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據(jù)報(bào)道，鉆石特別適合用于功率半導(dǎo)體，因?yàn)槠潆姎鈴?qiáng)度約是硅的33倍。鉆石功率半導(dǎo)體可在約五倍熱的環(huán)境中運(yùn)行，電力損耗可減少到硅制產(chǎn)品的五萬(wàn)分之一。

碳化硅和氮化鎵同樣也是備受關(guān)注的下一代半導(dǎo)體材料，但鉆石性能遠(yuǎn)高于兩者。以巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit，BFOM）來看，鉆石性能是碳化硅的80倍以上，是氮化鎵的10倍以上。

鉆石半導(dǎo)體有望用于需要大量穩(wěn)定電源的應(yīng)用，包括電動(dòng)車、飛行汽車和發(fā)電站；其耐高溫和抗輻射特性也有望用于核能和太空等領(lǐng)域。然而，鉆石作為半導(dǎo)體材料也面臨諸多困難，如硬度關(guān)系，很難按電子設(shè)備所需的精度進(jìn)行研磨和加工，同時(shí)長(zhǎng)時(shí)間用于半導(dǎo)體也可能變質(zhì)，此外成本也影響商業(yè)化進(jìn)程。

但據(jù)日經(jīng)報(bào)導(dǎo)，隨著長(zhǎng)時(shí)間發(fā)展，鉆石半導(dǎo)體有望明年至?2030?年間進(jìn)入商業(yè)化階段，日本廠商在該研發(fā)領(lǐng)域進(jìn)展較快。

2023?年，日本佐賀大學(xué)團(tuán)隊(duì)成功開發(fā)世界上第一個(gè)采用鉆石半導(dǎo)體的功率電路；東京精密元件制造商Orbray已開發(fā)2英寸鉆石晶片的量產(chǎn)技術(shù)，很快將開發(fā)4英寸晶圓；日本初創(chuàng)公司Power Diamond Systems開發(fā)出一種鉆石元件，可處理世界領(lǐng)先的6.8安培電流，計(jì)劃幾年內(nèi)開始出樣品；另外一家初創(chuàng)公司Ookuma Diamond Device在福島縣建廠，將量產(chǎn)鉆石半導(dǎo)體，目標(biāo)2026財(cái)年開始營(yíng)運(yùn)。

值得一提的是，研究制造精密設(shè)備的JTEC Corporation擁有電漿拋光高硬度材料表面的獨(dú)特技術(shù)，其已成功拋光世界領(lǐng)先尺寸的單晶鉆石基礎(chǔ)材料，并獲得加工鉆石材料的開發(fā)設(shè)備訂單。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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