據(jù)悉，該實驗室的成立旨在聚焦半導(dǎo)體功率電子領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)問題，通過產(chǎn)學(xué)研深度融合，推動我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。

公開消息顯示，揚(yáng)杰科技中央研究院按照國內(nèi)一流電子實驗室標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，總建筑面積達(dá)5000平方米，分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室和綜合研發(fā)實驗室。實驗室已通過CNAS（中國合格評定國家認(rèn)可委員會）認(rèn)證，具備芯片設(shè)計模擬仿真、環(huán)境測試、物理化學(xué)失效分析以及產(chǎn)品電、熱及機(jī)械應(yīng)力模擬仿真等多項功能。

中央研究院整合了揚(yáng)杰科技的多個研發(fā)團(tuán)隊，涵蓋SiC、GaN、IGBT、MOSFET、二三極管芯片等多個領(lǐng)域。此外，該公司還與東南大學(xué)共建“寬禁帶功率器件技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”，專注于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。實驗室的成立將進(jìn)一步推動公司在高端功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新，特別是在SiC、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品上實現(xiàn)技術(shù)突破。

揚(yáng)杰科技中央研究院獲批省重點(diǎn)實驗室后，將重點(diǎn)解決大功率半導(dǎo)體器件的前沿技術(shù)和共性關(guān)鍵技術(shù)，助力我國在IGBT等新型功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)自主可控。此外，實驗室還將為揚(yáng)杰科技新產(chǎn)品開發(fā)、技術(shù)瓶頸突破以及市場版圖擴(kuò)展提供強(qiáng)有力的保障。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

順為科技集團(tuán)IGBT/SiC功率半導(dǎo)體模塊項目位于田心高科園，主要生產(chǎn)工業(yè)調(diào)頻、充電樁、儲能逆變、光伏/風(fēng)力發(fā)電用IGBT模塊等。

該項目總投資7.5億元，預(yù)計在今年年底啟動建設(shè)，明年上半年正式投產(chǎn)，建成達(dá)產(chǎn)400萬個IGBT模塊及100萬個SiC模塊，預(yù)計年產(chǎn)值8億元。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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