鼎鎵半導(dǎo)體指出，此次合作將充分發(fā)揮華中師范大學(xué)在教育、科研等方面的優(yōu)勢(shì)，以及鼎鎵半導(dǎo)體在行業(yè)內(nèi)的技術(shù)實(shí)力和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)合作，華中師范大學(xué)與鼎鎵半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，共同為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
據(jù)了解，除了華中師范大學(xué)，鼎鎵半導(dǎo)體的合作伙伴還包括北京理工大學(xué)、嘉興大學(xué)以及浙江蔚元電子科技有限公司西安研發(fā)中心。
公開(kāi)資料顯示，嘉興鼎鎵半導(dǎo)體是一家以第三代半導(dǎo)體外延片制備、芯片設(shè)計(jì)及相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品開(kāi)發(fā)為主的優(yōu)勢(shì)民企，主要產(chǎn)品是以第三代半導(dǎo)體材料為主的GaN紫外光電半導(dǎo)體芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探測(cè)器、GaN功率芯片、GaN激光器光源等，并向國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)提供上述高新技術(shù)產(chǎn)品。
source：鼎鎵半導(dǎo)體
2022年1月，鼎鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首張GaN 6英寸高功率深紫外LED外延的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)流片，完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試，將傳統(tǒng)50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價(jià)格的三分之一，同時(shí)將高功率固態(tài)半導(dǎo)體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>
據(jù)介紹，鼎鎵半導(dǎo)體在普通藍(lán)寶石襯底的基礎(chǔ)上，引入了全新的半導(dǎo)體材料與AlGaN材料結(jié)合的方式，通過(guò)超晶格結(jié)構(gòu)使用兩類半導(dǎo)體化合物材料優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷，突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結(jié)構(gòu)的限制，實(shí)現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。
經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，外延一致性達(dá)到了97%，峰值波長(zhǎng)在265nm，輸出光功率不低于1500a.u.，核心buffer層厚度突破了4μm。
目前，鼎鎵半導(dǎo)體已獲得多項(xiàng)發(fā)明與實(shí)用新型專利，產(chǎn)品主要應(yīng)用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味，涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領(lǐng)域。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。
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官方消息顯示，鼎鎵半導(dǎo)體是一家以第三代半導(dǎo)體外延片制備、芯片設(shè)計(jì)及相關(guān)應(yīng)用產(chǎn)品研發(fā)為主的研發(fā)先導(dǎo)性科技企業(yè)，主要產(chǎn)品是以第三代半導(dǎo)體材料為主的GaN紫外光電半導(dǎo)體芯片（深紫外LED芯片）、深紫外探測(cè)器、氮化鎵功率芯片系列。
2022年1月，鼎鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)首張6英寸高功率深紫外LED外延的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)流片，完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試，將傳統(tǒng)的50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價(jià)格的三分之一，同時(shí)將高功率固態(tài)半導(dǎo)體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>
據(jù)介紹，鼎鎵半導(dǎo)體在普通藍(lán)寶石襯底的基礎(chǔ)上，引入了全新的半導(dǎo)體材料與AlGaN材料結(jié)合的方式，通過(guò)超晶格結(jié)構(gòu)使用兩類半導(dǎo)體化合物材料優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷，突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結(jié)構(gòu)的限制，實(shí)現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。
經(jīng)第三方權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測(cè)，外延一致性達(dá)到了97%，峰值波長(zhǎng)在265nm，輸出光功率不低于1500a.u.，核心buffer層厚度突破了4μm。
目前，鼎鎵半導(dǎo)體已獲得多項(xiàng)發(fā)明與實(shí)用新型專利，產(chǎn)品主要應(yīng)用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味，涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領(lǐng)域。
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