本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關(guān)企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術(shù)，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導(dǎo)體、天岳先進(jìn)、天科合達(dá)等企業(yè)，設(shè)備端則如晶盛機(jī)電、中微公司、北方華創(chuàng)、迪思科（DISCO）、日本真空技術(shù)株式會社（ULVAC JAPAN LTD）、Centrothern、PVA TePla、昂坤視覺等，覆蓋了MOCVD、離子注入、襯底片、外延片、功率器件等產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕表示，本次SEMICON China 2024展會以設(shè)備、材料為主，重點(diǎn)包括半導(dǎo)體設(shè)備零部件、設(shè)備整機(jī)、電子化學(xué)品、高純氣體、晶圓原材料等，其中可以發(fā)現(xiàn)許多國產(chǎn)廠商的身影，特別是在真空閥門、流體控制系統(tǒng)、電源系統(tǒng)等設(shè)備零部件領(lǐng)域，以及光刻膠等電子化學(xué)品等領(lǐng)域。另外，化合物半導(dǎo)體是本次展會的一大重點(diǎn)，包括碳化硅襯底片、外延片及設(shè)備材料等領(lǐng)域，這也與近年來電動汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展緊密相關(guān)。

總體來看，第三代半導(dǎo)體相關(guān)設(shè)備壁壘較高，國際廠商依舊占據(jù)較大市場。材料上國產(chǎn)廠商則取得了長足進(jìn)展，如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)成功打入全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場前十榜單。

一、材料：8英寸產(chǎn)品不斷開出，國產(chǎn)替代卓有成效

展會現(xiàn)場展出了許多半導(dǎo)體材料，如美科瑞先進(jìn)材料帶來了多款拋光液，容大感光、科華、寧波南大光電均展出了光刻膠等材料，第三代半導(dǎo)體材料廠商也非常多，天岳先進(jìn)攜其高品質(zhì)6英寸、8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相展會；天科合達(dá)則公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品；天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品；同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底；中電科半導(dǎo)體材料則攜山西爍科、河北普興、南京國盛電子的硅基氮化鎵外延、碳化硅單晶襯底、碳化硅外延、硅外延等多款產(chǎn)品參展；中環(huán)領(lǐng)先也在現(xiàn)場展示了其外延片產(chǎn)品；賀利氏則現(xiàn)場展示了碳化硅封裝材料；南京百識電子則帶來了碳化硅外延片；中機(jī)新材則展示了SiC襯底輔助材料。

Resonac

Resonac前身是昭和電工（Showa Denko）2020年，Showa Denko收購了規(guī)模更大的日立化成（Hitachi Chemical）后正式組建了Resonac化學(xué)品集團(tuán)。本次其主要是帶來了半導(dǎo)體材料的解決方案。2023年2月消息，英飛凌與Resonac Corporation簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協(xié)議，此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進(jìn)一步豐富和擴(kuò)展，將深化雙方在碳化硅材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。今年1月中旬消息，Resonac CEO Hidehito Takahashi正在準(zhǔn)備對日本分散的芯片材料行業(yè)進(jìn)行新一輪整合，并表示這家化學(xué)品制造商可能會出手收購關(guān)鍵公司JSR的股份。

山東天岳先進(jìn)

天岳先進(jìn)長期專注碳化硅襯底研發(fā)，目前該公司已實現(xiàn)6英寸導(dǎo)電型襯底、4-6英寸半絕緣型襯底等產(chǎn)品的規(guī)?；?yīng)。目前該公司在8英寸產(chǎn)品上也已經(jīng)在加速布局，用液相法制備的無宏觀缺陷的8英寸襯底更是業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。2023年，天岳先進(jìn)在導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)能和規(guī)模化供應(yīng)能力上持續(xù)展現(xiàn)超預(yù)期成果。其碳化硅半導(dǎo)體材料項目計劃于2026年實現(xiàn)全面達(dá)產(chǎn)，屆時6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底的年產(chǎn)能將達(dá)到30萬片。天岳先進(jìn)品牌負(fù)責(zé)人表示，在全球前十大功率半導(dǎo)體廠商中，有一半已經(jīng)建立合作關(guān)系。

天科合達(dá)

天科合達(dá)公開展出了6-8英寸的碳化硅襯底，并首次展示8英寸碳化硅外延片產(chǎn)品，其中8英寸產(chǎn)品包括N形SiC襯底、SiC外延片等，并現(xiàn)場披露了直徑、晶型、厚度等相關(guān)參數(shù)。2023年5月，天科合達(dá)與英飛凌簽訂了一份長期協(xié)議，其將為英飛凌供應(yīng)用于制造碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)品的6英寸碳化硅襯底和晶錠，其供應(yīng)量預(yù)計將占到英飛凌長期需求量的兩位數(shù)份額。根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于6英寸碳化硅材料的供應(yīng)，但天科合達(dá)也將提供8英寸碳化硅材料，助力英飛凌向8英寸晶圓過渡。

2023年8月，天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)碳化硅襯底二期擴(kuò)產(chǎn)項目開工。據(jù)悉，江蘇天科合達(dá)二期項目將新增16萬片碳化硅襯底產(chǎn)能，并計劃今年6月建設(shè)完成，8月竣工投產(chǎn)，屆時江蘇天科合達(dá)總產(chǎn)能將達(dá)到23萬片。

天域半導(dǎo)體

此次展會現(xiàn)場，天域半導(dǎo)體重點(diǎn)展示了6/8英寸SiC外延片、SiC MOS管等產(chǎn)品。官方表示，公司于2021年開始了8英寸的技術(shù)儲備，于2023年7月進(jìn)行了8英寸外延片的產(chǎn)品的小批量送樣；超過千片的量產(chǎn)數(shù)據(jù)表明8英寸SiC外延水平與6英寸外延水平相當(dāng)。

天成半導(dǎo)體

天成半導(dǎo)體已完成6、8英寸SiC單晶襯底技術(shù)攻關(guān)，在本次展會展出了8寸導(dǎo)電型SiC襯底。據(jù)悉，新開發(fā)的6英寸導(dǎo)電型SiC襯底部分TSD缺陷密度低至0個/cm2，部分致命性缺陷BPD則低至32個/cm2；而在量產(chǎn)過程中，可以做到65%的襯底產(chǎn)品TSD＜100個/cm2、BPD＜100個/cm2。

中電科材料

山西爍科、河北普興、南京國盛電子均為中電科半導(dǎo)體材料的子公司。展會中，山西爍科展示6/8英寸N型及高純半絕緣型SiC襯底產(chǎn)品，重點(diǎn)展示了350微米厚8英寸碳化硅襯底。其主營產(chǎn)品包含高純半絕緣碳化硅單晶襯底、N型碳化硅單晶襯底、碳化硅晶體等。據(jù)悉，其4英寸高純半絕緣碳化硅襯底國內(nèi)市場占有率超50%，6英寸N型碳化硅襯底已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，公司還是國內(nèi)第一家生產(chǎn)出8英寸N型碳化硅襯底和8英寸高純半絕緣碳化硅襯底的公司，產(chǎn)業(yè)規(guī)模及工藝技術(shù)達(dá)國際先進(jìn)水平。

本次展會上，國盛電子則展示了其8英寸Si和氮化鎵外延片，去年12月22日，國盛電子南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。據(jù)悉，該公司擁有LPE、Gemini等公司生產(chǎn)的多種型號外延爐，主要產(chǎn)品包含列從3英寸到8英寸的P型和N型外延片，產(chǎn)能為8萬片/月(4英寸等效)。

普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產(chǎn)品。作為國內(nèi)外延材科領(lǐng)先企業(yè)，普興電子主要產(chǎn)品為各種規(guī)格型號的硅基外延片、碳化硅外延片，據(jù)悉其大尺寸650V-6500V SiC 外延片已實現(xiàn)量產(chǎn)。

中環(huán)領(lǐng)先

中環(huán)領(lǐng)先攜4-12英寸化腐片、拋光片、退火片、外延片、SOI片等全產(chǎn)品系列亮相展會，其中展示了6/8英寸SiC、GaN外延片。據(jù)悉，中環(huán)領(lǐng)先專注于半導(dǎo)體材料及其延伸產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)和制造，目前其第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)品還在加碼研發(fā)中。

賀利氏

賀利氏（Zadient）現(xiàn)場展示了包括燒結(jié)膏、銅線、大面積燒結(jié)技術(shù)乃至Die Top System(DTS)材料系統(tǒng)在內(nèi)的完整解決方案，可覆蓋新一代碳化硅功率模塊封裝的各類工程需求。2023年11月，賀利氏宣布收購了一家初創(chuàng)企業(yè)Zadient Technologies，宣告進(jìn)入碳化硅粉料和碳化硅晶錠生長領(lǐng)域。據(jù)悉，Zadient成立于2020年，是一家法德合資的碳化硅源粉廠商，不同于國內(nèi)主流的自蔓延碳化硅粉料合成方法，Zadient公司是通過化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝生產(chǎn)高純度碳化硅源材料。

河北同光股份

同光股份在現(xiàn)場展示了6/8英寸高質(zhì)量碳化硅晶錠和襯底。據(jù)悉，該公司主要產(chǎn)品包括導(dǎo)電型、半絕緣型碳化硅襯底。目前，同光股份已掌握碳化硅晶體規(guī)?；慨a(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，引進(jìn)了國內(nèi)外先進(jìn)襯底加工及檢測設(shè)備，全面導(dǎo)入和推行ISO9001、IATF16949質(zhì)量管理體系，形成了專業(yè)、先進(jìn)、完整、穩(wěn)定的碳化硅襯底生產(chǎn)線。

南京百識電子

展會上，百識電子展示了其6-8英寸第三代半導(dǎo)體外延產(chǎn)品。百識電子成立于2019年8月，主要生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on Sic以及SiC on SiC，涵蓋功率以及射頻微波等應(yīng)用。

深圳中機(jī)新材

深圳中機(jī)新材攜碳化硅晶圓切磨拋耗材方案中的大部分樣品來到展會，中機(jī)新材是一家專注于高硬脆材料和高性能研磨拋光材料的技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的高新技術(shù)企業(yè)。尤其在第三代半導(dǎo)體晶圓研磨拋光應(yīng)用領(lǐng)域，公司取得多項關(guān)鍵性技術(shù)突破。

二、設(shè)備：龍頭企業(yè)頗多，國產(chǎn)設(shè)備廠商加速追趕

展會現(xiàn)場許多全球知名設(shè)備廠商現(xiàn)場展出了其代表性產(chǎn)品，如晶盛機(jī)電、中微公司、愛發(fā)科等等。

3月20日，SEMI也公布了其最新一季度的半導(dǎo)體設(shè)備報告，報告顯示全球 12 英寸晶圓廠（前端）設(shè)備投資將于明年突破千億美元大關(guān)，而在 2027 年將達(dá)創(chuàng)紀(jì)錄的 1370 億美元（約 9864 億元人民幣）。據(jù)悉，2025 年全球 12 英寸晶圓廠的設(shè)備投資將較今年大增 20%，漲幅將創(chuàng) 2021 年以來的新高；而在 2026 和 2027 年將分別增長 12% 和 5%。SEMI 表示，半導(dǎo)體行業(yè)前端設(shè)備投資的增加得益于多重因素，包括存儲領(lǐng)域市場的復(fù)蘇和對高性能計算（HPC）和汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求。

晶盛機(jī)電

本次展會中，晶盛機(jī)電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測設(shè)備、12英寸全自動減薄拋光設(shè)備三款新品。據(jù)悉，該公司圍繞“先進(jìn)材料、先進(jìn)裝備”的雙引擎可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略，持續(xù)深化“裝備+材料”的協(xié)同產(chǎn)業(yè)布局。在集成電路用大硅片領(lǐng)域，為行業(yè)提供整體設(shè)備解決方案；在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司聚焦6-8英寸碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化，致力于從長晶-切磨拋-外延全鏈條設(shè)備的國產(chǎn)替代；在先進(jìn)制程領(lǐng)域，圍繞CVD等核心設(shè)備進(jìn)行研發(fā)，延伸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈高端裝備產(chǎn)品布局，堅持“強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈”推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

北方華創(chuàng)

北方華創(chuàng)是我國設(shè)備龍頭企業(yè)，也是目前唯一的平臺級半導(dǎo)體設(shè)備廠商（設(shè)備類型覆蓋ICP刻蝕（ICP+CCP）、沉積設(shè)備（PVD+CVD+ALD）、清洗、氧化、退火、MFC（氣體流量質(zhì)量控制器）等）。此次展會，北方華創(chuàng)亮相了SiC系列設(shè)備產(chǎn)品，覆蓋長晶、外延等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

從近五年財報數(shù)據(jù)看，北方華創(chuàng)從2019年的40.58億元營收成長為2023年的220億元（2023年預(yù)計營收在210~230億元間，取中位），CAGR（年復(fù)增長率）為52.6％。凈利潤從3.09億元成為至38.80億元（2023年預(yù)計營收在210~230億元間，取中位），CAGR為88.2％。毛利率穩(wěn)定在35％~45％間，并呈現(xiàn)上升趨勢。

中微公司

中微公司重點(diǎn)發(fā)展刻蝕（CCP與ICP）、物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積三大類設(shè)備。此外，公司開發(fā)的包括碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備也取得了良好進(jìn)展，2024年將會陸續(xù)進(jìn)入市場。

大族半導(dǎo)體

大族半導(dǎo)體在本次展會中展示了最新研發(fā)的全自動激光全切機(jī)，并首次公開展出工業(yè)級多波段脈沖激光器、100W飛秒激光器等。碳化硅領(lǐng)域，大族半導(dǎo)體主要帶來SiC 晶錠激光切片設(shè)備、SiC激光退火設(shè)備等產(chǎn)品。據(jù)悉，大族半導(dǎo)體主研應(yīng)用于硅、SiC、砷化鎵、GaN等材料的加工工藝，并一直致力開發(fā)性能優(yōu)異的碳化硅切割解決方案。

昂坤視覺

本次展會，昂坤視覺帶來了旗下最新的化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測方案。公開資料顯示，昂坤視覺成立于2017年，是一家光學(xué)測量及檢測設(shè)備生產(chǎn)商，產(chǎn)品國際聞名。其致力于為化合物半導(dǎo)體光電和集成電路產(chǎn)業(yè)提供光學(xué)測量和光學(xué)檢測設(shè)備及解決方案，現(xiàn)有產(chǎn)品包括MOCVD在線監(jiān)測設(shè)備、LED照明缺陷檢測設(shè)備、化合物半導(dǎo)體的襯底和外延片的缺陷檢測設(shè)備及集成電路缺陷檢測設(shè)備等。

特思迪

北京特思迪本次展示了最新的減薄、拋光、CMP設(shè)備產(chǎn)品。去年10月末消息，特思迪完成B輪融資，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動減薄設(shè)備目前已投入市場，8英寸雙面拋光設(shè)備已通過工藝測試進(jìn)入量產(chǎn)階段。

愛發(fā)科（ULVAC）

愛發(fā)科本次帶來了先進(jìn)綜合真空解決方案。其總部位于日本，以真空技術(shù)為核心，F(xiàn)PD平板顯示制造及PV光伏產(chǎn)業(yè)制造設(shè)備、半導(dǎo)體及電子部品制造設(shè)備、濺射靶材材料、先端材料等為主要業(yè)務(wù)。此前消息顯示，愛發(fā)科在第三代半導(dǎo)體的領(lǐng)域中的設(shè)備類型有SiC功率半導(dǎo)體器件中的離子注入、濺射、刻蝕及蒸鍍設(shè)備；GaN HEMT領(lǐng)域則有uGmni系列干法刻蝕設(shè)備等。

迪思科（DISCO）

日本半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)迪思科主要在“切、削、磨”技術(shù)方面具有優(yōu)勢。據(jù)悉，迪思科的設(shè)備類型非常廣泛，不僅是通用產(chǎn)品，還致力于開發(fā)HBM、使用電力效率高的碳化硅（SiC）晶圓的功率半導(dǎo)體等。行業(yè)消息顯示，DISCO推出的全新的SiC(碳化硅)切割設(shè)備，可將碳化硅晶圓的切割速度提高10倍，首批產(chǎn)品已交付客戶。據(jù)悉，由于碳化硅的硬度僅次于金剛石和碳化硼，硬度是硅的1.8倍，因此切割難度較大。

德國Centrothern

centrotherm是總部位于德國，是全球領(lǐng)先的熱處理設(shè)備供應(yīng)商，已有70多年的高溫?zé)崽幚砑夹g(shù)的開發(fā)經(jīng)驗。此次展會，centrotherm主要展示了快速熱退火、高溫?zé)嵫趸仍O(shè)備。此前行業(yè)消息顯示，centrotherm2021年8英寸碳化硅爐管設(shè)備建立了較為成熟的設(shè)備平臺體系，其三種熱處理設(shè)備（柵極氧化爐、退火爐、快速熱處理）均可兼容6/8英寸。

德國PVA TePla

德國 PVA TePla是全球碳化硅設(shè)備行業(yè)隱形冠軍，其主要產(chǎn)品是大尺寸硅晶體以及6寸、8寸碳化硅晶體材料生長設(shè)備，在本次展會中德國 PVA TePla 向業(yè)界展示了多款前沿技術(shù)產(chǎn)品，

并帶來了為中國市場定制的碳化硅晶體生長設(shè)備“SICN”，其采用的是物理氣象傳輸工藝PVT法生產(chǎn)碳化硅晶體，預(yù)計計劃今年二季度投入市場。

PVA TePla推出的SICN新品優(yōu)勢

上海邦芯半導(dǎo)體

上海的邦芯半導(dǎo)體主要為客戶提供全方位的解決方案，本次展會中邦芯半導(dǎo)體在化合物端帶來的設(shè)備主要是HongHu TSG150W/200WD，用于6/8英寸功率半導(dǎo)體工藝WCVD設(shè)備。HongHu Lvory 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝ICP刻蝕設(shè)備。HongHu Coral 150W/200WD，用于6/8化合物半導(dǎo)體加工工藝CCP刻蝕設(shè)備。

思銳智能

本次展會，青島思銳智能帶來了離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術(shù)亮相，今年3月1日，青島四方思銳智能技術(shù)有限公司宣布完成了數(shù)億元B輪融資。思銳智能聚焦關(guān)鍵半導(dǎo)體前道工藝設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，提供具有自主可控的核心關(guān)鍵技術(shù)的系統(tǒng)裝備產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)方案。目前，思銳智能已形成“雙主業(yè)”布局，公司產(chǎn)品包括原子層沉積（ALD）設(shè)備及離子注入（IMP）設(shè)備。廣泛應(yīng)用于集成電路、第三代半導(dǎo)體、新能源、光學(xué)、零部件鍍膜等諸多高精尖領(lǐng)域。

杭州西湖儀器

杭州西湖儀器成立于2021年12月主營SiC碳化硅襯底激光切片及剝離設(shè)備。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要有SiC襯底激光切片、剝離設(shè)備，并有SiC激光平坦化、激光檢測、激光劃片設(shè)備、激光拋光設(shè)備正在研發(fā)中。

來源：全球半導(dǎo)體觀察

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