7月8日，納設(shè)智能宣布自主研發(fā)的全自動(dòng)雙腔8英寸碳化硅外延設(shè)備及多臺(tái)8英寸單腔設(shè)備交付龍頭客戶。

圖片來(lái)源：納設(shè)智能

納設(shè)智能表示，本次交付的核心設(shè)備采用獨(dú)立雙腔體架構(gòu)，獨(dú)創(chuàng)的反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)讓客戶運(yùn)營(yíng)成本大大降低，同時(shí)創(chuàng)新性融合多區(qū)獨(dú)立進(jìn)氣控制與智能溫場(chǎng)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)6英寸與8英寸晶圓的高兼容性生產(chǎn)。在工藝性能上，外延層厚度均勻性穩(wěn)定在1%以內(nèi)，摻雜均勻性達(dá)2%以內(nèi)，缺陷密度≤0.1cm2，達(dá)到行業(yè)先進(jìn)水平。

納設(shè)智能成立于2018年，主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅、新型光伏材料、納米材料等先進(jìn)材料領(lǐng)域所需的薄膜沉積設(shè)備等高端設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。

從2021年首臺(tái)碳化硅外延設(shè)備出貨，到本次8英寸雙腔外延設(shè)備交付，納設(shè)智能始終“致力成為全球先進(jìn)材料制造設(shè)備引領(lǐng)者”。2025年，新一代智能外延系統(tǒng)將融合自動(dòng)化技術(shù)，推動(dòng)先進(jìn)材料設(shè)備裝備向“高效低碳、智能集成”進(jìn)化。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電

該新廠區(qū)占地面積達(dá)40000平方米，預(yù)計(jì)將在未來(lái)一年內(nèi)啟動(dòng)建設(shè)。根據(jù)規(guī)劃，項(xiàng)目一期完工后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)24萬(wàn)片8英寸碳化硅晶圓的產(chǎn)能。這些高性能SiC晶圓 廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車充電器、電信基站電源系統(tǒng)等高增長(zhǎng)電子產(chǎn)品領(lǐng)域。

圖片來(lái)源：晶盛機(jī)電

馬來(lái)西亞正日益成為全球企業(yè)分散生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)、強(qiáng)化供應(yīng)鏈韌性的重要戰(zhàn)略支點(diǎn)。尤其在檳城，其吸引了包括英特爾、英飛凌在內(nèi)的300多家企業(yè)入駐，涵蓋從封裝、測(cè)試到材料供應(yīng)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。據(jù)悉，檳城作為全球半導(dǎo)體后端制造的關(guān)鍵樞紐，貢獻(xiàn)了馬來(lái)西亞80%的半導(dǎo)體產(chǎn)出，并負(fù)責(zé)全球40%微處理器裝配量，這顯著提升了物流效率與供應(yīng)鏈響應(yīng)速度。

公開(kāi)資料顯示，除了晶盛機(jī)電SuperSiC，多家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè)也已在馬來(lái)西亞積極布局碳化硅（SiC）及其他先進(jìn)功率半導(dǎo)體制造能力，共同塑造該地區(qū)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的巨頭，英飛凌正持續(xù)擴(kuò)建其位于馬來(lái)西亞居林（Kulim）的晶圓廠。其全球最大的200毫米碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠一期項(xiàng)目已于2024年8月8日正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，專注于SiC及氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體的生產(chǎn)。英飛凌計(jì)劃在此投資高達(dá)70億歐元，預(yù)計(jì)該工廠將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)，并在第二階段建設(shè)完成后成為全球最大的200毫米SiC功率半導(dǎo)體晶圓廠。

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）則很早在馬來(lái)西亞柔佛州麻坡（Muar）建立了一個(gè)先進(jìn)的組裝和測(cè)試基地，專注于生產(chǎn)復(fù)雜、高可靠性的封裝產(chǎn)品，包括汽車應(yīng)用產(chǎn)品。據(jù)悉，該工廠引入了新的PLP-DCI（面板級(jí)封裝直接銅互連）技術(shù)生產(chǎn)線，旨在提升封裝性能，支持包括碳化硅（SiC）在內(nèi)的各類功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的后端工藝。

英特爾于2021年底宣布在馬來(lái)西亞投資70億美元，擴(kuò)建全新的先進(jìn)封裝廠。該廠將成為英特爾全球最大的先進(jìn)封裝線之一，這項(xiàng)大規(guī)模、持續(xù)性的投資旨在顯著提升英特爾在馬來(lái)西亞的先進(jìn)封裝能力，并為包括SiC在內(nèi)的高性能芯片提供關(guān)鍵的后端處理支持。

作為全球領(lǐng)先的封測(cè)大廠，日月光于2022年11月宣布在馬來(lái)西亞檳城擴(kuò)建新的半導(dǎo)體封測(cè)廠，并計(jì)劃于2025年完工。該項(xiàng)目專注于高需求產(chǎn)品如銅片橋接和影像傳感器封裝，其對(duì)電源芯片封裝的關(guān)注與SiC器件的下游需求緊密相關(guān)。

德州儀器于2023年2月宣布在馬來(lái)西亞吉隆坡和馬六甲分別興建兩座半導(dǎo)體封測(cè)廠，投資額高達(dá)146億令吉（約合33億美元）。這項(xiàng)投資旨在大幅擴(kuò)大其內(nèi)部制造和組裝測(cè)試能力，以滿足全球客戶的長(zhǎng)期需求。

美光科技于2023年9月在馬來(lái)西亞檳城開(kāi)設(shè)了其第二家先進(jìn)組裝和測(cè)試工廠，初期投資總額達(dá)10億美元。此舉顯著提升了美光在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的先進(jìn)制造能力，也進(jìn)一步豐富了馬來(lái)西亞的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：中建三局一公司

項(xiàng)目位于福建省廈門市，規(guī)劃總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)平方米，定位為具備國(guó)際先進(jìn)水平的8英寸SiC功率器件制造平臺(tái)。建成投產(chǎn)后，將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，進(jìn)一步鞏固其在中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略地位，有力助推廈門市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。

士蘭微是國(guó)內(nèi)主要的綜合型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造（IDM）企業(yè)之一，公司1997年成立，2003年3月在上海證券交易所主板上市。多年來(lái)專注于硅半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和封裝，技術(shù)水平、營(yíng)業(yè)規(guī)模、盈利能力等在國(guó)內(nèi)同行中均位居前列。其在廈門已布局多個(gè)重大項(xiàng)目，如士蘭集科 “12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線” 和士蘭明鎵 “先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”，8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目是其又一重要布局。

深耕碳化硅，產(chǎn)能突破與架構(gòu)革新雙管齊下

士蘭微在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，不斷取得新突破。早在2017年就開(kāi)始進(jìn)行碳化硅產(chǎn)業(yè)布局，目前已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的逐步擴(kuò)大。2021年8月，士蘭微SiC功率器件中試線實(shí)現(xiàn)通線，并于2022年完成車規(guī)級(jí)SiC MOSFET器件的研發(fā)并向客戶送樣、開(kāi)始量產(chǎn)。2022年7月，士蘭明鎵宣布建設(shè)二期項(xiàng)目，計(jì)劃新增6英寸SiC MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、6英寸SiC SBD芯片2.4萬(wàn)片/年的生產(chǎn)能力。2024年6月，廈門士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目開(kāi)工，總投資120億，兩期建設(shè)完成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬(wàn)片的生產(chǎn)能力。

此前4月8日，士蘭微發(fā)布公告披露相關(guān)碳化硅項(xiàng)目進(jìn)展。截止當(dāng)時(shí)，其士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目已形成月產(chǎn)9,000片6吋SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送客戶評(píng)測(cè)，基于第Ⅳ代SiC芯片的功率模塊預(yù)計(jì)將于2025年上量。而士蘭集宏8吋SiC mini line已實(shí)現(xiàn)通線，預(yù)計(jì)將在2025年4季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以趕上2026年車用SiC市場(chǎng)的快速成長(zhǎng)。

圖片來(lái)源：士蘭微公告截圖

如今士蘭微8英寸碳化硅項(xiàng)目首臺(tái)設(shè)備的提前搬入，預(yù)示著項(xiàng)目將快速進(jìn)入設(shè)備安裝與調(diào)試階段，有望按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)通線和試生產(chǎn)。這不僅將提升士蘭微自身的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，也將為國(guó)內(nèi)碳化硅芯片市場(chǎng)注入新的活力，推動(dòng)新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等多個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

除了在項(xiàng)目推進(jìn)上成果斐然，士蘭微在公司內(nèi)部架構(gòu)調(diào)整方面同樣動(dòng)作頻頻。6月25日，士蘭微發(fā)布公告，獨(dú)立董事何樂(lè)年因連續(xù)任職滿六年提交辭職報(bào)告，在新任選出前仍履職。在公司業(yè)務(wù)布局拓展上，士蘭微近期也有新動(dòng)作。天眼查App顯示，近期廈門士蘭集華微電子有限公司正式成立，注冊(cè)資本達(dá)1000萬(wàn)人民幣，由杭州士蘭微電子股份有限公司全資持股，覆蓋集成電路全業(yè)務(wù)，深化垂直整合，為發(fā)展蓄勢(shì)。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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source：SK hynix

公開(kāi)資料顯示，SK Keyfoundry是一家8英寸晶圓代工廠，于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來(lái)，并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身則為Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收購(gòu)，以其在設(shè)計(jì)和制造碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體方面的專業(yè)知識(shí)而聞名。

值得注意的是，SK集團(tuán)此前已構(gòu)建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動(dòng)汽車充電器）”的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。此次收購(gòu)后，SK Keyfoundry將進(jìn)一步強(qiáng)化該鏈條，推動(dòng)SiC技術(shù)在新能源汽車、儲(chǔ)能等領(lǐng)域的應(yīng)用落地。

此前2023年SK Powertech通過(guò)釜山新工廠將SiC產(chǎn)能擴(kuò)大近三倍，年產(chǎn)能達(dá)2.9萬(wàn)片150mm晶圓，但受新能源汽車市場(chǎng)需求短期放緩影響，其營(yíng)收不及預(yù)期。為緩解財(cái)務(wù)壓力，SK Powertech于2024年底計(jì)劃通過(guò)業(yè)務(wù)重組優(yōu)化資源配置。

SK?keyfoundry表示，此次收購(gòu)旨在加速推進(jìn)其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力構(gòu)建。公司強(qiáng)調(diào)：“這一戰(zhàn)略性股權(quán)收購(gòu)將顯著增強(qiáng)我們?cè)谙乱淮衔锇雽?dǎo)體業(yè)務(wù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。”并進(jìn)一步闡述：“憑借我們?cè)诎雽?dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)方面的專業(yè)技術(shù)，與SK Powertech在碳化硅（SiC）基功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累相結(jié)合，雙方將實(shí)現(xiàn)顯著的協(xié)同效應(yīng)?！?/p>

目前，韓國(guó)政府正在與當(dāng)?shù)仄髽I(yè)合力推動(dòng)碳化硅產(chǎn)業(yè)升級(jí)。除SK集團(tuán)外，三星電子已組建SiC團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃2025年啟動(dòng)第三代半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)；LG、現(xiàn)代等企業(yè)也在積極布局相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域。此外，韓國(guó)政府計(jì)劃投資5.22億元人民幣在釜山建設(shè)8英寸SiC示范基地，并通過(guò)政策支持全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，包括襯底材料、外延片、器件設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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據(jù)悉，士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線、2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片；二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線。

該項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。

公開(kāi)資料顯示，士蘭集宏項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后可滿足國(guó)內(nèi)40%以上的車規(guī)級(jí)SiC芯片需求，并帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

碳化硅市場(chǎng)現(xiàn)狀：產(chǎn)能擴(kuò)張引價(jià)格波動(dòng)，資本追捧熱度不減

近年來(lái)，全球碳化硅襯底產(chǎn)能大幅提升，這在一定程度上導(dǎo)致了供過(guò)于求的現(xiàn)象。

行業(yè)多方消息顯示，碳化硅襯底市場(chǎng)價(jià)格在2024年中期，6英寸碳化硅襯底的價(jià)格已跌至500美元以下，到2024年第四季度，價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元，并還在持續(xù)走低。?價(jià)格的下降一方面是由于技術(shù)提升和規(guī)?；?yīng)推動(dòng)成本降低，另一方面也是為了促進(jìn)下游應(yīng)用的擴(kuò)展。在這種市場(chǎng)環(huán)境下，各大碳化硅襯底廠商均在加碼推進(jìn)技術(shù)突破，以獲得更高的市場(chǎng)份額。

回顧2024年，我國(guó)就有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局，其中2024年就有超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展，涉及的企業(yè)包括三安半導(dǎo)體、天科合達(dá)、重投天科、天岳先進(jìn)、晶盛機(jī)電、同光股份、東尼電子、科友半導(dǎo)體等。其中合盛新材多家企業(yè)在8英寸襯底、外延、晶體生長(zhǎng)以及設(shè)備等多領(lǐng)域的突破值得關(guān)注。

在襯底方面，國(guó)外多家大廠已與我國(guó)天科合達(dá)、天岳先進(jìn)等企業(yè)簽訂了長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
多方行業(yè)人士表示，中國(guó)的碳化硅企業(yè)特別是在襯底制備領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)襯底企業(yè)的6英寸以及8英寸產(chǎn)品，無(wú)論是從產(chǎn)品的質(zhì)量、產(chǎn)能還是價(jià)格，都已經(jīng)具備了明顯的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)未來(lái)幾年，國(guó)內(nèi)頭部襯底企業(yè)將成為國(guó)際市場(chǎng)8英寸襯底的主要供應(yīng)商，市場(chǎng)占比遠(yuǎn)超目前的6英寸。

盡管市場(chǎng)存在價(jià)格波動(dòng)等挑戰(zhàn)，但碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈仍持續(xù)受到資本追捧。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體數(shù)據(jù)顯示，2024年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈就有44家公司獲得融資。其中廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、蘇州悉智科技有限公司等7家公司在年內(nèi)均已完成兩輪融資。?從國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，襯底、器件、設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域均有企業(yè)完成新一輪融資。在產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)浪潮中，設(shè)備領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)由于率先受益于產(chǎn)線建設(shè)需求，獲得了投資機(jī)構(gòu)的加碼，2024 年有近半數(shù)的融資事件發(fā)生在該領(lǐng)域。

邁入2025年，忱芯科技、芯暉裝備、伏爾肯、易星新材料、翠展微電子、青禾晶元、純水一號(hào)、聚芯半導(dǎo)體、中江新材料、臻驅(qū)科技、瞻芯電子等超10家企業(yè)獲得新一輪融資，公開(kāi)披露的融資金額總計(jì)超30億元。

總體而言，我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)近年來(lái)發(fā)展迅速，市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，其中在上游碳化硅襯底和外延制備技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，不斷縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，而在中游器件和模塊制造環(huán)節(jié)與國(guó)際大廠還存在較大差距。

目前我國(guó)有披露相關(guān)投產(chǎn)動(dòng)態(tài)的8英寸碳化硅器件產(chǎn)線主要是士蘭微、芯聯(lián)集成、湖南三安、方正微四條產(chǎn)線。?其中士蘭微電子8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線（一期）已全面封頂，安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅項(xiàng)目也在近日實(shí)現(xiàn)了通線投產(chǎn)；芯聯(lián)集成的8英寸碳化硅器件研發(fā)產(chǎn)線已于2024年通線；湖南三安投產(chǎn)在即，將正式轉(zhuǎn)型為8英寸SiC垂直整合制造商；方正微電子的Fab2的8英寸碳化硅生產(chǎn)線已于2024年底通線，2025年，方正微電子將具備年產(chǎn)16.8萬(wàn)片車規(guī)級(jí)碳化硅MOS的生產(chǎn)能力。

而在技術(shù)層面，碳化硅功率器件技術(shù)仍在不斷發(fā)展完善。例如，在芯片封裝與測(cè)試方面，目前碳化硅芯片仍主要沿用硅基半導(dǎo)體技術(shù)，難以滿足其自身發(fā)展需求，急需創(chuàng)新。

在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，隨著越來(lái)越多的企業(yè)入局碳化硅產(chǎn)業(yè)，行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈。企業(yè)不僅要在技術(shù)創(chuàng)新上發(fā)力，以提升產(chǎn)品性能、降低成本，還要注重產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同合作，提前開(kāi)展技術(shù)合作，共同應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)。

公開(kāi)資料顯示，龍騰半導(dǎo)體成立于2009年7月，是陜西省唯一一家集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、測(cè)試于一體的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)。

目前，龍騰半導(dǎo)體已成功攻克高壓超結(jié)MOSFET、SiC功率器件等關(guān)鍵技術(shù)，并主導(dǎo)制定了國(guó)家超級(jí)結(jié)MOSFET行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，累計(jì)申請(qǐng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)300余項(xiàng)。其技術(shù)成果不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，還在國(guó)際市場(chǎng)上占據(jù)了一席之地。公司形成了包括高壓超結(jié)MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、屏菠柵溝槽(SGT)MOSFET、低壓溝槽(Trench)MOSFET、高壓平面MOSFET、SiC JBS&iMOSFET等6大產(chǎn)品系列，廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)電子及消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

據(jù)市場(chǎng)最新消息顯示，龍騰半導(dǎo)體8英寸功率半導(dǎo)體器件制造項(xiàng)目意義重大，其中一期已于2022年10月正式投產(chǎn)，形成年產(chǎn)8英寸硅外延片360萬(wàn)片的生產(chǎn)能力，填補(bǔ)了陜西省集成電路產(chǎn)業(yè)缺少8英寸晶圓產(chǎn)線的市場(chǎng)空白。

該項(xiàng)目位于西安經(jīng)開(kāi)區(qū)綜合保稅區(qū)內(nèi)，總建筑面積5.05萬(wàn)平方米，總投資20億元。如今正在推進(jìn)的二期項(xiàng)目，將進(jìn)一步完善陜西省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的“設(shè)計(jì)-制造-應(yīng)用”全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系。
今年2月上旬，龍騰半導(dǎo)體發(fā)文表示，功率半導(dǎo)體訂單已排至六個(gè)月以后，預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)2倍以上，全年同比增長(zhǎng)有望達(dá)到300%以上。

此次西投控股的追加投資，不僅為項(xiàng)目提供了必要的資金支持，還將通過(guò)資源整合和政策協(xié)同，加速區(qū)域半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的形成，為西安建設(shè)“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地”提供強(qiáng)勁動(dòng)力。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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公開(kāi)資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元，于2023年3月啟動(dòng)建設(shè)，目標(biāo)是在2026年投入使用，2031年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。建成后的工廠將主要制造分立功率器件和模擬/混合IC，其產(chǎn)品將廣泛供應(yīng)于工業(yè)、汽車、消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域，滿足市場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求。

公開(kāi)資料顯示，英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項(xiàng)目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元，于2023年3月啟動(dòng)建設(shè)，目標(biāo)是在2026年投入使用，2031年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。建成后，該工廠將制造分立功率器件和模擬/混合IC，產(chǎn)品供應(yīng)工業(yè)、汽車、消費(fèi)等多個(gè)領(lǐng)域。

英飛凌首席執(zhí)行官JochenHanebeck表示，這筆政府資金意義非凡。它不僅將加強(qiáng)德累斯頓、德國(guó)乃至歐洲作為半導(dǎo)體中心的地位，還將有力促進(jìn)最先進(jìn)的微電子創(chuàng)新和生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。
除了新廠建設(shè)，在2025年，英飛凌推出了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)。

2月13日，英飛凌宣布推出首款采用先進(jìn)200mm SiC晶圓技術(shù)制造的碳化硅產(chǎn)品，這標(biāo)志著其SiC技術(shù)路線圖取得了重大進(jìn)展。此外，其位于馬來(lái)西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉(zhuǎn)換，其新建Module 3 廠房已準(zhǔn)備好根據(jù)市場(chǎng)需求開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。

在超薄功率半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)方面，英飛凌取得了突破性成果，成功推出全球最薄的硅功率晶圓，厚度僅為20微米，這一成果大幅提升了功率半導(dǎo)體的性能與應(yīng)用潛力。

在氮化鎵（GaN）技術(shù)領(lǐng)域，英飛凌率先推出全球首款300mm功率氮化鎵技術(shù)。據(jù)英飛凌預(yù)測(cè)，氮化鎵將在多個(gè)行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點(diǎn)，進(jìn)一步推動(dòng)能源效率提升。

在人工智能數(shù)據(jù)中心，氮化鎵技術(shù)能提升功率密度，影響單位機(jī)架空間內(nèi)的計(jì)算能力；
在家用電器領(lǐng)域，以800W應(yīng)用為例，氮化鎵可助力產(chǎn)品效率提升2%，幫助制造商獲得更高能效評(píng)級(jí)；
在電動(dòng)汽車領(lǐng)域，基于氮化鎵的車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器將提高充電效率、功率密度和材料可持續(xù)性。隨著成本與硅接近，預(yù)計(jì)今年及未來(lái)氮化鎵的采用率將不斷提高。

此外，英飛凌近期還推出了CIPOSMaxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列，該系列基于1200VIGBT7和快速二極管Emcon7技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)較強(qiáng)控制和性能，在工業(yè)、能源等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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2024財(cái)年第四季度，公司合并營(yíng)收約為2.01億美元，上年同期約為2.03億美元，凈虧損1.74億美元；GAAP毛利率為1%，而去年同期為29%；非GAAP毛利率為5%，上年同期為31%。莫霍克谷工廠在這一季度貢獻(xiàn)了約4100萬(wàn)美元的收入，上一季度為2800萬(wàn)美元。

2024全財(cái)年，公司合并營(yíng)收約為8.07億美元，上年同期約為7.59億美元；GAAP毛利率為10%，而去年同期為32%；非GAAP毛利率為13%，而去年同期為35%。

Wolfspeed指出，盡管汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)下滑，但該公司的電動(dòng)汽車收入已連續(xù)三個(gè)季度增長(zhǎng)，本季相關(guān)業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)100%。

Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示：“本季度，公司在兩個(gè)項(xiàng)目上面取得了相應(yīng)的進(jìn)展——在6月份，Wolfspeed莫霍克谷8英寸碳化硅晶圓工廠的利用率達(dá)到了20%，公司后續(xù)將加快轉(zhuǎn)移制造設(shè)備進(jìn)該工廠；關(guān)于JP碳化硅制造中心，Wolfspeed在第四季度安裝并啟動(dòng)了最初的爐子，并加工了JP的第一批碳化硅球，質(zhì)量與10號(hào)樓的高質(zhì)量材料相當(dāng)?！?/p>

Lowe還表示，莫霍克谷工廠的8英寸碳化硅晶圓制造成本明顯低于公司旗下達(dá)勒姆6英寸碳化硅晶圓廠。為進(jìn)一步降低成本，Wolfspeed計(jì)劃關(guān)閉達(dá)勒姆工廠，目前公司正在評(píng)估關(guān)閉時(shí)間。

值得一提的是，早在2021年，Wolfspeed就圍繞關(guān)閉達(dá)勒姆工廠進(jìn)行過(guò)談?wù)?，但?dāng)時(shí)由于需求旺盛，公司選擇繼續(xù)運(yùn)營(yíng)該工廠。今年6月，Wolfspeed指出其位于達(dá)勒姆工廠的設(shè)備存在問(wèn)題，這可能會(huì)對(duì)其第一財(cái)季收入造成約2000萬(wàn)美元的影響。

Wolfspeed表示，將在11月的下一次財(cái)報(bào)會(huì)議上提供有關(guān)工廠關(guān)閉計(jì)劃的更多細(xì)節(jié)。

此外，Lowe表示，Wolfspeed正在就通過(guò)《芯片法案》獲得聯(lián)邦資金的最終條款進(jìn)行談判，該法案為美國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體生產(chǎn)商撥出520億美元補(bǔ)助金，并設(shè)立聯(lián)邦稅收抵免來(lái)補(bǔ)貼JP碳化硅制造中心等項(xiàng)目。

根據(jù)《CHIPS法案》，符合條件的制造商可以獲得投資稅收抵免，以支付25%的項(xiàng)目成本。Wolfspeed已承諾在查塔姆縣西部的JP碳化硅制造中心投資50億美元，公司通過(guò)這項(xiàng)稅收抵免可獲得10多億美元，其中該公司已累計(jì)獲得約6.4億美元。

據(jù)悉，西勒城JP碳化硅制造中心的建設(shè)工作正在繼續(xù)推進(jìn)，Wolfspeed承諾工廠將按計(jì)劃于明年夏天向莫霍克谷工廠交付8英寸晶圓。

展望未來(lái)，在2025財(cái)年第一季度，Wolfspeed的目標(biāo)是持續(xù)經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)收入在1.85億美元至2.15億美元之間，GAAP凈虧損目標(biāo)為2.26億美元；預(yù)計(jì)莫霍克谷工廠利用率將達(dá)到25%，進(jìn)度比預(yù)期提前一個(gè)季度。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Rick整理）

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該標(biāo)準(zhǔn)的起草單位囊括了業(yè)內(nèi)多家具備8英寸碳化硅技術(shù)的企業(yè)，包括天岳先進(jìn)、爍科晶體、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、湖南三安半導(dǎo)體等。

該標(biāo)準(zhǔn)由南京國(guó)盛電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：國(guó)盛電子）牽頭。據(jù)悉，國(guó)盛電子隸屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所，致力于半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)。

2021年9月，國(guó)盛電子“外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目”簽約落戶江寧開(kāi)發(fā)區(qū)，后于2023年11月正式投產(chǎn)運(yùn)行。據(jù)了解，該項(xiàng)目一期投資19.3億元，年產(chǎn)8-12英寸硅外延片456萬(wàn)片，年產(chǎn)6-8英寸化合物外延片12.6萬(wàn)片。

對(duì)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國(guó)電科指出，《碳化硅外延片》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)確定了碳化硅外延片的質(zhì)量技術(shù)細(xì)節(jié)，規(guī)范和統(tǒng)一了具體的技術(shù)性能項(xiàng)目和指標(biāo)。該標(biāo)準(zhǔn)及時(shí)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的空白，對(duì)碳化硅外延片生產(chǎn)工藝、質(zhì)量控制、采購(gòu)及銷售管理都有重要的指導(dǎo)作用。

據(jù)了解，在SEMICON China 2023上，中國(guó)電子科技集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司還發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體專用核心裝備邁進(jìn)“8英寸時(shí)代”。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）

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