35skins开箱网,久碰人妻人妻人妻人妻人掠,尤物精品国产第一福利网站 http://teatotalar.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會(huì)以及分析報(bào)告。 Wed, 06 Nov 2024 08:13:41 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 國內(nèi)實(shí)現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破 http://teatotalar.com/Company/newsdetail-70023.html Wed, 06 Nov 2024 08:13:41 +0000 http://teatotalar.com/?p=70023 近日，松山湖材料實(shí)驗(yàn)室第三代半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì)，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)，成功基于2~6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制備了高性能GaNHEMTs晶圓。

得益于AlN單晶復(fù)合襯底的材料優(yōu)勢(shì) (位錯(cuò)密度居于2×108 cm-2數(shù)量級(jí))，AlGaN緩沖層厚度降至350 nm，外延成本大幅下降，且有效控制晶圓翹曲。

研究發(fā)現(xiàn)，AlN單晶復(fù)合襯底表面存在的Si、O雜質(zhì)會(huì)造成寄生漏電通道，使得HEMTs器件無法正常關(guān)斷。團(tuán)隊(duì)據(jù)此創(chuàng)新提出二次生長(zhǎng)AlN埋層方法覆蓋雜質(zhì)層，使其在超寬禁帶材料中無法離化，從而顯著抑制漏電。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示，團(tuán)隊(duì)所提出的350 nm無摻雜超薄AlGaN緩沖層的橫向擊穿電壓輕松突破10 kV，HEMTs器件關(guān)態(tài)耐壓超8 kV，動(dòng)態(tài)電流崩塌＜20%，閾值電壓漂移＜10%，初步通過可靠性評(píng)估。

GaNHEMTs晶圓

圖：基于6英寸AlN單晶復(fù)合襯底制造的GaN晶圓，轉(zhuǎn)移特性曲線，動(dòng)態(tài)輸出特性曲線和動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)移特性曲線（來源：致能科技）

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