国产欧美日韩另类精彩视频,国产香蕉97碰碰久久人人,无遮挡黄动漫手机在线观看 http://teatotalar.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站，提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Thu, 20 Feb 2025 06:30:41 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 深圳/香港，碳化硅技術(shù)研究迎來新進展！ http://teatotalar.com/SiC/newsdetail-70838.html Thu, 20 Feb 2025 06:30:41 +0000 http://teatotalar.com/?p=70838 近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其卓越的高溫、高頻、高電壓性能，在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力和市場價值。隨著全球科技產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅技術(shù)不斷取得突破。近期，深圳與香港碳化硅研究新進展曝光。

深圳平湖實驗室SiC襯底激光剝離技術(shù)新進展

近期，深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展。

SiC由于莫氏硬度高達9.5，是很難加工的材料，傳統(tǒng)加工流程材料損耗率大，為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。

source：深圳平湖實驗室

該實驗室認(rèn)為，激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。

香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布碳化硅最新研究進展

近期，香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組報告了多項氮化鎵，碳化硅的最新研究進展。其中，“高速且具備優(yōu)越開關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件”研究提出，GaN/SiC 混合型cascode 器件將SiC MOSFET的低遷移率MOS 溝道替換為基于GaN的2DEG溝道，將溝道遷移率大幅提升至2000 c㎡/V·s左右。為充分發(fā)揮GaN/SiC cascode 器件的開關(guān)性能，該團隊為該器件開發(fā)了3D堆疊式的封裝方案，有效解決了合封器件長期存在的寄生電感瓶頸。與最新一代寬禁帶半導(dǎo)體1.2 kV高功率商業(yè)器件相比，新器件的開關(guān)速度有顯著提升（圖1-1）。

圖1-1：GaN/SiC cascode 器件的3D堆疊封裝及其高速開關(guān)能力（source：香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組）

cascode器件長期受制于其較弱的開關(guān)速度控制能力。針對該問題，研究團隊首次分析、提出和實驗驗證了低壓器件的CGD是從根本上提升cascode器件開關(guān)速度控制能力的關(guān)鍵（圖1-2）。從而首次在cascode功率器件上實現(xiàn)了用戶樂于使用的通過外加?xùn)艠O電阻調(diào)控開關(guān)速度的方法。

圖1-2：GaN/SiC開關(guān)速度控制方案與實驗數(shù)據(jù)驗證。增加低壓器件的CGD之后，cascode器件具備通過柵極電阻實現(xiàn)開關(guān)速度控制的能力。（source：香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組）（集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理）

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]]> 韓國首款2300V SiC MOSFET問世 http://teatotalar.com/power/newsdetail-67631.html Wed, 03 Apr 2024 06:27:14 +0000 http://teatotalar.com/?p=67631 據(jù)韓媒ETnews報道，3月26日，半導(dǎo)體設(shè)計公司Power Cube Semi宣布，已在韓國首次成功開發(fā)出2300V碳化硅（SiC）MOSFET，并將于明年初量產(chǎn)。

source：Power Cube Semi

據(jù)介紹，Power Cube Semi稱，2300V SiC MOSFET繼承了現(xiàn)有1700V SiC MOSFET的開發(fā)和量產(chǎn)經(jīng)驗。

Power Cube Semi指出，2300V SiC MOSFET適用于需要高電壓和低功率的應(yīng)用，如輸配電。公司正就輸配電的逆變器訂單事宜與韓國電力公司（KEPCO）進行商談。

據(jù)了解，Power Cube Semi最初是一家無晶圓廠的半導(dǎo)體設(shè)計公司，專注于Si、SiC和氧化鎵（Ga2O3）功率半導(dǎo)體的研發(fā)與商業(yè)化。這些產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源和車載充電器（OBC）等領(lǐng)域。

2021年，Power Cube Semi已經(jīng)開始生產(chǎn)6英寸1200V SiC二極管。2022年，公司通過東部高科（DB Hitech）代工生產(chǎn)了650V Super Junction（SJ） MOSFET，并成功地將這些產(chǎn)品大量供應(yīng)給了中國的一家全球性電動汽車公司。

Power Cube Semi首席執(zhí)行官 Kang Tae-young 表示：“我們將盡一切努力將其應(yīng)用于需要高電壓和低功率的應(yīng)用，而不是以簡單的開發(fā)案例結(jié)束?！保罨衔锇雽?dǎo)體Rick編譯）

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]]> 出資2250萬歐元，X-FAB擬收購MOSFET公司 http://teatotalar.com/Company/newsdetail-66746.html Thu, 04 Jan 2024 08:47:48 +0000 http://teatotalar.com/?p=66746 近日，SiC晶圓代工龍頭X-FAB發(fā)布公告稱，公司計劃出資2250萬歐元（折合人民幣約1.76億元）收購M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited（以下簡稱M-MOS）的全部股份。

據(jù)介紹，M-MOS是一家專注于MOSFET技術(shù)開發(fā)的無晶圓廠（Fabless）公司。M-MOS銷往工業(yè)、消費和汽車市場的MOSFET晶圓主要由X-FAB生產(chǎn)。2022年，M-MOS的營收為3200萬美元（折合人民幣約2.29億元）。此外，根據(jù)M-MOS官網(wǎng)信息，其還具備硅基氮化鎵（GaN-on-Si）功率分立器件技術(shù)研發(fā)能力。

source:M-MOS

值得注意的是，M-MOS為Xtrion NV的全資子公司，即Xtrion NV為該公司股權(quán)的唯一賣方。由于在2023年11月以前，Xtrion NV一直是X-FAB的主要投資者，兩者按照相關(guān)法律被視為關(guān)聯(lián)方，因此這項交易需要有關(guān)機構(gòu)審核是否存在利益沖突。

據(jù)X-FAB此前披露的消息，2023年11月，Xtrion將其持有的所有X-FAB股份出售給了其間接股東Elex NV和Sensinnovat BV。Elex NV和Sensinnovat BV分別是Duchatelet家族和De Winter-Chombar家族的投資媒介和控股公司。目前，Elex NV和Sensinnovat BV分別持有X-FAB 25%和24.2%的股份。

X-FAB集團CEO Rudi De Winter表示，X-FAB自20多年前在德國開始其分立器件業(yè)務(wù)，隨后在馬來西亞的工廠為M-MOS生產(chǎn)溝槽MOSFET。X-FAB相信M-MOS的工藝和產(chǎn)品設(shè)計知識以及市場知識將有助于加速X-FAB分立器件業(yè)務(wù)的發(fā)展。

據(jù)X-FAB官網(wǎng)資料顯示，X-FAB是第一家為寬禁帶材料SiC/GaN 提供全面加工技術(shù)的純晶圓代工廠，其在德國德累斯頓的現(xiàn)代化8英寸晶圓廠負(fù)責(zé)加工 GaN-on-Si，在美國德克薩斯州拉伯克的6英寸晶圓廠負(fù)責(zé)加工SiC。

X-FAB可生產(chǎn)多種SiC產(chǎn)品，其中包括SiC SBD（肖特基勢壘二極管）、合并PiN肖特基 (MPS) 二極管、JBS（結(jié)勢壘肖特基）二極管、MOSFET和JFET。而公司生產(chǎn)的8英寸GaN-on-Si，可以實現(xiàn)多路線GaN產(chǎn)品。

集邦化合物半導(dǎo)體Morty編譯

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