%，排名第三。

為了維持在功率半導體領域的龍頭地位，英飛凌努力將硅基業(yè)務的發(fā)展保持在市場的平均增速，同時將研發(fā)資源和資金重點投入到碳化硅領域。英飛凌是第一家將商用碳化硅產品推向市場的公司，在2001年便推出了碳化硅二極管，同時其對溝槽柵碳化硅MOSFET的部署也處于市場領先地位。

隨著Kulim 3工廠的投產，英飛凌將擁有更強的成本競爭力，也有望推動其市場地位的提升。后續(xù)英飛凌將重點著力于兩項工作，即Kulim 3工廠的產能提升和8英寸晶圓轉型。

對于具體市場而言，在車用碳化硅領域，英飛凌仍然保持著良好的發(fā)展勢頭。隨著汽車市場迅速變化，具有性價比的創(chuàng)新是未來英飛凌的關鍵優(yōu)勢，特別是在封裝和系統(tǒng)理解層面。另外，彈性的供應鏈是其另一大優(yōu)勢。

與此同時，AI數據中心的迅速發(fā)展正在拉升寬禁帶半導體需求。對此，英飛凌不久前公布了針對AI數據中心的電源裝置（PSU）產品路線圖，展現了硅、碳化硅和氮化鎵三種半導體材料的混合應用方案，來幫助數據中心系統(tǒng)提升效能。

英飛凌預計，來自AI電源領域的營收將在FY2025實現同比翻番，同時將在2~3年內突破10億歐元。
整體而言，Kulim 3工廠的啟動對于英飛凌意義非凡，有助于其在SiC領域的競爭力更上一層樓。同時，對于馬來西亞這一正在崛起的半導體中心而言，英飛凌的投資也進一步增強了當地的產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。（集邦化合物半導體Rany）

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英飛凌2024財年Q3營收和凈利潤小幅增長

8月5日，英飛凌官微披露了其2024財年第三季度財報（截至2024年6月30日）。財報顯示，英飛凌2024財年第三季度營收和凈利潤實現小幅增長，預計2024財年第四季度將進一步改善，整個2024財年的營收預期符合之前給出的業(yè)績指導范圍。

具體來看，在2024財年第三季度，英飛凌營收小幅增至37.02億歐元（約289.36億人民幣），比上一季度的36.32億歐元增長了2%。其營收增長的主要貢獻來自汽車（ATV）和功率與傳感器系統(tǒng)（PSS）部門，綠色工業(yè)電源（GIP）和互聯安全系統(tǒng)（CSS）部門的營收與上一季度幾乎持平。

2024財年第三季度，英飛凌的毛利率提高到40.2%，相比上一季度的38.6%有所增長。調整后的毛利率增加到42.2%，與第二季度的41.1%相比同樣有所提升。

英飛凌2024財年第三季度的凈利潤從上一季度的7.07億歐元提高到7.34億歐元（約57.37億人民幣），利潤率提高到19.8%，第二季度的利潤率為19.5%。

業(yè)務進展方面，據外媒報道，今年6月，英飛凌完成了位于馬來西亞居林的8英寸碳化硅晶圓廠第一階段建設。英飛凌計劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開始生產碳化硅。據了解，該晶圓廠總投資達70億歐元。

展望未來，假設匯率為1美元兌1.10歐元，英飛凌預計在2024財年第四季度實現營收約40億歐元，在此基礎上，利潤率預計將達到20%左右；基于前三季度的業(yè)績表現以及對第四季度的業(yè)績展望，英飛凌預計整個2024財年的營收將達到150億歐元左右，利潤率約為20%，調整后的毛利率預計在40%至45%之間。

Axcelis Q2營收2.565億美元，碳化硅成為關鍵增長動力

7月31日，Axcelis公布了截至2024年6月30日的第二季度財報。財報顯示，Axcelis 2024年第二季度實現營收2.565億美元（約18.33億人民幣），而2024年第一季度的營收為2.524億美元，環(huán)比增長1.62%；本季度毛利率為43.8%，第一季度為46.0%；本季度營業(yè)利潤為5280萬美元，營業(yè)利潤率20.6%，第一季度為5650萬美元；本季度凈利潤為5090萬美元（約3.64億人民幣），攤薄后每股收益1.55美元，而第一季度為5160萬美元，攤薄后每股收益1.57美元。

關于業(yè)績表現，Axcelis總裁兼首席執(zhí)行官拉塞爾·洛（Russell Low）表示，Axcelis在第二季度實現了強勁的財務業(yè)績，超出了預期。這得益于功率器件部門的持續(xù)強勁需求，碳化硅仍然是Axcelis的關鍵增長驅動力。

業(yè)務進展方面，今年4月17日，Axcelis宣布向知名碳化硅功率器件芯片制造商交付多批Purion Power系統(tǒng)離子注入器系統(tǒng)。這些設備包括Purion H200 SiC大電流、Purion XE SiC高能和Purion M SiC中電流注入機，且均在第一季度發(fā)貨。這些6英寸和8英寸設備將用于支持汽車、工業(yè)、能源和其他電力密集型應用的功率器件的大批量生產。

值得一提的是，今年上半年在不到一個月時間內，Axcelis已完成三起碳化硅設備訂單的出貨，客戶包括中國、日本等地的功率器件制造商。

展望第三季度（截至2024年9月30日），Axcelis預計營收約為2.55億美元，每股攤薄收益約為1.43美元。（集邦化合物半導體Zac整理）

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source：寧波江豐電子材料股份有限公司

全球最大8英寸碳化硅工廠即將落成

7月24日，英飛凌在社交平臺上發(fā)布了一則視頻，官宣其馬來西亞居林第三工廠將在8月份舉行晶圓廠落成典禮，并將于年底開始生產碳化硅產品。這意味著全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠正式進入投產倒計時。

據悉，英飛凌于2022年2月宣布將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三廠區(qū)，建成后將用于生產碳化硅和氮化鎵功率半導體產品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20億歐元的收入。

2023年8月，英飛凌又宣布在原始投資之上，大幅擴建居林晶圓廠，投建全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠，且在未來五年內，將再投入高達50億歐元用于馬來西亞居林第三廠區(qū)的二期建設。至此，居林工廠計劃投資總額從20億歐元增至70億歐元。

隨著英飛凌馬來西亞居林第三工廠的投產，全球碳化硅產能有望進一步擴大，碳化硅器件的成本也將逐步降低，從而推動碳化硅技術在更多領域的應用和普及。

目前，除英飛凌外，國內外各大碳化硅頭部廠商均積極布局8英寸。國際廠商方面，Wolfspeed是最早量產8英寸碳化硅晶圓的廠商；意法半導體將從明年第三季度開始將其碳化硅功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸；三菱電機位于熊本縣正在建設的8英寸碳化硅晶圓廠將提前開始運營，該工廠的運營日期從2026年4月變更為2025年11月，運營時間提前了約5個月。

國內三安半導體、南砂晶圓、士蘭微等企業(yè)也都在推進8英寸轉型：三安半導體在長沙擁有一條從粉料到長晶-襯底-外延-芯片-封測的8英寸碳化硅全產業(yè)鏈產線，今年將實現通線；南砂晶圓計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸碳化硅襯底生產基地；士蘭微旗下士蘭集宏半導體的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線項目也已正式開工。

年產15萬片，這個碳化硅相關項目正式開工

8月1日，據“臨平經開區(qū)”官微消息，臨平政工出〔2024〕3號年產15萬片集成電路核心零部件產業(yè)化項目正式開工。

該項目主導方為江豐電子控股公司杭州睿昇半導體科技有限公司（以下簡稱睿昇半導體），主要從事集成電路用易脆材料零部件的研發(fā)、生產和銷售，聚焦于易脆材料核心零部件的定制化配套生產和國產化替代，主要生產各種復雜結構的半導體硅電極、硅環(huán)等易脆材料零部件產品。

據介紹，該項目總用地面積約55畝，總建筑面積達58483平方米，將專注于石英、硅、陶瓷、碳化硅等集成電路核心零部件的生產，旨在為國內外設備廠及晶圓廠提供定制化的產品和服務。

作為該項目主導方睿昇半導體的母公司，江豐電子創(chuàng)建于2005年，專業(yè)從事超大規(guī)模集成電路制造用超高純金屬材料及濺射靶材的研發(fā)生產。

盡管碳化硅業(yè)務并非其主業(yè)，但江豐電子去年12月在投資者互動平臺表示，其通過控股子公司從事研發(fā)、生產和銷售碳化硅半導體外延晶片業(yè)務，目前相關產線建設正在積極推進中，已具備一定的生產能力。隨著此次新項目開工，江豐電子碳化硅產業(yè)布局進一步加深。（集邦化合物半導體Zac整理）

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據集邦化合物半導體觀察，本屆慕尼黑上海電子展匯聚了英飛凌、德州儀器、湖南三安半導體、泰科天潤、華潤微、英諾賽科、鎵未來、平偉實業(yè)、飛锃半導體、天域半導體、捷捷微電、聚能創(chuàng)芯、清純半導體、極海半導體、矽力杰半導體、杰平方半導體、芯達茂微電子、方正微電子、氮矽科技、納芯微、瞻芯電子、揚杰科技、東科半導體、國基南方、能華半導體、愛仕特、威兆半導體、中微半導體、晶彩科技、蓉矽半導體、宇騰電子、昕感科技、瀚薪科技、瑞能半導體、極海半導體、翠展微電子、Vishay威世科技、Qorvo等眾多第三代半導體領域知名廠商，展示了第三代半導體SiC、GaN在電子行業(yè)豐富多樣的應用案例，彰顯了第三代半導體對于電子行業(yè)發(fā)展的巨大推動作用，各大廠商亮點展品匯總如下：

三安半導體

本屆展會，三安半導體帶來了8英寸SiC襯底/外延、SiC二極管、SiC MOSFET等各類產品。

三安半導體擁有完備的SiC二極管產品系列，包含650V/1A-50A，1200V/1A-60A以及1700V等不同電壓電流平臺，累計出貨量2億顆，目前已迭代至第5代產品。三安半導體SiC MOSFET系列產品覆蓋650V-1700V、8mΩ-1Ω范圍，應用領域包括光伏儲能、車載充電機、充電樁、電驅動系統(tǒng)等。

此外，基于三安1700V 1Ω高性能SiC MOSFET產品，三安半導體自主設計了高壓反激電源參考板demo，分為直插焊接式和IMS插拔式兩個版本，具有高效率、小體積、高功率密度等特點。

英飛凌

在本屆展會，英飛凌帶來了覆蓋工業(yè)、光伏儲能、智能家居、新能源汽車等領域的圍繞第三代半導體的最新產品及解決方案。

在電動汽車展區(qū)，英飛凌進行了一系列技術演示，其中包括使用英飛凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模塊的電機控制器系統(tǒng)演示，該系統(tǒng)集成了Aurix TC3XX、第二代1200V SiC HybridPACK Drive模塊、第三代EiceDrive驅動芯片1EDI30XX、無磁芯電流傳感器等。

在功率電源領域，英飛凌六月最新推出的中壓CoolGaN器件也亮相本屆展會，英飛凌還展出了基于中壓氮化鎵的2KW馬達驅動解決方案。

德州儀器

本屆展會，在能源基礎設施方面，德州儀器（TI）展示了用于打造更安全、更智能、更可靠的太陽能系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)的基于氮化鎵的1.6kW雙向微型逆變器參考設計（TIDA-010933），以及采用TI氮化鎵LMG2100R044、搭載TI第三代C2000 TMS320F280039C的正浩創(chuàng)新（EcoFlow）800W車載超充。

在機器人領域，TI展示了適用于機器人和伺服驅動器的三相GaN逆變器，以及專為BLDC電機系統(tǒng)設計的先進650V三相GaN IPM。

泰科天潤

本屆展會，泰科天潤帶來了6英寸SiC MOSFET、Si IGBT+SiC Diode混合單管、SiC 2in1半橋模塊等各類產品。

其1200V/80mΩ SiC MOSFET閾值電壓高達3.6V，能夠顯著降低橋臂短路風險。雪崩能量超過1000mJ，擊穿電壓超過1500V以上，保障了器件在應用過程中安全可靠的運行。此外，其導通電阻隨溫度增大的比例與業(yè)內同行相比更確保在高溫運行時依舊具有較低的導通損耗。

目前，泰科天潤1200V40/80mΩ SiC MOSFET已經應用在大功率充電模塊上，累計經受了88萬小時的電動汽車充電實戰(zhàn)應用，包括夏季戶外高溫場景，累計為新能源汽車進行了800多萬度電的超快充電。

泰科天潤還展示了超巧致精系列SUPERSMART易用·快捷·高效SiC 2in1半橋模塊，致力于打造低成本SiC模塊解決方案。該模塊具備高電壓耐受力、快速開關速度、NTC溫度監(jiān)控、簡化研發(fā)設計、提高功率密度、內部絕緣設計等特點。

英諾賽科

本屆展會，英諾賽科在產品方面重點展示了VGaN雙向導通系列產品、SolidGaN合封系列產品等。

應用方案也比以往更加豐富，英諾賽科此次在展臺展示了用于光伏與儲能場景的2kW微逆方案、3kW雙向儲能方案，用于數據中心的2kW PSU電源模塊方案、1kW DCDC模塊電源，用于汽車電子的2kW 400V DC/DC方案，用于消費與家電的240W LED驅動方案，500W電機驅動方案以及4kW PFC（空調）方案。

揚杰科技

本屆展會，揚杰科技帶來了最新系列產品和全面應用解決方案。

其中包括SiC、IGBT、MOSFET等各類新品在變頻器、充電樁充電模塊、光伏逆變器、儲能逆變器等場景中的應用解決方案。

東科半導體

本屆展會，東科半導體重點展示了全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。芯片采用三合一設計，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅動+半橋GAN器件，實現了優(yōu)異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領域，東科半導體還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC電源管理芯片DK0XX/DK80XXAP系列。產品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關頻率，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路。

國基南方

本屆展會，國基南方帶來了SiC功率器件與模塊、FRED器件、OLED微顯示器件與模組、AR眼鏡、紫外探測成像組件、GaN/GaAs射頻芯片和模塊、聲表濾波器、射頻開關、封裝管殼與掩膜版等多種產品，廣泛應用于通信基站、移動終端、新能源汽車、風光發(fā)電與儲能、智能穿戴、衛(wèi)星互聯網、低空飛行器、高壓電網等戰(zhàn)略性新興產業(yè)領域。

晶彩科技

本屆展會，晶彩科技帶來了第三代半導體SiC單晶專用的多晶粉體、高純碳粉、高純石墨件、高純石墨氈等多款產品。

晶彩科技半導體級3C晶型大顆粒SiC多晶粉主要針對SiC單晶不同生長工藝特殊的需求，粒徑可達百微米，屬于國內首創(chuàng)技術，產品純度達到6N。

其中，半絕緣型半導體級SiC多晶粉主要針對半絕緣型SiC單晶的生長需求，粒徑可實現百微米到毫米級精準控制，產品純度可達到6N和6.8N兩個級別，氮含量低于0.5ppm；導電型半導體級SiC多晶粉主要針對導電型SiC單晶的生長需求，粒徑和產品純度與半絕緣型半導體級SiC多晶粉相當，氮含量可根據需求選擇不同含量區(qū)間(<20ppm；20ppm-40ppm；40ppm-60ppm；>60ppm)類型。

蓉矽半導體

本屆展會，蓉矽半導體重點展示了SiC MOSFET/二極管EJBS，以及光伏逆變器、新型儲能方案、直流充電樁和新能源汽車等領域應用解決方案。

在光伏逆變器主拓撲應用中，蓉矽半導體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于硅基二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導體EJBS+SiC MOSFET方案可將開關頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。

宇騰電子

本屆展會，宇騰電子帶來了6英寸硅基GaN功率器件晶圓、4英寸藍寶石基GaN外延片、4英寸SiC基GaN外延片、6英寸硅基GaN外延片等系列產品。

宇騰電子致力于光電與半導體產業(yè)相關設備升級與改造；第三代半導體GaN外延片、5G光通訊厚氧化層外延硅片設計生產；MOCVD反應室專用石英與石墨制品設計生產等，為客戶提供定制化產品與服務。

鎵未來

本屆展會，鎵未來帶來了兩款車規(guī)級GaN新品，封裝形式分別為ITO-247PLUS-3L和TSPAK-DBC。

其中，ITO-247PLUS-3L為插件式封裝，管腳大小、位置、功能兼容傳統(tǒng)TO-247（PLUS）-3L封裝，散熱基板可以通過使用導熱硅脂壓緊或直接使用焊料焊接在散熱器上，實現更低的系統(tǒng)熱阻(RTH，J-HS)，散熱基板可以滿足至少2.5KV電氣隔離，還可根據客戶需求，提供ITO-247-3L封裝版本（帶緊固鎖孔)。

TSPAK-DBC則為頂部散熱表貼式封裝，散熱基板可以滿足最高4.5KV電氣隔離要求，可以實現高效率自動化組裝，并具有極高的板級可靠性TCOB。

昕感科技

本屆展會，昕感科技展示的SiC器件產品涵蓋650V/1200V/1700V等不同電壓等級，導通電阻覆蓋從7mΩ-1000mΩ各種等級，功率模塊擁有汽車級與工業(yè)級SiC模塊。

目前，昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數十款SiC器件和模塊產品量產，部分產品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。其中，1200V SiC MOSFET產品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導通電阻規(guī)格，模塊產品對標EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式，產品廣泛應用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)控制等領域。

納芯微電子

本屆展會，納芯微電子圍繞汽車電子、工業(yè)控制、可再生能源與電源等應用領域，展示了其傳感器、信號鏈、電源管理三大方向的創(chuàng)新產品和解決方案。

在可再生能源領域，提高母線電壓，降低電流是降本增效直接有效的辦法，因此，支持更高電壓的SiC功率器件正越來越多地應用于光儲系統(tǒng)中。本次展會上，納芯微展示了用于驅動SiC功率器件的隔離驅動產品，包括帶米勒鉗位功能、可避免功率器件誤導通的NSI6801M，以及在過流的情況下，通過DESAT功能來保障功率器件不損壞的NSI68515。

瀚薪科技

本屆展會，瀚薪科技展示了最新的國產化第三代1200V SiC MOSFET產品系列，支持15/18V驅動，這一系列產品涵蓋16mΩ、25mΩ、40mΩ、75mΩ及120mΩ多種RDS(on)規(guī)格，在18V驅動下指標表現更優(yōu)，并支持瀚薪科技自主知識產權的頂部散熱封裝。

瀚薪科技同時展出了第二代1700V 500mΩ、750mΩ、1Ω規(guī)格的SiC MOSFET以及3300V 60Ω的第三代SiC MOSFET。在SiC模塊方面，瀚薪科技展示了750V及1200V的三相全橋模塊。

方正微電子

本屆展會，方正微電子展示了應用于新能源汽車、光儲充、數據中心、消費電子等領域的SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT等系列產品。

其中，應用于新能源汽車、光儲充、數據中心等場景的1200V SiC SBD、SiC MOSFET產品覆蓋16mΩ-60mΩ、15A-40A；應用于消費電子場景的GaN HEMT系列產品覆蓋150mΩ-500mΩ，助力打造體積更小、轉換更快、能耗更低的消費電子產品。

氮矽科技

本屆展會，氮矽科技帶來了涵蓋從低壓到高壓應用的全系列GaN產品及方案。

其中包括E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN四大產品線，廣泛應用于消費電子、數據中心、鋰電池以及新能源汽車等領域。

能華半導體

本屆展會，能華半導體展出了一系列以D-Mode氮化鎵技術為基礎的功率氮化鎵器件以及6英寸和8英寸的D-Mode和E-Mode氮化鎵晶圓產品。據稱，能華半導體是國內唯一同時量產了D-Mode和E-Mode氮化鎵的IDM公司。

能華半導體推出的氮化鎵產品最高耐壓達到了1200V，內阻低至80毫歐，產品封裝形式多樣，涵蓋了從貼片類的DFN、TO252，到插件類的TO系列，再到面向工業(yè)級和車規(guī)級市場的TO247、TOLL封裝。

公開資料顯示，能華半導體于2010年成立，是全球為數不多同時掌握增強型GaN技術、耗盡型GaN技術以及耗盡型GaN直驅方案的半導體公司，其采用IDM全產業(yè)鏈模式，致力于硅基GaN（GaN-on-Si）、藍寶石基GaN（GaN-on-Sapphire）、碳化硅基GaN（GaN-on-SiC）晶圓與器件的研發(fā)、設計、制造與銷售，其6英寸/8英寸GaN晶圓和功率器件涵蓋650V-1200V，目前產能為6000片/月。

愛仕特

本屆展會，愛仕特帶來了650-3300V的SiC MOSFET（包括最新3300V大電流產品）、650-1700V的SiC功率模塊以及在新能源汽車、光儲充等領域的SiC功率轉換解決方案等產品。

其中，3300V/60A大電流SiC MOSFET產品采用了愛仕特第三代SiC MOSFET技術，具備3300V高壓、60A大電流、58mQ低導通電阻等特性，低開關損耗支持更高開關頻率運行，高耐用性的封裝實現更高可靠性及更長的壽命周期，半導體芯片面積更小實現更加優(yōu)化的成本效益，應用領域包括列車牽引系統(tǒng)、不間斷電源、工業(yè)電機驅動、重型車輛、智能電網3300Vac牽引變頻器、光伏逆變器、儲能電源、高壓DC/DC變換器特種軍用車等大功率高端細分領域。

瞻芯電子

本屆展會，瞻芯電子帶來了SiC分立器件和模塊、驅動和控制芯片產品，以及多種參考設計方案。

在SiC器件方面，瞻芯電子展示了最新的第三代1200V SiC MOSFET系列產品，同時展出多種新規(guī)格，包括1700V、2000V和3300V電壓等級產品。

在SiC模塊方面，瞻芯電子展示了用于光伏MPPT的2000V 4相升壓3B模塊，以及用于EV主驅的SiC HPD和DCM模塊。

在SiC驅動IC方面，瞻芯電子展示了最新的比鄰驅動?系列芯片，包括具有隔離功能且集成負壓驅動或短路保護功能的SiC專用驅動芯片IVCO141x。

瑞能半導體

本屆展會，瑞能半導體帶來了最新的SiC頂部散熱封裝及SiC功率模塊，采用先進環(huán)保無鉛工藝的可控硅器件，新一代IGBT產品，以及專注超級充電樁的二極管車規(guī)級產品等各類產品，覆蓋了光伏、工業(yè)、汽車等應用領域。

瑞能BYC100MW-600PT2在保持反向恢復性能基本不變的情況下，降低VF，減少導通損耗，確保了40KW模塊的量產；瑞能WND60P20W在充電模塊中也提高了二極管的雪崩能力，使得在異常情況下，二極管可以耐受更多的雪崩能量，提高了器件的可靠性。

萃錦半導體

本屆展會，萃錦半導體帶來了SiC MOSFET、IGBT、SJ MOS以及超薄晶圓等各類產品。

目前，萃錦半導體產品涵蓋600V至2200V電壓范圍的SiC MOSFET、硅基超結Si SJ MOSFET等分立器件，主要應用于新能源汽車、充電樁、光伏、儲能、風電、工業(yè)驅動等場景和領域。

聚能創(chuàng)芯

本屆展會，聚能創(chuàng)芯展示了硅基GaN外延、650V GaN功率器件等系列產品。

聚能創(chuàng)芯主要從事硅基氮化鎵（GaN）的研發(fā)、生產和銷售，專注于為業(yè)界提供高性能、低成本的GaN功率器件產品和技術解決方案。聚能創(chuàng)芯旗下聚能晶源主要從事氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)、設計、制造和銷售，致力于為客戶提供大尺寸、高性能GaN外延解決方案與材料產品。目前，聚能晶源產品線包括AIGaN/GaN-on-Si、P-cap AlGaN/GaN-on-Si、GaN-on-HR Si，覆蓋GaN功率與微波器件應用。

翠展微電子

本屆展會，翠展微電子發(fā)布了全新的TPAK封裝解決方案。TPAK封裝是專為克服TO-247等傳統(tǒng)封裝方案缺陷而設計的，該方案具有高功率密度、可擴展性好、可靠性高、抗震動性能強等優(yōu)點，能夠滿足新能源汽車市場對高集成度、高性價比功率半導體產品的需求。

此外，翠展微電子推出了基于IGBT和SiC的TO247 PLUS和TPAK產品，還通過采用銅Clip工藝實現了器件的高可靠性、低熱阻和低雜散電感性能。

Vishay威世科技

本屆展會，Vishay在現場展示了各類無源和分立半導體解決方案。

Vishay最新發(fā)布的1200V MaxSiC系列SiC MOSFET器件采用工業(yè)應用標準封裝，具有45mΩ、80mΩ和250mΩ三種可選導通電阻，同時提供定制產品。此外，Vishay將提供650V至1700V SiC MOSFET路線圖，導通電阻范圍10mΩ到1Ω，包括計劃發(fā)布的AEC-Q101標準車規(guī)級產品。

Qorvo

本屆展會，Qorvo展出的1200V SiC模塊采用緊湊型E1B封裝，可以取代多達四個分立式SiC FET，從而簡化熱機械設計和裝配。并且這些模塊搭載獨特的共源共柵配置，最大限度地降低導通電阻和開關損耗，極大地提升能源轉換效率。這些SiC模塊可廣泛應用于電動汽車設計中，以提高能量轉化效率、減少散熱需求，從而增強汽車的充電效率和續(xù)航里程。

為發(fā)揮SiC器件的全部潛力，Qorvo推出了面向模擬與混合信號仿真的QSPICE仿真軟件。QSPICE具有卓越SPICE技術基礎功能的全新SPICE代碼，實現了全新一代混合模式電路仿真。通過提升仿真速度、功能和可靠性，為電源和模擬設計帶來更高的設計效率。

小結

從本屆展會三代半相關廠商重點展品來看，1200V和650V系列產品已占據SiC和GaN賽道C位，同時，各大廠商正在向1700V、3300V等更高電壓等級產品邁進，顯示了SiC和GaN在電力電子行業(yè)應用向高壓大功率發(fā)展趨勢。

以SiC和GaN為代表的第三代半導體對于綠色能源產業(yè)發(fā)展的重要推動作用也在日益顯現，能夠幫助實現更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。在當前綠色低碳化轉型的大背景下，以SiC和GaN為代表的第三代半導體擁有巨大的發(fā)展?jié)摿瓦h景發(fā)展空間，將在新能源汽車、光儲充、電力電子等場景和領域持續(xù)滲透，產業(yè)鏈上下游廠商也將獲得發(fā)展機遇。（文：集邦化合物半導體Zac）

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source：英飛凌

英飛凌計劃于今年8月正式啟用居林Module 3廠區(qū)，并于2024年底開始生產SiC。據了解，該晶圓廠總投資為70億歐元，其也是馬來西亞政府1000億美元計劃的核心。

目前，SiC產線的生產設備正在安裝中，晶圓廠氣體的設計可適應新型設備、產量和結構要求。
報道稱，英飛凌和Wolfspeed將爭奪全球最大的8英寸SiC晶圓廠的頭銜，但雙方都沒有披露具體產能計劃。

而在不久前，意法半導體宣布將在意大利卡塔尼亞（Catania）投資50億歐元，建造全球首個綜合碳化硅晶圓工廠。該工廠以8英寸工藝為基礎，計劃于2026年開始生產，并于2030年滿負荷運行。（集邦化合物半導體Morty編譯）

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source：小米汽車

此外，英飛凌還將為小米汽車提供更廣泛的產品，包括 EiceDRIVER柵極驅動器和十多個用于各種應用的微控制器。兩家公司還同意在SiC汽車應用方面進一步合作，以充分利用英飛凌SiC產品組合的優(yōu)勢。

小米身為智能手機制造商，于三月份開始銷售其首款電動汽車。該公司旨在通過其高端SU7 Max撼動電動汽車市場，其售價為299,900元人民幣（41500美元），而特斯拉Model S的售價為684,900元人民幣，保時捷電動車的售價為150萬元人民幣。

小米汽車副總裁兼供應鏈部總經理黃振宇表示：“英飛凌是重要的合作伙伴，在功率半導體領域擁有領先的技術和彈性制造能力，以及高度可擴展的微控制器產品組合。兩家公司的合作不僅有利于穩(wěn)定小米汽車的SiC供應，也有利于我們?yōu)榭蛻舸蛟旄咝阅堋踩煽?、功能領先的豪華汽車?！?/p>

英飛凌汽車事業(yè)部總裁 Peter Schiefer 表示：“我們非常高興與小米汽車等充滿活力的企業(yè)合作，為他們提供SiC產品，旨在進一步提高電動汽車的性能。作為汽車行業(yè)的領先合作伙伴，我們憑借廣泛的產品組合、系統(tǒng)理解和多站點制造基地，在塑造未來移動出行方面處于有利地位?！?/p>

根據國際能源署（IEA）的數據，去年全球電動汽車銷量接近1400萬輛，其中95%來自中國、歐洲和美國。IEA表示，中國是最大的電動汽車市場，占2023年新電動汽車注冊量的近60%。近25%的電動汽車銷量來自歐洲，10%來自美國。

隨著電動汽車和綠色能源需求的加速增長，全球對SiC芯片的爭奪也日趨白熱化。SiC是一種寬禁帶半導體材料，它可以承受高電壓和高溫。這些芯片主要用于電動汽車電驅逆變器和充電系統(tǒng)，以及光伏、風電等綠色能源領域。

英飛凌正在擴大其位于馬來西亞和奧地利的SiC產能，并與Stellantis、現代等汽車制造商簽署了此類芯片的長期供應協(xié)議。

多家芯片制造商正在關注中國的汽車半導體市場。美國芯片制造商英偉達早些時候表示，將深化與一系列中國電動汽車制造商的合作關系，其中包括比亞迪，以開發(fā)專為人工智能和自動駕駛應用而設計的先進的下一代車載計算芯片平臺。（集邦化合物半導體Morty編譯）

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2023年，新能源汽車市場高速增長帶動SiC功率器件加速“上車”，英飛凌、意法半導體、博世等器件廠商直接受益，從而實現營收凈利雙雙增長，展現出強大的盈利能力；器件需求持續(xù)走高刺激Wolfspeed、Coherent等襯底廠商增資擴產，資本支出加大導致業(yè)績承壓，面臨的首要任務是實現扭虧為盈。

國際SiC廠商業(yè)績一覽

在集邦化合物半導體本次統(tǒng)計的12家廠商當中，X-fab、博世、愛思強、Axcelis、意法半導體、英飛凌、三菱電機在2023年都處于盈利狀態(tài)，且營收和凈利潤都實現了一定程度的增長。

其中，X-fab去年全年營收9.068億美元，同比增長23%；EBITDA利潤為2.456億美元，同比增長82%。2023年，SiC業(yè)務為X-fab貢獻了0.73億美元收入。

博世2023年營收916億歐元，同比增長4%；集團全年EBIT利潤46億歐元，同比增長24.32%。2023年，博世汽車事業(yè)部在傳統(tǒng)燃油技術以及新能源汽車領域表現亮眼，銷售額同比增長7%，達563億歐元；工業(yè)事業(yè)部銷售額同比增長8%，至75億歐元；能源與建筑技術事業(yè)部銷售額增長9%，至76億歐元，主要得益于全球市場對可再生制熱以及高能效技術的強勁需求。

2023年全年，得益于SiC及GaN功率器件市場需求推動，愛思強營收約為6.3億歐元，同比增長36%；凈利潤為1.45億歐元，同比增長45%。其中，SiC/GaN設備收入分別占其2023年設備總收入的75%、全年總收入的63%，約為3.97億歐元。

Axcelis（亞舍立）2023年營收11.3億美元，同比增長23%，凈利潤為2.463億美元，同比增長35%。2023年中國市場貢獻了Axcelis 40%到60%的收入，其中SiC訂單表現突出，成為Axcelis主要市場之一。

意法半導體2023年營收172.9億美元，增速7.2%；凈利潤42.1億美元，增速6.3%。2023年，意法半導體汽車產品和功率分立器件營收雙雙增長，營業(yè)利潤6.57億美元，增長39.7%，營業(yè)利潤率為31.9%，而2022年同期為27.7%。

英飛凌2023年營收160.59億歐元，同比增長6.99%；凈利潤40.22億歐元，同比增長9.40%。2023年，英飛凌在電動汽車、可再生能源發(fā)電和能源基礎設施方面的業(yè)務增長強勁。

安森美2023年營收82.53億美元，與2022年相比基本持平；凈利潤21.84億美元，同比增長14.8%。2023年，安森美汽車業(yè)務收入創(chuàng)紀錄，達43億美元，同比增長29%，SiC業(yè)務收入同比增長4倍。

2023年，羅姆、納微半導體、Wolfspeed、Coherent四家廠商業(yè)績表現不盡人意。其中，羅姆營收凈利雙雙下滑，納微半導體、Wolfspeed、Coherent則處于虧損狀態(tài)。

近年來，羅姆正在加快實施SiC投資計劃，計劃在2021-2025年為SiC業(yè)務投入1700億-2200億日元。龐大的投資計劃，或對羅姆2023年業(yè)績造成了一定的負面影響。

盈虧背后的SiC產業(yè)現狀

2023年，SiC產業(yè)部分國際巨頭賺得盤滿缽滿，還有部分廠商只能無奈吞下增收不增利甚至是虧損的苦果。簡單梳理一下，不難發(fā)現，從SiC產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)來看，戰(zhàn)績較佳企業(yè)大多為SiC設備、器件/模塊相關廠商。

其中，愛思強和Axcelis兩家SiC設備廠商2023年營收凈利均實現了兩位數增長，增速較快。具體來看，愛思強G10-SiC可支持客戶向8英寸晶圓過渡，去年該產品貢獻了設備總收入的約三分之一，推動愛思強在SiC領域的市場份額達50-60%。2023年，SiC設備業(yè)務營收占Axcelis總營收的34%，成為其業(yè)績重要組成部分和增長動力。

SiC作為當下十分火熱的賽道之一，市場規(guī)模正在持續(xù)增長，據TrendForce集邦咨詢《2023全球SiC功率半導體市場分析報告》數據，2022年全球SiC功率器件市場規(guī)模約16.1億美元，至2026年可達到53.3億美元，CAGR達35%。SiC產業(yè)正在高速發(fā)展，設備作為SiC產業(yè)鏈中的重要一環(huán)，市場需求隨之快速上行。

但由于SiC材料具備高硬度、高熔點、高密度等特性，導致襯底切磨拋加工過程非常緩慢，外延生長所需溫度極高且工藝窗口很小，芯片制程工藝也需要高溫高能設備制備等，這些不利因素造成SiC設備具有一定的技術門檻。

而SiC器件從材料到封裝，涉及多個環(huán)節(jié)，所需設備眾多，廠商如果針對襯底制備、外延生長、芯片封裝等任一環(huán)節(jié)研發(fā)出契合用戶需求的關鍵設備，就有望收獲可觀的銷售業(yè)績，進而促進整體營收增長。

目前，國內SiC產業(yè)在材料生長、切磨拋裝備和表征設備等方面一定程度上仍然需要依賴進口，這是由于國內在關鍵裝備方面與國外先進水平仍存在技術差距。伴隨著國內SiC產業(yè)快速發(fā)展，裝備國產化勢在必行，在此之前，國際SiC設備廠商得以在中國市場持續(xù)拓展業(yè)務，而中國市場貢獻了Axcelis 近半收入、成為Axcelis主要市場之一，就是一個實例。

與此同時，在汽車電動化趨勢下，國內新能源汽車市場對于SiC器件/模塊需求持續(xù)加大，也對國際半導體巨頭們的2023年業(yè)績有一定的拉動作用，其中包括博世、意法半導體、英飛凌、安森美等廠商。

在2023年底亮相，并在2024年3月28日正式發(fā)布的小米汽車SU7，一經發(fā)布就引發(fā)了廣泛關注，在SiC電控部分，小米SU7單電機版（400V電壓平臺）電驅便搭載了來自博世的SiC芯片。2023年，英飛凌與深圳英飛源（Infypower）合作，為后者提供SiC功率器件，以提高電動汽車充電站效率。安森美與理想汽車簽署供貨協(xié)議，加速SiC器件上車。意法半導體則在2023年與深圳欣銳科技達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)車載充電機OBC系統(tǒng)解決平臺方案。

2023年，部分國際半導體巨頭的SiC器件/模塊業(yè)務抓住了中國市場發(fā)展機遇，獲得了豐厚回報，并在一定程度上成長為整體業(yè)績的增長引擎之一。

羅姆作為SiC器件/模塊國際主流廠商之一，本應該和博世、意法半導體、英飛凌等大廠同樣取得業(yè)績增長，但事實并非如此，大規(guī)模投入或造成羅姆業(yè)績欠佳。2023年7月，羅姆宣布其宮崎第二工廠正在打造8英寸SiC產線，總投資超千億日元。

此外，Wolfspeed、Coherent兩大SiC襯底巨頭2023年均虧損較大，與二者持續(xù)進行產能擴張有關。在SiC器件需求持續(xù)上漲趨勢下，全球SiC產業(yè)掀起了一股增資擴產熱潮，眾多襯底廠商更是一馬當先。

今年3月，Wolfspeed位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”封頂，該中心總投資高達50億美元，一期建設預計將于2024年底竣工，將制造8英寸SiC晶圓。盡管該項目將顯著擴大Wolfspeed材料產能，但較高的投資額使得Wolfspeed短期業(yè)績承壓，該項目還僅僅只是Wolfspeed近期擴產項目之一。

Coherent則在2022年3月宣布將在美國伊斯頓大規(guī)模建設近30萬平方英尺的工廠，以擴大6英寸和8英寸SiC襯底和外延片的生產。2023年，Coherent又宣布擴大其8英寸襯底和外延片生產的計劃，美國和瑞典的大規(guī)模擴建項目正在進行中。伴隨擴產項目進行的是Coherent源源不斷的資本支出，未能實現盈利也在情理之中。

SiC應用趨勢帶動廠商業(yè)績增長

未來一段時間內，伴隨著SiC材料、器件產能提升，相關設備廠商業(yè)績有望再上一個臺階。其中，愛思強2023年設備訂單積壓量已高達3.537億歐元，顯示了較強的市場影響力，有望在2024年進一步收獲客戶訂單。

2023年，Axcelis與多個地區(qū)的客戶開展3項Purion H200 SiC系統(tǒng)測試，其中2個系統(tǒng)為6英寸，另一個系統(tǒng)為8英寸。Axcelis總裁兼首席執(zhí)行官Russell Low預計在2024年，SiC將占Axcelis系統(tǒng)總收入的50%。

2024年，以新能源汽車為代表的SiC熱門應用場景有望持續(xù)高位運行，各大巨頭相關布局帶來的價值將持續(xù)釋放。其中，意法半導體在2023年底和2024年3月分別與理想汽車和長城汽車兩大國內新能源汽車頭部廠商攜手合作，為其SiC器件/模塊順利拿下大單，并有望以既有合作為基礎，進一步在國內市場吸引合作機會。安森美則在今年1月續(xù)簽了與理想汽車的長期供貨協(xié)議。

從2024年初的一波SiC合作動態(tài)來看，國際SiC器件頭部玩家們基本都正在緊盯中國市場，而在SiC加速上車趨勢下，國際巨頭選擇與國內新能源汽車知名廠商合作，將更好地拓展業(yè)務，收獲更大的業(yè)績增量。其中，安森美預計，到2027年，其銷售額將擴大到139億美元，屆時其將占據SiC汽車芯片市場40%的份額。

未來，隨著SiC應用場景由新能源汽車持續(xù)向更多領域延伸、滲透，巨頭們也將有更多的發(fā)力點，進行前瞻性布局的玩家有望占據先發(fā)優(yōu)勢，并在業(yè)績方面有所體現。

總結

目前，全球SiC產業(yè)增長勢頭喜人，對于產業(yè)鏈上下游廠商而言，都有機會分一杯羹。同時，伴隨著產業(yè)走向成熟、穩(wěn)定，競爭將會日趨激烈，包括國際廠商在內的眾多SiC玩家想要實現業(yè)績穩(wěn)健增長，需要持續(xù)進行技術和產品迭代升級，保持競爭力。

國內廠商在SiC襯底、外延、芯片、設備等方面已進行全面布局，實現國產替代的苗頭正在顯現，國際巨頭面臨的壓力將會越來越大，并反映到業(yè)績方面，如何在這一趨勢下實現良性發(fā)展，已成為相關企業(yè)的必答題。

2023年業(yè)績表現良好，并不代表沒有隱憂，博世、意法半導體、英飛凌等廠商仍然需要積極應對市場趨勢變幻；對于正在大手筆投資擴產的Wolfspeed、Coherent等廠商而言，業(yè)績不佳是暫時的，如果能夠積極接洽，提前鎖定用戶產能需求，未來達產之日，就是業(yè)績反轉之時。（文：集邦化合物半導體Zac）

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