此次收購將補充安森美的Elite SiC功率產(chǎn)品組合，使公司能夠滿足人工智能數(shù)據(jù)中心電源單元中AC-DC階段對高能效和功率密度的需求。此外，此舉還將加快安森美在電動汽車電池斷路器和固態(tài)斷路器（SSCB）等新興市場的布局。

source：安森美

據(jù)介紹，SiC JFET擁有最低的單位芯片面積導通電阻，所用功率不到其他任何技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。這些優(yōu)勢共同加快了開發(fā)速度、降低了能耗與系統(tǒng)成本，為電源設計人員和數(shù)據(jù)中心運營商提供了巨大的價值。

安森美集團總裁兼電源解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Simon Keeton表示：“隨著AI工作負載變得越來越復雜且耗能，能夠提供高能效并處理高電壓的可靠SiC JFET的重要性將不斷增加。通過融合Qorvo的SiC JFET 技術，公司的智能電源產(chǎn)品組合可為客戶提供了另一種優(yōu)化能耗和提高功率密度的解決方案。”
安森美指出，本次收購預計將在5年內(nèi)使公司的市場機會擴大13億美元（折合人民幣約94億元）。

資料顯示，UnitedSiC是一家美國碳化硅功率半導體制造商，專注于開發(fā)和生產(chǎn)SiC FET和肖特基二極管器件。

2021年11月，Qorvo為擴大其在電動汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場的影響力，宣布收購UnitedSiC。（集邦化合物半導體Morty編譯）

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據(jù)了解，Anokiwave專注于為國防和航空航天、衛(wèi)星通信和5G應用的智能有源陣列天線提供高性能硅集成電路（IC）。

收購完成后，Anokiwave團隊將加入Qorvo的高性能模擬（HPA）部門，并將繼續(xù)為國防相控陣和AESA雷達、電子戰(zhàn)（EW）、衛(wèi)星通信和5G應用開發(fā)波束成形器和IF-RF解決方案。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

Qorvo高性能模擬部門總裁Philip Chesley表示：“Anokiwave的高頻波束成形和中頻（IF）到RF轉(zhuǎn)換IC是對Qorvo RF前端產(chǎn)品組合的有力補充?！彼a充道：“我們獨特能力的結(jié)合將使我們能夠為國防、航空航天和網(wǎng)絡基礎設施應用提供高度集成且完整的解決方案和SiP?！?/p>

Anokiwave首席技術官、創(chuàng)始人兼董事長Nitin Jain表示：“Anokiwave創(chuàng)新性的有源天線IC產(chǎn)品組合，結(jié)合Qorvo的互補產(chǎn)品、全球規(guī)模和顯著的市場影響力，將創(chuàng)造令人興奮的新機遇，為客戶提供卓越的性能、效率和集成度。

文：集邦化合物半導體Rick編譯

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清純半導體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片

近日，清純半導體正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型號：SG2MA35120B）及對應SOT227封裝產(chǎn)品（型號：S1P04R120SSE），以滿足客戶在高性能、大功率應用的需求。

圖1和圖2分別展示了該芯片單管SOT227封裝 (圖3）的輸出和擊穿特性曲線。在室溫下，該芯片電阻為3.5毫歐，擊穿電壓不低于1600V。本產(chǎn)品通過設計和工藝的改進，完成對芯片電流路徑上高溫分布電阻的優(yōu)化，特別是溝道電阻與N型區(qū)電阻的折中設計，實現(xiàn)了優(yōu)秀的電阻溫度系數(shù)。測試結(jié)果表明在175℃下芯片導通電阻僅為室溫下電阻的1.5倍。

source：清純半導體

隨著碳化硅（SiC）材料質(zhì)量和制造技術的不斷提升，大電流、低導通電阻SiC功率芯片得以實現(xiàn)，同時也將進一步簡化功率模塊封裝，加速SiC在新能源汽車等領域的應用。本產(chǎn)品通過結(jié)構、工藝的優(yōu)化設計，顯著降低了部分關鍵缺陷對性能的影響；同時采用了更低的比電阻設計技術，降低了同電阻下的芯片面積，從而使成品率降低趨勢得以控制，實現(xiàn)了大電流、低電阻芯片的量產(chǎn)。

另一方面，SiC MOSFET在大功率應用中，容易受到各類干擾的影響而發(fā)生柵極的誤開啟，如上下管之間電容自充電引起的寄生開啟（Parasitic Turn-on），以及不同橋臂之間的串擾等。本產(chǎn)品通過對柵極微結(jié)構布局的優(yōu)化，一方面提升了輸入電容Ciss與轉(zhuǎn)移電容Crss的比值，另一方面提高了閾值電壓，從而實現(xiàn)對串擾的抑制。

如圖4所示，產(chǎn)品在800V電壓下的Ciss/Crss的電容比達到580以上。圖5比較了器件閾值電壓和溫度的關系，在25℃下閾值電壓達到3.2V，175℃下閾值電壓高于2V。在應用方面，該芯片兼容18V與15V驅(qū)動電壓，適應不同驅(qū)動電路的開發(fā)需求，方便對IGBT在各種應用的直接替代。

中國科學院電工研究所基于芯片產(chǎn)品SG2MA35120B完成了低雜感半橋模塊封裝，雙脈沖測試波形如圖6所示。中國科學院電工研究所研究員寧圃奇表示: “在中科院交叉團隊項目和國家重點研發(fā)計劃新能源汽車專項項目的支持下，該單顆芯片在環(huán)境溫度為150°C且母線電壓為800V時實現(xiàn)了350A的電流輸出能力。本芯片特別適用于大功率車用電驅(qū)系統(tǒng)，可有效抑制并聯(lián)大數(shù)量小電流芯片帶來的不均流、不均溫難題”。

Fig 6. 雙脈沖測試波形（source：清純半導體）

清純半導體始終堅持技術引領，推出的系列SiC產(chǎn)品以優(yōu)異的性能和高可靠性獲得了廣大用戶的一致認可。目前，清純半導體已在750V、1200V、1700V、2000V等電壓平臺上完成數(shù)十種SiC器件的開發(fā)與量產(chǎn)，并布局了完善的產(chǎn)能保障體系和嚴格的質(zhì)量管理體系，清純半導體將在中國SiC原創(chuàng)技術策源地和領先供應商的道路上不斷取得新的突破。

Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET

Qorvo近日發(fā)布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型D2PAK-7L封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ 導通電阻RDS(on)。此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動汽車（EV）類應用。

source：Qorvo

據(jù)介紹，UJ4SC075009B7S 在25°C時的典型導通電阻值為9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應用中減少傳導損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實現(xiàn)自動化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的750V系列產(chǎn)品是對Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足400V和800V電池架構電動汽車的應用需求。

Qorvo電源產(chǎn)品線市場總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動汽車動力總成設計人員提供先進、高效解決方案的承諾，以助力其應對獨特的車輛動力挑戰(zhàn)?！?/p>

這些第四代SiC FET采用Qorvo獨特的共源共柵結(jié)構電路配置，將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開關技術效率優(yōu)勢和硅基MOSFET簡單柵極驅(qū)動的器件。SiC FET的效率取決于傳導損耗；得益于業(yè)界卓越的低導通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo的共源共柵結(jié)構/JFET方式帶來了更低的傳導損耗。

來源：清純半導體、Qorvo

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Qorvo x 立訊精密：兩項交易

根據(jù)本次協(xié)議，立訊精密對Qorvo中國工廠的收購范圍覆蓋所有權、工廠、設備及現(xiàn)有的員工等運營據(jù)點和資產(chǎn)，目的是保證工廠運營的無縫銜接和持續(xù)性。而Qorvo在中國的銷售、工程及負責提供客戶支持的員工等都將維持現(xiàn)狀。

交易完成前，北京工廠和德州工廠仍將作為Qorvo全球制造網(wǎng)的一部分；交易完成后，Qorvo的組裝、封裝和測試網(wǎng)仍將包括美國工廠、哥斯達黎加工廠、德國工廠及外包全球半導體封裝測試合作伙伴。
在此基礎上，立訊精密與Qorvo簽訂長期供貨協(xié)議。立訊精密未來將為Qorvo提供封裝和測試服務，而北京廠和德州廠將主要為Qorvo高度集成的先進蜂窩產(chǎn)品提供支持。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

立訊精密有望深入蘋果供應鏈

Qorvo是射頻RF領域的主要玩家之一，產(chǎn)品廣泛應用于移動應用、智能家庭、智能IoT、汽車、電動車、網(wǎng)絡基礎設施、航空航天及國防等場景。該公司一直以來在手機射頻、微基站射頻放大器（PA）等領域擁有較強的市場地位。

據(jù)悉，為了布局中國射頻產(chǎn)業(yè)，Qorvo先后在北京和山東德州建設了工廠，其中，德州工廠規(guī)模是北京工廠的兩倍，主要業(yè)務是射頻器件的組裝、封裝與測試，產(chǎn)品包含RF開關、多路復用器、調(diào)諧器和放大器等多系列產(chǎn)品。按照彼時公開信息，德州工廠承擔75%Qorvo產(chǎn)品的封裝，85%-90%Qorvo產(chǎn)品的測試。

如今，Qorvo決定出售中國工廠，目的在于進一步降低資本密集度，助力公司推進長期毛利目標，確保對中國客戶服務的持續(xù)性，此舉與當前大環(huán)境的發(fā)展趨勢相符，Qorvo未來將通過與立訊精密合作的方式，同時達到持續(xù)布局中國市場和改善盈利能力的目標。

從立訊精密的角度來看，Qorvo與其業(yè)務有所關聯(lián)的其中一個點在于終端客戶。眾所周知，Qorvo的主要客戶是消費電子巨頭品牌蘋果公司（Apple），而立訊精密多年來為蘋果公司提供代工服務，并持續(xù)深入蘋果公司的供應鏈。

收購Qorvo中國工廠之后，立訊精密與蘋果公司之間合作的范圍和深度均有望進一步加深，對于立訊精密而言，此舉在很大程度上意味著營收來源和利潤增長點的增加。（文：集邦化合物半導體Jenny）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

按公認會計原則計算，Qorvo 2024財年第一季度的收入為6.51億美元，毛利率為35.2%；營業(yè)虧損為4800萬美元，每股虧損為0.44美元。按非公認會計原則計算，毛利率為42.9%，營業(yè)收入為4700萬美元。

Qorvo首席財務官格蘭特 布朗表示：“Qorvo在收入、毛利率和每股收益方面超過了我們6月份季度指引的中點，同時還在繼續(xù)減少渠道庫存。該團隊執(zhí)行得非常好，與我們的供應商和客戶密切合作，同時應對具有挑戰(zhàn)性的宏觀環(huán)境。展望未來，我們預計2024財年收入將同比增長?！保ㄎ模杭罨衔锇雽w Amber整理）

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下一季度，Qorvo預計其季度收入在6億美元到6.4億美元之間，非GAAP毛利率約為41%，非GAAP每股攤薄收益在0.1美元至0.15美元之間。

此外，Qorvo首席財務官Grant Brown預計下季度渠道庫存將繼續(xù)得以消耗。除持續(xù)調(diào)整供需外，我們預計公司業(yè)務出貨量將在今年晚些時候恢復，我們已經(jīng)在大型客戶計劃中獲得了收益，所有這些都將支持改善財務業(yè)績。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)披露，公司的戰(zhàn)略亮點如下（包括但不限于）：開始將高壓功率轉(zhuǎn)換PMIC與碳化硅功率開關相結(jié)合的采樣集成解決方案，以控制GaN RF高功率放大器，將總解決方案規(guī)模減少30%；擴展SHIP（最先進的異質(zhì)集成封裝）政府合同，開發(fā)將數(shù)字光學器件與Qorvo混合信號射頻相結(jié)合的多芯片模塊；為低軌道地球衛(wèi)星 LEO和其他航空航天應用提供了包括高頻BAW和GaN PA在內(nèi)的多芯片解決方案；開始向一級歐洲基礎設施OEM交付首批集成PA模塊（PAM），用于5G大規(guī)模MIMO基站。

值得注意的是，2022年11月，Qorvo宣布與SK Siltron的美國子公司SK Siltron CSS敲定了一項SiC襯底和外延片多年供貨協(xié)議。（文：集邦化合物半導體 Arely整理）

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