鴻鎵科技攜手日本電信集團子公司NTT-AT，將GaN快充導(dǎo)入日本市場販?zhǔn)?，為中國臺灣地區(qū)第一家GaN廠商與日本大廠合作; 雙方持續(xù)擴大合作領(lǐng)域，開發(fā)新款100W GaN快充，估計2024年問世。未來將會與手機大廠一同開發(fā)，將GaN功率元件導(dǎo)入旗下品牌快充、積極跨進國際市場。

在半導(dǎo)體技術(shù)部分，鴻鎵亦積極搶進。隨著AI、電動車、低軌衛(wèi)星應(yīng)用，半導(dǎo)體元件全面導(dǎo)入10nm以下先進制程，然而在封裝過程中，將遇到嚴重靜電效應(yīng)，生產(chǎn)良率降低等問題。鴻鎵科技推出全新領(lǐng)先全球耐高溫300°C、具高耐磨特性的抗靜電技術(shù)，不僅可應(yīng)用于GaN封裝制程良率提升，同時為先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵抗靜電鍍膜于半導(dǎo)體封裝模具及治具，實現(xiàn)可平面、立體鍍膜成果（圖來源：鴻鎵科技）

鴻鎵科技指出，公司研發(fā)團隊長期致力半導(dǎo)體新材料研發(fā)。最新一代抗靜電技術(shù)，可于金屬材料表面形成一層致密、耐高溫的抗靜電層，于表面生成高耐磨且壽命長的納米級鍍膜，精準(zhǔn)控制表面電阻值在10?到10? Ω區(qū)間，有效防止靜電的累積。該技術(shù)不僅在生產(chǎn)過程中提供可靠的防御，還能確保半導(dǎo)體設(shè)備在使用中不會受到靜電的影響，提高產(chǎn)品可靠度，以及延長設(shè)備使用壽命。

鴻鎵進一步分析，此抗靜電技術(shù)除特性優(yōu)于現(xiàn)有抗靜電技術(shù)外，且不受尺寸限制，因此成本相較于現(xiàn)有抗靜電鍍膜技術(shù)具競爭力，并可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的各制程，包括制造、封裝和測試等環(huán)節(jié); 目前已送樣封測大廠測試中，預(yù)估今年在先進鍍膜業(yè)績，便會迅速看到成長。

來源：臺灣中時新聞網(wǎng)

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