采用TO-247-4L 封裝，集成柵極驅動和短路保護的 GaN 功率 IC，適用于高功率密度和高效率的大功率應用。

ISG612xTD SolidGaN IC

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范圍為 22m?~59m?（最大25C）。

ISG612xTD系列采用精密Vgs柵極驅動器、快速短路保護和 TO247-4L 封裝，具有出色的熱性能。這些配置使系統(tǒng)設計人員能夠實現(xiàn)具有 Titanium Plus 效率的高頻開關，功率密度比傳統(tǒng)方案高2~3倍。

產品包含

ISG6121TD
ISG6122TD
ISG6123TD
ISG6124TD

該系列產品還配備了內置保護，包括DESAT保護、輸入UVLO和OTP，能夠進一步確保設備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。

產品性能

集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
兼容IGBT，Si MOSFET，SiC引腳，可直接替換
10V~24V輸入電壓范圍支持主流驅動器和控制器生態(tài)
內置米勒鉗位，無需負壓關斷，支持高達100V/ns開關速度
集成短路保護，欠壓保護，過溫保護，增加系統(tǒng)魯棒性

應用優(yōu)勢

高開關頻率
高功率密度
高散熱能力
高抗干擾能力
簡單易用
高可靠性

應用領域

適合500W-4KW大功率電源和馬達驅動
可廣泛應用于服務器電源，空調電源，汽車OBC

作為行業(yè)首發(fā)的大功率合封氮化鎵產品，ISG612XTD SolidGaN IC將先進的700V E型GaN FET無縫集成，為電力電子的性能、易用性和可靠性設定了全新標準，有望成為高效率、高安全性的終端應用系統(tǒng)的關鍵器件。

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

值得注意的是，QPT本輪融資由GaN Systems的聯(lián)合創(chuàng)始人Geoff Haynes領投，其剛于10月中旬以顧問的身份加入了QPT。同時，本輪融資符合英國政府企業(yè)融資計劃條件，可獲得風險資本投資稅收減免。

專注于GaN模塊方案，QPT解決GaN高頻率問題

QPT成立于2019年，據(jù)稱是首家突破100kHz頻率，促使GaN在電機驅動、機器人等高壓高功率應用中能夠以高達20MHz的頻率運行的企業(yè)，產品及技術解決方案包括qGaN模塊、qDrive門極驅動器、qSensor傳感器等。

據(jù)QPT介紹，通常頻率超過100kHz會產生嚴重的過熱及射頻干擾等問題，而目前業(yè)內現(xiàn)有的解決方案是將GaN頻率限制在100kHz以內，如此一來，GaN的性能與SiC基本無異。由于GaN無法在高開關速度或高頻率下運行，其能夠節(jié)省功耗的優(yōu)勢也就無法體現(xiàn)，因此，相比之下GaN便沒有了使用優(yōu)勢。
不同于其他廠商，QPT找到了解決方案并實現(xiàn)以更快的速度驅動GaN，相當于SiC頻率的23倍，能夠顯著降低能耗。

Source：QPT

具體而言，QPT將其qGaN技術集成于兩個模塊中，使用簡易，而且客戶只需小幅更改現(xiàn)有設計。qGaN模塊中第一個模塊是650V GaN晶體管，采用qDrive門極驅動器，該產品據(jù)說是業(yè)界運行最快、最精準、最高分辨率的低抖動隔離（low-jitter isolated）GaN晶體管門極驅動器。第二個模塊是qSensor，該模塊集成了QPT的ZEST與qSense技術，主要提供感測和控制功能，可幫助GaN在第一時間以超高頻率運行。

除了qGaN模塊，QPT還開發(fā)了其WisperGaN建設系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含一個參考設計，即模塊與輔助器件組裝到一起的方案，以避免出現(xiàn)過熱或射頻干擾問題?；赒PT這些技術，GaN能夠以高頻率運行，相比現(xiàn)有方案，可將功耗降低80%

按照QPT的路線圖，qGaN模塊將用于處理各種功率負載問題，以匹配不同應用領域的需求。QPT表示，經(jīng)過多項研究證明，qGaN技術相比競品，擁有更小、更高性價比、更節(jié)能等優(yōu)勢。

根據(jù)公開信息統(tǒng)計，目前業(yè)界在GaN功率模塊領域具備此能力的廠商仍少見，這也是GaN Systems的聯(lián)合創(chuàng)始人Geoff Haynes看好并投資QPT的主要原因，據(jù)透露，在本次投資中，Haynes的投資金額達六位數(shù)。

QPT與GaN Systems深度綁定，競爭優(yōu)勢凸顯

另外，不止Haynes本身，GaN Systems也已經(jīng)與QPT展開了緊密的合作，有望在電動汽車應用市場取得更多主動權。

此前，GaN Systems宣布與QPT簽署了合作備忘錄，目標是通過協(xié)作解決當前基于 GaN晶體管的設計挑戰(zhàn)，進一步優(yōu)化電動車電系統(tǒng)性能表現(xiàn)，在電動車續(xù)航里程領域取得突破。具體合作上，GaN Systems主要整合QPT的驅動、控制和感測技術，目的是優(yōu)化GaN功率晶體管的效能，解決在100kHz – 20MHz頻率內運行的硬開關高壓高功率應用解決系統(tǒng)設計面的挑戰(zhàn)，更好地匹配車用領域的需求。

隨著GaN功率技術不斷取得突破，GaN在電動汽車上的應用也邁出了實質性的一步。根據(jù)TrendForce集邦咨詢觀察，OEM與Tier1早已察覺GaN的潛力所在，譬如，寶馬已早早布局車用GaN市場，向GaN Systems下了采購訂單。因此，TrendForce集邦咨詢預計至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，應用前景可期。

從技術研發(fā)、產品發(fā)布還是市場拓展等層面看，GaN Systems都屬于先行者，擁有較為明顯的先發(fā)優(yōu)勢，加上其已背靠Infineon功率半導體頭部廠商，綜合實力又上了一個臺階。而QPT目前在GaN功率模塊領域也擁有先發(fā)優(yōu)勢，GaN Systems與其建立深度合作關系，意味著將更多優(yōu)勢資源集中起來，對于GaN Systems及Infineon突破車用GaN效能問題，甚至布局更多GaN 高壓高功率應用市場都是一大利好。

對于QPT來說，獲得GaN Systems的支持，一方面可以快速擴大市場知名度，推動本輪融資及后續(xù)融資的順利完成；另一方面也能夠借力GaN Systems和Infineon，加速車用GaN技術攻關，助推商用化，同時打開市場應用大門，擴大市占率。

總的來說，無論是QPT自身，還是QPT與GaN Systems之間的合作，未來對整個GaN功率市場都可能產生影響。正如GaN Systems所言，基于QPT技術帶來的功能面性能優(yōu)化，為GaN在電動車領域帶來嶄新應用機會，未來雙方的合作有望重寫市場競局。（文：集邦化合物半導體Jenny）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

設立在城市中的5G mMIMO基站提供了高速、大容量的通信，5G移動網(wǎng)絡在全世界越來越受歡迎。這些基站都使用的是多元件天線和相應數(shù)量的功率放大器，在降低這些基站的功耗和制造成本方面，高效功率放大器模塊凸顯重要性。此外，該功率放大器模組還需要在寬頻范圍內具有兼容的低失真特性，以適配于不同國家網(wǎng)絡。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

三菱電機將為5GmMIMO基站提供GaN功率放大模塊的樣品，該模塊能在3.4GHz到8.39GHz寬頻范圍內提供3W（8 dBm）的平均輸出功率。三菱電機特別強調，該模塊因其能超過43%的高功效附加效率下運行，可用于64T64R mMIMO天線。

該模塊高效率和低失真率基于三菱電機的新型GaN高電子遷移率晶體管（HEMTs）。除了高效率外，三菱電機使用獨創(chuàng)的電路設計和高密度封裝技術來實現(xiàn)其寬帶特性。

更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。