兩家公司將參與新興技術的長期規(guī)劃，并在一系列領域進行研發(fā)合作，涵蓋先進半導體封裝和集成、硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、硅光子學和先進技術工藝開發(fā)。

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據介紹，這項非獨家性新合作建立在BAE Systems公司與格芯長期合作關系的基礎上，進一步匯集了BAE Systems在關鍵國防系統(tǒng)微電子領域的專業(yè)技術，以及格芯作為領先的大批量半導體制造商和美國國防部安全重要芯片先進供應商的專業(yè)技術。

值得注意的是，因美國芯片和科學法案，BAE Systems和格芯近期都收到了美國政府直接資助。（集邦化合物半導體Morty編譯）

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MEC是一家占地110000平方英尺、經美國防部 (DoD) 認證的芯片制造工廠，是美國境內唯一以國防應用為中心的6英寸GaAs和GaN HEMT晶圓代工廠。

據悉，這是《芯片和科學法案》部分條例頒布以來首次資助公告，該法案旨在加強美國制造業(yè)、供應鏈和國家安全。

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這筆約3500萬美元的資金將與BAE Systems在現代化改造和研發(fā)方面的持續(xù)投資相結合。該款項將幫助其購買新的生產設備，減輕供應鏈風險、提高產能并縮短產品制造時間。工廠效率提高后能夠擴大生產規(guī)模，以滿足美國防部技術發(fā)展日益增長的需求，為包括衛(wèi)星通信、測試和測量設備市場在內的非國防工業(yè)提供關鍵的微電子產品。

據了解，GaN和GaAs是當今全球最先進的有源相控陣雷達的核心材料。此外，電子戰(zhàn)設備、防控導彈系統(tǒng)和反無人機武器等國防領域內都有搭載GaN器件的示例。

由于GaN器件在軍事領域的應用廣泛，美國政府為增強國防實力，不斷提升其國內GaN晶圓的產能。比如，格芯10月份獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發(fā)和生產硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠每月可生產超過5萬片晶圓。（集邦化合物半導體Rick編譯）

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