播放久久国产乱子伦精品,永久免费av无码入口国语片,亚洲人成网站在线播放影院在线 http://www.teatotalar.com 集邦化合物半導體是化合物半導體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Thu, 09 May 2024 09:24:53 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 鼎鎵半導體聯(lián)手華中師范大學 http://www.teatotalar.com/Company/newsdetail-67996.html Thu, 09 May 2024 09:24:53 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=67996 近日,鼎鎵半導體與華中師范大學與建立了緊密的校企合作關系,雙方將共同致力于推動半導體領域的發(fā)展和創(chuàng)新。
鼎鎵半導體指出,此次合作將充分發(fā)揮華中師范大學在教育、科研等方面的優(yōu)勢,以及鼎鎵半導體在行業(yè)內(nèi)的技術實力和實踐經(jīng)驗。通過合作,華中師范大學與鼎鎵半導體將實現(xiàn)優(yōu)勢互補,共同為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出貢獻。
據(jù)了解,除了華中師范大學,鼎鎵半導體的合作伙伴還包括北京理工大學、嘉興大學以及浙江蔚元電子科技有限公司西安研發(fā)中心。

公開資料顯示,嘉興鼎鎵半導體是一家以第三代半導體外延片制備、芯片設計及相關應用產(chǎn)品開發(fā)為主的優(yōu)勢民企,主要產(chǎn)品是以第三代半導體材料為主的GaN紫外光電半導體芯片(深紫外LED芯片)、深紫外探測器、GaN功率芯片、GaN激光器光源等,并向國內(nèi)外市場提供上述高新技術產(chǎn)品。

source:鼎鎵半導體

2022年1月,鼎鎵半導體實現(xiàn)了國內(nèi)首張GaN 6英寸高功率深紫外LED外延的結構設計和生長流片,完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試,將傳統(tǒng)50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價格的三分之一,同時將高功率固態(tài)半導體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>

據(jù)介紹,鼎鎵半導體在普通藍寶石襯底的基礎上,引入了全新的半導體材料與AlGaN材料結合的方式,通過超晶格結構使用兩類半導體化合物材料優(yōu)勢互補,克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷,突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結構的限制,實現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。

經(jīng)第三方權威機構檢測,外延一致性達到了97%,峰值波長在265nm,輸出光功率不低于1500a.u.,核心buffer層厚度突破了4μm。

目前,鼎鎵半導體已獲得多項發(fā)明與實用新型專利,產(chǎn)品主要應用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味,涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領域。(集邦化合物半導體整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>
鼎鎵半導體深紫外LED項目入圍南湖區(qū)重點項目名單 http://www.teatotalar.com/Opto/newsdetail-64977.html Fri, 11 Aug 2023 09:35:22 +0000 http://www.teatotalar.com/?p=64977 近日,鼎鎵半導體宣布了其基于第三代半導體的大功率深紫外LED芯片的研發(fā)項目進入2023年度浙江南湖區(qū)科技計劃重點項目名單。

官方消息顯示,鼎鎵半導體是一家以第三代半導體外延片制備、芯片設計及相關應用產(chǎn)品研發(fā)為主的研發(fā)先導性科技企業(yè),主要產(chǎn)品是以第三代半導體材料為主的GaN紫外光電半導體芯片(深紫外LED芯片)、深紫外探測器、氮化鎵功率芯片系列。

2022年1月,鼎鎵半導體實現(xiàn)了國內(nèi)首張6英寸高功率深紫外LED外延的結構設計和生長流片,完成了工藝和配方的量產(chǎn)調(diào)試,將傳統(tǒng)的50mW以上的單片高功率深紫外LED芯片的生產(chǎn)成本降低到原有價格的三分之一,同時將高功率固態(tài)半導體深紫外DUV激光器光源的研制生產(chǎn)變?yōu)榱丝赡堋?/p>

據(jù)介紹,鼎鎵半導體在普通藍寶石襯底的基礎上,引入了全新的半導體材料與AlGaN材料結合的方式,通過超晶格結構使用兩類半導體化合物材料優(yōu)勢互補,克服了大尺寸深紫外外延片在重鋁摻雜的情況下容易出現(xiàn)的晶格失配的缺陷,突破了傳統(tǒng)AlGaN外延PIN結構的限制,實現(xiàn)了6英寸外延生產(chǎn)工藝的創(chuàng)造性突破。

經(jīng)第三方權威機構檢測,外延一致性達到了97%,峰值波長在265nm,輸出光功率不低于1500a.u.,核心buffer層厚度突破了4μm。

目前,鼎鎵半導體已獲得多項發(fā)明與實用新型專利,產(chǎn)品主要應用于空氣、水體、物表殺菌消毒、凈化除異味,涉及工業(yè)環(huán)保、生命醫(yī)療、民生健康等領域。

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。

]]>