source：SK hynix

公開資料顯示，SK Keyfoundry是一家8英寸晶圓代工廠，于2020年9月從Magnachip Semiconductor分拆出來，并于2022年8月成為SK海力士的子公司。SK Powertech前身則為Yes Power Technics，于2022年被SK Inc.收購，以其在設計和制造碳化硅（SiC）功率半導體方面的專業(yè)知識而聞名。

值得注意的是，SK集團此前已構(gòu)建了“SK Siltron（SiC襯底）→SK Powertech（SiC器件）→SK Signet（電動汽車充電器）”的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。此次收購后，SK Keyfoundry將進一步強化該鏈條，推動SiC技術在新能源汽車、儲能等領域的應用落地。

此前2023年SK Powertech通過釜山新工廠將SiC產(chǎn)能擴大近三倍，年產(chǎn)能達2.9萬片150mm晶圓，但受新能源汽車市場需求短期放緩影響，其營收不及預期。為緩解財務壓力，SK Powertech于2024年底計劃通過業(yè)務重組優(yōu)化資源配置。

SK?keyfoundry表示，此次收購旨在加速推進其在功率半導體領域的競爭力構(gòu)建。公司強調(diào)：“這一戰(zhàn)略性股權(quán)收購將顯著增強我們在下一代化合物半導體業(yè)務領域的競爭力?！辈⑦M一步闡述：“憑借我們在半導體大規(guī)模生產(chǎn)方面的專業(yè)技術，與SK Powertech在碳化硅（SiC）基功率半導體技術領域的深厚積累相結(jié)合，雙方將實現(xiàn)顯著的協(xié)同效應?！?/p>

目前，韓國政府正在與當?shù)仄髽I(yè)合力推動碳化硅產(chǎn)業(yè)升級。除SK集團外，三星電子已組建SiC團隊，計劃2025年啟動第三代半導體代工業(yè)務；LG、現(xiàn)代等企業(yè)也在積極布局相關應用領域。此外，韓國政府計劃投資5.22億元人民幣在釜山建設8英寸SiC示范基地，并通過政策支持全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，包括襯底材料、外延片、器件設計及封裝測試等環(huán)節(jié)。（集邦化合物半導體竹子整理）

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圖片來源：湖南三安

三安8英寸SiC襯底已小批量生產(chǎn)及送樣

昨日（10/23）晚間，湖南三安披露，8英寸SiC襯底已完成開發(fā)，并進入小批量生產(chǎn)及送樣階段。據(jù)了解，其產(chǎn)品主要采用精準熱場控制的自主PVT工藝，可實現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度。下一步，湖南三安的重點將放在良率的提升上，現(xiàn)已加快設備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進湖南與重慶工廠的量產(chǎn)進程。

在重慶的投資上，湖南三安正在穩(wěn)步推進相關項目的建設，其與ST意法半導體合資成立的三安意法半導體（重慶）有限公司承建的8英寸SiC器件廠項目前期相關審批事項已成功獲批，后續(xù)隨著各項工作有序推進，預計將于2025年完成階段性建設并投產(chǎn)，2028年進入達產(chǎn)階段。作為配套，三安未來也將獨立建造及運營一個8英寸SiC襯底廠。

據(jù)化合物半導體市場了解，為推進重慶相關項目的建設，三安光電已于今年7月成立了重慶三安半導體有限責任公司（注冊資本18億元），間接持股100%。

國產(chǎn)8英寸SiC襯底整體發(fā)展速度喜人

SiC襯底是整個SiC產(chǎn)業(yè)鏈中技術含金量最高的一個環(huán)節(jié)，從市場格局來看，依舊是國際廠商領先，國內(nèi)廠商追趕的局面。但不難發(fā)現(xiàn)，近兩年來，國內(nèi)廠商在SiC襯底領域快馬加鞭，尤其是大尺寸襯底。

從企業(yè)數(shù)量來看，按照公開信息統(tǒng)計，已有10家國內(nèi)廠商成功研發(fā)了SiC襯底。從實際生產(chǎn)和銷售情況來看，天科合達、爍科晶體、合盛硅業(yè)已分別進入小批量供貨、小批量生產(chǎn)和銷售、以及量產(chǎn)階段，加上如今的湖南三安，國內(nèi)已有4家廠商取得了實質(zhì)性的成果。另外，天岳先進近期也表示已經(jīng)具備8英寸導電型SiC襯底的量產(chǎn)能力。

從合作來看，英飛凌綁定了天科合達及天岳先進的襯底產(chǎn)能，第二階段的合作都涵蓋了8英寸襯底；而三安光電與ST的合作也側(cè)面反映其對三安SiC襯底產(chǎn)品性能和質(zhì)量的認可······國內(nèi)8英寸SiC襯底的總體量產(chǎn)潛力和實力由此可見一斑。

根據(jù)北大相關研究者的了解，在SiC產(chǎn)業(yè)鏈當中，除了一些特別高端的襯底材料以外，國內(nèi)廠商跟國際廠商差距最小的環(huán)節(jié)就是SiC襯底，總體來看，國內(nèi)企業(yè)的襯底技術已經(jīng)達到了相當高的水平。由此推測，隨著國產(chǎn)技術的進一步突破以及國內(nèi)產(chǎn)業(yè)配套的逐步完善，國內(nèi)廠商也有望進一步縮短與國際廠商在SiC器件領域的差距。

三安車規(guī)級MOS驗證提速

就目前來看，SiC器件廠在產(chǎn)品研發(fā)、驗證以及應用上也按下了“快進鍵”，尤其是在車規(guī)SiC領域，今年以來便傳來了不少關于產(chǎn)品驗證送樣、收獲訂單的消息。同樣以湖南三安為例，其車規(guī)級SiC MOSFET產(chǎn)品的驗證已提速。

據(jù)悉，湖南三安全新推出了650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET。其中，1200V/75mΩ MOSFET主要匹配新能源汽車OBC的需求，而1700V/1000mΩ MOSFET則主要面向光伏逆變器的輔助電源應用。據(jù)透露，目前這兩款產(chǎn)品均處于客戶端導入階段，將逐步批量供貨。此外，1200V /16mΩ的車規(guī)級芯片已在戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證。

總的來看，在當前SiC最大的應用市場——新能源汽車領域，湖南三安的SiC產(chǎn)品已經(jīng)取得階段性進展，部分產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應鏈。

當下，湖南三安已經(jīng)是三安光電的一個重要收入來源。今年上半年，在SiC市場需求強勁增長的驅(qū)動下，湖南三安實現(xiàn)營收5.82億元，同比增長178.86%；實現(xiàn)凈利潤3.32億元，同比大幅增長266.99%。而且，湖南三安的SiC業(yè)務毛利率也有所提高，另加上GaAs射頻和GaN射頻業(yè)務的推進，三安光電集成電路業(yè)務整體毛利率增長了7.75%。

而基于對三安光電發(fā)展前景及長期穩(wěn)定增長的信心，三安光電的間接控股股東三安集團及其一致行動人今年擬兩次增持三安光電的股份。

第一次增持計劃已于9月實施完畢，增持金額5,000萬元至1億元。自此，三安集團有三安光電的股權(quán)比例上升至5.0081%。第二次增持計劃剛于昨日公布，本次預計增持的金額同樣是5,000萬元至1億元，三安集團及其一致行動人擬在接下來1個月內(nèi)通過集中競價交易方式增持三安光電股份。

小結(jié)

從湖南三安8英寸襯底的進展速度和成果可見，國產(chǎn)SiC襯底廠在全球舞臺的競爭力正在逐漸增強；從其車規(guī)級SiC MOS器件的進展也可窺知，國產(chǎn)SiC器件廠的實力也正在一步一步獲得全球車企客戶的認可，未來皆可期。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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