source：安森美

法人預(yù)估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬片，2025年將達(dá)到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴(kuò)產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、快充站碳化硅總體需求量，并依照各國際大廠擴(kuò)產(chǎn)計劃推算2025年碳化硅產(chǎn)能，總體來看，碳化硅供需缺口將隨著電動車放量持續(xù)擴(kuò)大。

另在今年8月初據(jù)外媒報道，安森美計劃于今年晚些時候推出8英寸碳化硅晶圓，并于2025年投產(chǎn)。

安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury稱：“我們?nèi)匀话从媱澩七M(jìn)，今年將完成8英寸晶圓的認(rèn)證，這包括從襯底到晶圓廠的整個流程。8英寸碳化硅的認(rèn)證將在今年通過，明年開始的收入將符合我們的預(yù)期。”

針對8英寸碳化硅，安森美于2023年10月完成其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠的擴(kuò)建。據(jù)悉，該工廠滿載時，每年能生產(chǎn)超過100萬片8英寸碳化硅晶圓。富川碳化硅生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)6英寸晶圓，后續(xù)完成8英寸碳化硅工藝驗證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)8英寸晶圓。

2024年以來，安森美進(jìn)一步加碼碳化硅投資。6月19日，安森美宣布將在捷克共和國建造先進(jìn)的垂直整合碳化硅制造工廠。該工廠將生產(chǎn)安森美的智能功率半導(dǎo)體，這些功率半導(dǎo)體有助于提高電動汽車等應(yīng)用的能效。

安森美計劃通過一項高達(dá)20億美元（約141.79億人民幣）的多年期投資來擴(kuò)大碳化硅生產(chǎn)，這是該公司之前披露的長期資本支出目標(biāo)的一部分。這項投資將以安森美目前在捷克共和國的業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，包括硅晶體生長、硅和SiC晶片制造（拋光和 EPI）以及硅晶片工廠。目前，該廠每年可生產(chǎn)300多萬片硅片，其中包括10億多個功率器件。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)報道，鉆石特別適合用于功率半導(dǎo)體，因為其電氣強(qiáng)度約是硅的33倍。鉆石功率半導(dǎo)體可在約五倍熱的環(huán)境中運(yùn)行，電力損耗可減少到硅制產(chǎn)品的五萬分之一。

碳化硅和氮化鎵同樣也是備受關(guān)注的下一代半導(dǎo)體材料，但鉆石性能遠(yuǎn)高于兩者。以巴利加優(yōu)值（Baliga figure of merit，BFOM）來看，鉆石性能是碳化硅的80倍以上，是氮化鎵的10倍以上。

鉆石半導(dǎo)體有望用于需要大量穩(wěn)定電源的應(yīng)用，包括電動車、飛行汽車和發(fā)電站；其耐高溫和抗輻射特性也有望用于核能和太空等領(lǐng)域。然而，鉆石作為半導(dǎo)體材料也面臨諸多困難，如硬度關(guān)系，很難按電子設(shè)備所需的精度進(jìn)行研磨和加工，同時長時間用于半導(dǎo)體也可能變質(zhì)，此外成本也影響商業(yè)化進(jìn)程。

但據(jù)日經(jīng)報導(dǎo)，隨著長時間發(fā)展，鉆石半導(dǎo)體有望明年至?2030?年間進(jìn)入商業(yè)化階段，日本廠商在該研發(fā)領(lǐng)域進(jìn)展較快。

2023?年，日本佐賀大學(xué)團(tuán)隊成功開發(fā)世界上第一個采用鉆石半導(dǎo)體的功率電路；東京精密元件制造商Orbray已開發(fā)2英寸鉆石晶片的量產(chǎn)技術(shù)，很快將開發(fā)4英寸晶圓；日本初創(chuàng)公司Power Diamond Systems開發(fā)出一種鉆石元件，可處理世界領(lǐng)先的6.8安培電流，計劃幾年內(nèi)開始出樣品；另外一家初創(chuàng)公司Ookuma Diamond Device在福島縣建廠，將量產(chǎn)鉆石半導(dǎo)體，目標(biāo)2026財年開始營運(yùn)。

值得一提的是，研究制造精密設(shè)備的JTEC Corporation擁有電漿拋光高硬度材料表面的獨特技術(shù)，其已成功拋光世界領(lǐng)先尺寸的單晶鉆石基礎(chǔ)材料，并獲得加工鉆石材料的開發(fā)設(shè)備訂單。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

9月10日，據(jù)“沈陽高新區(qū)”官微消息，天科合達(dá)近日摘得北方芯谷新建區(qū)第一塊工業(yè)用地，將投資5.2億元建設(shè)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項目。

據(jù)悉，遼寧省集成電路裝備及零部件產(chǎn)業(yè)園即北方芯谷，位于沈陽市渾南區(qū)，總占地面積5.1平方公里，包括建成區(qū)五三片區(qū)和新建區(qū)張沙布片區(qū)，規(guī)劃建設(shè)集整機(jī)裝備、零部件、系統(tǒng)集成等于一體的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。

而天科合達(dá)本次摘牌的地塊位于北方芯谷新建區(qū)，計劃建設(shè)碳化硅單晶生長爐、高溫CVD真空爐等裝備研發(fā)制造生產(chǎn)基地和半導(dǎo)體設(shè)備高溫零部件碳化物涂層等終端產(chǎn)品生產(chǎn)基地。項目預(yù)計明年初開工建設(shè)，年底前投入使用。

作為全球碳化硅襯底主要生產(chǎn)商之一，天科合達(dá)目前正在持續(xù)加碼碳化硅襯底產(chǎn)能。

今年2月，天科合達(dá)控股子公司深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司建設(shè)運(yùn)營的碳化硅材料產(chǎn)業(yè)園項目在深圳市寶安區(qū)正式揭牌啟用，將重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線。

而在今年8月，北京市生態(tài)環(huán)境局公示了天科合達(dá)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目（以下簡稱：二期項目）環(huán)評審批。二期項目用于擴(kuò)大天科合達(dá)碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進(jìn)行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導(dǎo)電型碳化硅襯底，其中6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底13.5萬片。

隨著本次半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化基地項目落地，天科合達(dá)業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)中設(shè)備產(chǎn)品占比有望進(jìn)一步提升。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

其中，在碳化硅產(chǎn)品方面，時代電氣表示，其目前具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅的產(chǎn)能，并已發(fā)布基于碳化硅器件的電驅(qū)系統(tǒng)，預(yù)計今年形成銷售，明年實現(xiàn)批量推廣。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

根據(jù)時代電氣2024年半年度報告，時代電氣主要從事軌道交通裝備產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計、制造、銷售并提供相關(guān)服務(wù)，具有“器件+系統(tǒng)+整機(jī)”的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品主要包括以軌道交通牽引變流系統(tǒng)為主的軌道交通電氣裝備、軌道工程機(jī)械、通信信號系統(tǒng)等。

同時，時代電氣正在積極布局軌道交通以外的產(chǎn)業(yè)，在功率半導(dǎo)體器件、工業(yè)變流產(chǎn)品、新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、傳感器件、海工裝備等領(lǐng)域開展業(yè)務(wù)。

2024年上半年，在功率半導(dǎo)體板塊業(yè)務(wù)方面，時代電氣已有產(chǎn)線滿載運(yùn)營，宜興3期項目穩(wěn)步推進(jìn)，預(yù)計2024年下半年投產(chǎn)，中低壓器件產(chǎn)能持續(xù)提升。同時，其電網(wǎng)和軌交用高壓器件各項目持續(xù)交付。此外，時代電氣IGBT 7.5代芯片技術(shù)產(chǎn)品實現(xiàn)批量交付，碳化硅產(chǎn)品完成第4代溝槽柵芯片開發(fā)，碳化硅產(chǎn)線改造完成，新能源車用碳化硅產(chǎn)品處于持續(xù)驗證階段。

在碳化硅芯片技術(shù)方面，時代電氣掌握了具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的MOSFET芯片及SBD芯片的設(shè)計與制造技術(shù)，構(gòu)建了全套特色先進(jìn)碳化硅工藝技術(shù)的6英寸專業(yè)碳化硅芯片制造平臺，全電壓等級MOSFET及SBD芯片產(chǎn)品可應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、工業(yè)等多個領(lǐng)域。

在碳化硅產(chǎn)線建設(shè)方面，時代電氣子公司中車時代半導(dǎo)體總經(jīng)理兼產(chǎn)品總監(jiān)羅海輝博士在PCIM Asia 2024展會上透露，該公司早在2017年就建成了國內(nèi)首條4/6英寸兼容碳化硅芯片中試線，并在軌道交通領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。目前，公司正在建設(shè)8英寸線，能夠滿足每年500臺車的碳化硅需求。

目前，正在蓬勃發(fā)展的新能源汽車產(chǎn)業(yè)已成為時代電氣業(yè)務(wù)拓展方向之一，而具備年產(chǎn)2.5萬片6英寸碳化硅產(chǎn)能，有助于時代電氣車用碳化硅業(yè)務(wù)實現(xiàn)增長。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

在化合物半導(dǎo)體部分，因減碳趨勢，以及化合物半導(dǎo)體使用效率提升以及成本下降，未來需求會逐步上升，應(yīng)用市場包括在電動車、AI、資料中心、機(jī)器人等，估化合物半導(dǎo)體的營收會逐步成長。

資料顯示，嘉晶電子位于中國臺灣，公司專注于Si/SiC/GaN外延材料的研究、開發(fā)、生產(chǎn)制造及銷售。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

嘉晶電子上半年在化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中，碳化硅年成長59%，主因6英寸產(chǎn)能開出，營運(yùn)往上上升，但第二季碳化硅有較大下滑，主要受國內(nèi)大陸內(nèi)卷價格沖擊太大；氮化鎵上半年年成長38%，主要因AI伺服器的推動。

因應(yīng)國內(nèi)大陸碳化硅內(nèi)卷價格競爭，嘉晶電子表示，公司積極驗證mos等級的外延片，預(yù)估第四季驗證后碳化硅將會恢復(fù)成長，且8英寸碳化硅產(chǎn)品設(shè)備已進(jìn)駐，第三季調(diào)整制程后，第四季將送驗證。

另外，8英寸氮化鎵持續(xù)進(jìn)行研發(fā)以及客戶產(chǎn)品驗證，目前正小量試產(chǎn)。（來源：Money DJ）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：Soitec

這項技術(shù)能夠滿足用于大型數(shù)據(jù)中心和AI的光子學(xué)，用于6G移動通信的射頻前端和集成天線，以及亞太赫茲雷達(dá)傳感等領(lǐng)域的應(yīng)用。

據(jù)悉，磷化銦（InP）器件能夠在接近或超過1太赫茲（THz）的頻率下運(yùn)行，與硅基器件相比，提供了更快的速度和更高的能效。

Soitec主導(dǎo)的歐洲研究和產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟Move2THz由27個成員組成，旨在保障歐洲InP半導(dǎo)體的穩(wěn)健供應(yīng)和制造生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，并解決相關(guān)產(chǎn)品更廣泛應(yīng)用的障礙，包括InP基先進(jìn)襯底的成本和可用性。該項目為期三年，已經(jīng)獲得了歐盟的資金支持，以及來自法國、瑞士、德國、瑞典、荷蘭和比利時政府的補(bǔ)充投資。

Soitec秘書長艾曼紐埃爾·貝利（Emmanuelle Bely）表示：“這個項目標(biāo)志著在整合越來越強(qiáng)大、能效更高的半導(dǎo)體技術(shù)方面的一個重要里程碑。我們正在一起為基于磷化銦的創(chuàng)新鋪平道路，這將改變6G通信、光子學(xué)和人工智能等關(guān)鍵領(lǐng)域?！?/p>

公開資料顯示，Soitec于1992年成立于法國，主營半導(dǎo)體硅晶圓制造及銷售業(yè)務(wù)，是全球最大的優(yōu)化半導(dǎo)體硅片襯底供應(yīng)商。而硅片經(jīng)過冶煉、鑄造及切割之后，Soitec使用其獨有的切割技術(shù)，在兩層氧化硅之間插入絕緣層形成絕緣硅（SOI）晶圓，從而制造成射頻前端芯片、功率器件、汽車芯片、傳感芯片等產(chǎn)品。

目前，除了光子學(xué)，Soitec的業(yè)務(wù)布局還包括RF-GaN、SmartSiC、Power-GaN等化合物半導(dǎo)體材料，其在法國伯寧的新工廠已于2023年10月落成，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），占地面積2500平方米，2028年全部達(dá)成后可年產(chǎn)50萬片，其中80%為SmartSiC晶圓。

此外，Soitec布局了Smart Cut、Smart Stacking等技術(shù)，其中，Smart Cut技術(shù)能夠精準(zhǔn)切割碳化硅晶圓，提高碳化硅晶圓的良率和性能，并顯著增加產(chǎn)量。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

根據(jù)公告，士蘭集科本次擬新增注冊資本148155.0072萬元。士蘭微擬與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡稱：廈門半導(dǎo)體）以貨幣方式共同出資16億元認(rèn)繳士蘭集科本次新增的全部注冊資本。

其中，士蘭微出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊資本74077.5036萬元；廈門半導(dǎo)體同樣出資8億元，認(rèn)繳士蘭集科注冊資本74077.5036萬元。本次增資完成后，士蘭集科的注冊資本將由382795.3681萬元變更為530950.3753萬元。

天眼查資料顯示，士蘭集科成立于2018年2月，是一家電子設(shè)備供應(yīng)商，主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售芯片晶圓、MEMS、功率器件以及集成電路等產(chǎn)品，致力于為行業(yè)用戶提供相關(guān)的電子產(chǎn)品及服務(wù)。

股東信息顯示，目前，士蘭集科由廈門半導(dǎo)體、士蘭微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司共同持股，持股比例分別為66.626%、18.719%、14.655%。

根據(jù)士蘭微2024年半年度報告，2024年上半年，士蘭集科總計產(chǎn)出12英寸芯片22.46萬片，同比減少約5%，實現(xiàn)營收11.21億元，同比增加約6%。近期隨著IGBT芯片產(chǎn)能的進(jìn)一步釋放，士蘭集科產(chǎn)能利用率已處于較高水平。

士蘭微表示，如本次增資事項順利實施，將進(jìn)一步增加士蘭集科的資本充足率，為士蘭集科12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線的建設(shè)和運(yùn)營提供資金保障；有利于進(jìn)一步提升士蘭集科的生產(chǎn)能力，為士蘭微提供產(chǎn)能保障。

據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體了解，今年以來，除士蘭微外，還有另外兩家化合物半導(dǎo)體廠商披露了增資相關(guān)動態(tài)，分別是中車時代半導(dǎo)體和長光華芯。

4月26日，中車時代半導(dǎo)體增資引入戰(zhàn)略投資者簽約儀式在株洲舉行。根據(jù)中車時代半導(dǎo)體母公司時代電氣在今年3月底發(fā)布的公告，中車時代半導(dǎo)體本次增資擴(kuò)股擬引入株洲市國創(chuàng)田芯創(chuàng)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等26名戰(zhàn)略投資者及員工持股平臺株洲芯發(fā)展零號企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），增資金額為人民幣43.278億元。本次增資完成后，時代電氣持有中車時代半導(dǎo)體的股權(quán)比例從96.1680%變更為77.7771%，仍為中車時代半導(dǎo)體的控股股東。

隨后在7月12日晚間，長光華芯發(fā)布公告宣布子公司擬增資惟清半導(dǎo)體，后者股東之一為碳化硅功率器件廠商清純半導(dǎo)體。具體來看，長光華芯全資子公司蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（以下簡稱：研究院）擬出資1億元認(rèn)購關(guān)聯(lián)方惟清半導(dǎo)體新增注冊資本1333.33萬元。本次增資前，研究院持有惟清半導(dǎo)體29%的股權(quán)，增資完成后，研究院將持有惟清半導(dǎo)體31.61%的股權(quán)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

公開資料顯示，硅酷科技成立于2018年12月，聚焦多場景的芯片互聯(lián)技術(shù)，其中碳化硅的預(yù)燒結(jié)貼合設(shè)備已經(jīng)成為此細(xì)分領(lǐng)域國產(chǎn)替代的領(lǐng)導(dǎo)者，市場占有率第一。

在碳化硅熱貼技術(shù)方面，硅酷科技現(xiàn)已攻克精度達(dá)到數(shù)微米的碳化硅預(yù)燒結(jié)熱貼技術(shù)，有望于2025年實現(xiàn)重復(fù)精度為1-2um的TCB（Thermal Compression Bonding，熱壓鍵合）工藝，以進(jìn)一步推動芯片互聯(lián)鍵合技術(shù)國產(chǎn)化發(fā)展。

天眼查資料顯示，成立至今，硅酷科技已完成6輪融資，投資方中，中車資本、哇牛資本、同創(chuàng)偉業(yè)、追遠(yuǎn)創(chuàng)投等已參與硅酷科技多輪融資。

今年下半年以來，國內(nèi)碳化硅設(shè)備賽道融資熱度持續(xù)保持高位，相關(guān)廠商頻頻傳出完成新一輪融資相關(guān)消息，涉及一塔半導(dǎo)體、優(yōu)睿譜、銘創(chuàng)智能等廠商。

從各大廠商融資情況來看，下半年已完成新一輪融資的廠商大部分主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體相關(guān)量測設(shè)備。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

source：合盛硅業(yè)

據(jù)悉，該項目位于上海市嘉定區(qū)南翔鎮(zhèn)永樂片區(qū)，總建筑面積4萬多平方米。項目于2023年3月破土動工，目前項目主體已全部完成封頂作業(yè)，正在進(jìn)行內(nèi)部地坪澆筑作業(yè)，整體工程計劃于2024年年底竣工。

合盛硅業(yè)介紹到，上海研發(fā)制造中心將依托公司自有技術(shù)，著力研發(fā)第三代半導(dǎo)體碳化硅長晶技術(shù)和硅基新材料高端產(chǎn)品。項目建成后，將落地形成大尺寸碳化硅長晶爐、特種混煉膠、5G用灌封膠、導(dǎo)熱膠、發(fā)泡硅橡膠等一系列產(chǎn)品，并通過研發(fā)、組裝、制造等方式實現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化。

集邦化合物半導(dǎo)體了解到，合盛硅業(yè)作為硅基新材料的龍頭企業(yè)，近年來在碳化硅領(lǐng)域也開展一系列動作。

合盛硅業(yè)從2019年開始開展碳化硅研發(fā)，建成了高純料合成實驗室、長晶實驗室、襯底加工實驗室、外延實驗室等，配備了從粉料合成到外延整線的生產(chǎn)設(shè)備和各類環(huán)節(jié)檢測儀器等。

目前，合盛硅業(yè)的6英寸碳化硅襯底、外延片已批量向客戶供貨，客戶遍及國內(nèi)、東亞、歐美等區(qū)域。今年5月，公司在召開業(yè)績說明會表示，其8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品已出樣，正在推進(jìn)8英寸襯底的量產(chǎn)。

7月，合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古年產(chǎn)800噸碳化硅顆粒項目點火成功，該項目由建設(shè)期的“工地”實現(xiàn)了向“工廠”的里程碑式轉(zhuǎn)變。該項目是合盛硅業(yè)布局呼和浩特“源網(wǎng)荷儲一體化”項目之一，也是合盛硅業(yè)在內(nèi)蒙古投資建設(shè)的首個產(chǎn)業(yè)類項目。

合盛硅業(yè)表示，隨著新能源汽車、快充樁、5G通信等應(yīng)用領(lǐng)域的迅猛發(fā)展，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的需求將持續(xù)井噴。后續(xù)，合盛硅業(yè)將憑借技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)實力，布局浙江、內(nèi)蒙古、上海等基地協(xié)同發(fā)展。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

關(guān)鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備再升級

近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)再獲突破。

據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導(dǎo)體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延設(shè)備，具備更快、更好、更穩(wěn)定的特點，通過改進(jìn)激光視覺定位、晶圓自糾偏等技術(shù)，設(shè)備自動化性能更加成熟，提升產(chǎn)品生產(chǎn)效率。設(shè)備還成功引入新的摻雜技術(shù)，進(jìn)一步提升產(chǎn)品良率，持續(xù)降低生產(chǎn)成本。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

三義激光：首批碳化硅激光設(shè)備正式交付

9月5日，三義激光在官微透露，他們自主研發(fā)、生產(chǎn)的首批6&8英寸碳化硅激光滾圓設(shè)備順利完成生產(chǎn)并正式交付客戶，標(biāo)志著公司在高端激光加工設(shè)備領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。

據(jù)悉，三義激光碳化硅激光設(shè)備能利用高能激光束進(jìn)行精準(zhǔn)加工，提高生產(chǎn)效率，降低損耗，提升產(chǎn)品良率，為碳化硅的精細(xì)加工提供了高效、精準(zhǔn)的解決方案，并具激光非接觸式加工、7×24小時無間斷工作、設(shè)備運(yùn)行無需耗材等優(yōu)勢。（來源：全球半導(dǎo)體觀察）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。