TrendForce集邦咨詢表示,2024年全球牽引逆變器市場裝機量達(dá)2,721萬臺,其中,SiC(碳化硅)逆變器受惠于Tesla(特斯拉)及中國車廠的采用,滲透率于第四季達(dá)16%,為當(dāng)年度最高,對于競爭激烈的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是正面訊號。
從逆變器供應(yīng)端分析,比亞迪于2024年第三季已超越日廠Denso(電裝),并于第四季持續(xù)穩(wěn)居全球市占率最高位置。而第四季最大亮點在于華為受益于新能源車[注2]問界系列的熱銷,首度成為全球前五大供應(yīng)商。目前,中國企業(yè)已在前五名席次中占據(jù)三席,打破過往歐洲、美國及日本供應(yīng)商主導(dǎo)的市場格局。
TrendForce集邦咨詢指出,短期內(nèi)牽引逆變器市場成長仍將依靠中國及歐洲帶動,特別是BEV對于牽引逆變器的需求較其他動力模式更高,突顯中國市場的表現(xiàn)將更為關(guān)鍵。盡管2025年可能面臨美國“棄電從油”的潛在風(fēng)險,但受惠于中國整車市場延續(xù)汰舊換新的補貼政策,以及在海外市場的大力布局,預(yù)計牽引逆變器裝機市場仍將維持14%的年增長率。
備注
[1] 電動車包括油電混合車(HEV)、純電動車(BEV)、插電混合式電動車(PHEV)、燃料電池車(FCV)
[2] 新能源車包含BEV、PHEV、FCV
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公開資料顯示,英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元,于2023年3月啟動建設(shè),目標(biāo)是在2026年投入使用,2031年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。建成后的工廠將主要制造分立功率器件和模擬/混合IC,其產(chǎn)品將廣泛供應(yīng)于工業(yè)、汽車、消費等多個領(lǐng)域,滿足市場對半導(dǎo)體日益增長的需求。
公開資料顯示,英飛凌的德累斯頓新晶圓廠項目整體投資規(guī)模達(dá)50億歐元,于2023年3月啟動建設(shè),目標(biāo)是在2026年投入使用,2031年達(dá)到滿負(fù)荷生產(chǎn)。建成后,該工廠將制造分立功率器件和模擬/混合IC,產(chǎn)品供應(yīng)工業(yè)、汽車、消費等多個領(lǐng)域。
英飛凌首席執(zhí)行官JochenHanebeck表示,這筆政府資金意義非凡。它不僅將加強德累斯頓、德國乃至歐洲作為半導(dǎo)體中心的地位,還將有力促進最先進的微電子創(chuàng)新和生產(chǎn)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展。
除了新廠建設(shè),在2025年,英飛凌推出了一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)。
2月13日,英飛凌宣布推出首款采用先進200mm SiC晶圓技術(shù)制造的碳化硅產(chǎn)品,這標(biāo)志著其SiC技術(shù)路線圖取得了重大進展。此外,其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉(zhuǎn)換,其新建Module 3 廠房已準(zhǔn)備好根據(jù)市場需求開始大規(guī)模生產(chǎn)。
在超薄功率半導(dǎo)體晶圓加工技術(shù)方面,英飛凌取得了突破性成果,成功推出全球最薄的硅功率晶圓,厚度僅為20微米,這一成果大幅提升了功率半導(dǎo)體的性能與應(yīng)用潛力。
在氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)域,英飛凌率先推出全球首款300mm功率氮化鎵技術(shù)。據(jù)英飛凌預(yù)測,氮化鎵將在多個行業(yè)達(dá)到應(yīng)用臨界點,進一步推動能源效率提升。
在人工智能數(shù)據(jù)中心,氮化鎵技術(shù)能提升功率密度,影響單位機架空間內(nèi)的計算能力;
在家用電器領(lǐng)域,以800W應(yīng)用為例,氮化鎵可助力產(chǎn)品效率提升2%,幫助制造商獲得更高能效評級;
在電動汽車領(lǐng)域,基于氮化鎵的車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器將提高充電效率、功率密度和材料可持續(xù)性。隨著成本與硅接近,預(yù)計今年及未來氮化鎵的采用率將不斷提高。
此外,英飛凌近期還推出了CIPOSMaxi智能功率模塊IM12BxxxC1系列,該系列基于1200VIGBT7和快速二極管Emcon7技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)較強控制和性能,在工業(yè)、能源等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。(集邦化合物半導(dǎo)體整理)
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]]>預(yù)估2025年全球新能源車銷量將年增18%,中國市場可望持續(xù)成長,但美國政策變化可能為其市場銷售增添多項變數(shù)。
2024年BEV銷量排名
Tesla維持第一名,比亞迪以微弱差距排第二。上汽通用五菱憑借銷量年增達(dá)44%,重返年度第3名位置。
第4、5名的Volkswagen(大眾)和廣汽埃安年銷量皆呈負(fù)成長,第7、8名的極氪和零跑則因年銷量增加近一倍,首度進入年度十大銷售排行。
Hyundai(現(xiàn)代)名次下滑至第9名,其2024年銷量衰退21%,在美國、韓國、歐洲等主要市場都表現(xiàn)不佳。
source:TrendForce集邦咨詢
2024年P(guān)HEV銷量排名
第1名的比亞迪品牌市占率約38%,若加計集團內(nèi)其他品牌則超過40%。
第2至4名分別為理想、傲圖和長安(含啟源),其中,傲圖因問界M9帶動其總銷量大幅提升,進入年度市占前十大榜單。
BMW的PHEV銷量較去年小幅下降3%,位居第7名,其BEV和PHEV的銷量差距持續(xù)擴大。
吉利集團的自主品牌領(lǐng)克和吉利銀河也是新上榜,分別為第8和第10名。吉利集團2024年整合旗下品牌,包括幾何汽車并入吉利銀河,領(lǐng)克和極氪合并為極氪科技集團,但仍維持領(lǐng)克和極氪雙品牌發(fā)展。
TrendForce集邦咨詢預(yù)估,2025年全球新能源車市場將達(dá)1,920萬輛,中國市場受惠于汰舊換新補貼政策延續(xù),有望保持成長。
然而,中國汽車集團面臨本地銷量競爭激烈、海外市場資源投入大、技術(shù)內(nèi)卷等三大挑戰(zhàn),原本的多品牌路線已進入整合階段,預(yù)期今年這股合并潮將會持續(xù),集團間合并的可能性也逐漸提高。
美國市場相對有較高不確定性。TrendForce集邦咨詢分析,若美國取消7,500美元的新能源車稅收抵免政策,預(yù)計將使得2025年全球銷量年增率從18%降至16%。
然而,這項政策的實際執(zhí)行時間,美國州政府是否提出地方優(yōu)惠以及車廠的電動車策略積極度都可能為銷量成長幅度帶來變數(shù)。(文/TrendForce集邦咨詢)
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]]>深圳平湖實驗室SiC襯底激光剝離技術(shù)新進展
近期,深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得重要進展。
SiC由于莫氏硬度高達(dá)9.5,是很難加工的材料,傳統(tǒng)加工流程材料損耗率大,為降低材料損耗,深圳平湖實驗室新技術(shù)研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工,得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產(chǎn)品單片材料損耗≤120 μm,出片率提升40%,單片成本降低約22%。
source:深圳平湖實驗室
該實驗室認(rèn)為,激光剝離技術(shù)在提高生產(chǎn)效率、降低成本方面具有顯著效果,該工藝的推廣,對于快速促進8 inch SiC襯底產(chǎn)業(yè)化進程有著重要意義。
香港科技大學(xué)陳敬教授課題組發(fā)布碳化硅最新研究進展
近期,香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組報告了多項氮化鎵,碳化硅的最新研究進展。其中,“高速且具備優(yōu)越開關(guān)速度控制能力的3D堆疊式GaN/SiC cascode 功率器件”研究提出,GaN/SiC 混合型cascode 器件將SiC MOSFET的低遷移率MOS 溝道替換為基于GaN的2DEG溝道,將溝道遷移率大幅提升至2000 c㎡/V·s左右。為充分發(fā)揮GaN/SiC cascode 器件的開關(guān)性能,該團隊為該器件開發(fā)了3D堆疊式的封裝方案,有效解決了合封器件長期存在的寄生電感瓶頸。與最新一代寬禁帶半導(dǎo)體1.2 kV高功率商業(yè)器件相比,新器件的開關(guān)速度有顯著提升(圖1-1)。
圖1-1:GaN/SiC cascode 器件的3D堆疊封裝及其高速開關(guān)能力(source:香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組)
cascode器件長期受制于其較弱的開關(guān)速度控制能力。針對該問題,研究團隊首次分析、提出和實驗驗證了低壓器件的CGD是從根本上提升cascode器件開關(guān)速度控制能力的關(guān)鍵(圖1-2)。從而首次在cascode功率器件上實現(xiàn)了用戶樂于使用的通過外加?xùn)艠O電阻調(diào)控開關(guān)速度的方法。
圖1-2:GaN/SiC開關(guān)速度控制方案與實驗數(shù)據(jù)驗證。增加低壓器件的CGD之后,cascode器件具備通過柵極電阻實現(xiàn)開關(guān)速度控制的能力。(source:香港科技大學(xué)電子與計算機工程系陳敬教授課題組)(集邦化合物半導(dǎo)體Flora整理)
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]]>source:連云港市生態(tài)環(huán)境局
據(jù)介紹,本項目產(chǎn)品為碳化硅粉和碳化硅陶瓷。碳化硅粉可廣泛用于耐火材料、磨料、陶瓷、半導(dǎo)體、復(fù)合材料等領(lǐng)域;碳化硅陶瓷被廣泛應(yīng)用于機械加工、石油、化工、微電子、汽車、航天、航空、造紙、激光、礦業(yè)及原子能等工業(yè)領(lǐng)域。
據(jù)公開資料顯示,鴻蒙硅材主要產(chǎn)品是線切割碳化硅微粉,同時經(jīng)營普通石英砂,精制石英砂,高純石英砂,硅微粉等系列產(chǎn)品,其線切割微粉年產(chǎn)量2萬噸左右,年銷售額3億元左右。
鴻蒙硅材表示,碳化硅粉因其具有很大的硬度、耐熱性、耐氧化性、耐腐蝕性,它已被確認(rèn)為一種磨料、耐火材料、電熱元件、黑色有色金屬冶煉等用的原料?,F(xiàn)在又被應(yīng)用在機械工程中的結(jié)構(gòu)件和化學(xué)工程中的密封件等。由于近兩年來碳化硅的價格大幅上揚,大型碳化硅生產(chǎn)企業(yè)忙于為長期訂單客戶供貨,小型碳化硅生產(chǎn)企業(yè)的質(zhì)量不穩(wěn)定且成本較高,導(dǎo)致我國碳化硅深加工企業(yè)的原材料質(zhì)量無法保證。
國內(nèi)多個碳化硅項目進展在同行項目進展方面,除了上面的項目,今年國內(nèi)多個碳化硅項目成果顯著,涉及同光半導(dǎo)體、士蘭集宏等企業(yè)。
同光半導(dǎo)體年產(chǎn)20萬片8英寸碳化硅單晶襯底項目于2月11日開工,預(yù)計總投資8.82億元,2027年全部投產(chǎn),對于保定市提升第三代半導(dǎo)體的核心技術(shù)自主化、產(chǎn)業(yè)鏈高端化、產(chǎn)業(yè)集群規(guī)模化水平意義重大。
根據(jù)廈門廣電網(wǎng)2025年1月22日消息,士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項目于1月21日鋼結(jié)構(gòu)首吊,預(yù)計2025年一季度封頂,四季度初步通線,2026年一季度試生產(chǎn)。
值得一提的是,2025年被業(yè)界稱作“8英寸碳化硅元年”,全球8英寸碳化硅芯片廠迎來試產(chǎn)與量產(chǎn)爬坡的關(guān)鍵時期。這是因為終端應(yīng)用降本需求強烈,而8英寸碳化硅可提升芯片產(chǎn)量,降低單位綜合成本,成為行業(yè)發(fā)展的重要方向。
總體而言,目前,國內(nèi)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)雖然取得了一定的進展,但整體仍面臨著諸多挑戰(zhàn)。在技術(shù)層面,部分關(guān)鍵技術(shù)仍依賴進口,如高質(zhì)量碳化硅晶體生長技術(shù)、芯片制造工藝等,與國際先進水平相比存在一定差距。在產(chǎn)業(yè)生態(tài)方面,上下游協(xié)同發(fā)展還不夠完善,碳化硅材料生產(chǎn)企業(yè)與下游應(yīng)用企業(yè)之間的合作有待進一步加強。不過,隨著國家政策的大力支持和國內(nèi)企業(yè)的持續(xù)投入,碳化硅材料產(chǎn)業(yè)正逐步走向成熟,未來有望在全球碳化硅市場中占據(jù)重要地位。(集邦化合物半導(dǎo)體南清整理)
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]]>source:士蘭微
該項目總投資120億元,分兩期建設(shè),兩期建成后將形成8英寸SiC功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力。這條生產(chǎn)線投產(chǎn)后將成為國內(nèi)第一條擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)、產(chǎn)能規(guī)模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生產(chǎn)線。將較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求,并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片,同時促進國內(nèi)8吋碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。
此次士蘭集宏8英寸制造生產(chǎn)項目是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”兩個重要項目后,士蘭微電子落地廈門海滄的第三個重要項目。(來源:廈門廣電網(wǎng))
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]]>值得一提的是,這是至信微電子在短短半年時間內(nèi)完成的第三輪融資,足見其在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)實力已獲得高度認(rèn)可。
據(jù)悉,至信微電子成立于2021年11月,總部位于深圳,是一家專注于碳化硅功率器件研發(fā)、生產(chǎn)、銷售的企業(yè),具有自主知識產(chǎn)權(quán)的器件設(shè)計和工藝研發(fā)的能力,主打SiC MOSFET(碳化硅晶體管)及模組等系列產(chǎn)品。公司在華南、華東及中國臺灣省均設(shè)有分公司及辦事處。
4月24日,至信微電子官方消息,在“灣區(qū)領(lǐng)航”企業(yè)出海發(fā)展論壇暨2023深圳高成長企業(yè)TOP100發(fā)布會上,至信微電子成功登榜深圳高成長企業(yè)100強。
據(jù)悉,至信微電子已成功推出超過100種技術(shù)指標(biāo)領(lǐng)先、參數(shù)規(guī)格齊全的高可靠SiC MOSFET、SiC SBD和SiC模塊產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、可再生能源存儲、工業(yè)和消費電子等領(lǐng)域。
2024年,至信微電子接連推出了兩款重量級產(chǎn)品:一款為1200V/7mΩ的SiC芯片,能夠承載高達(dá)266A的超大電流;另一款則是750V/5mΩ的SiC芯片,其承載電流能力更達(dá)到355A,這兩款產(chǎn)品的性能均達(dá)到了世界領(lǐng)先水平。
此外,至信微電子的1200V/80mΩ和1200V/40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品的良率高達(dá)98%。據(jù)悉,這一數(shù)字遠(yuǎn)高于其他國內(nèi)制造商,進一步彰顯了至信微電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。(集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理)
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]]>source:清純半導(dǎo)體
資料顯示,清純半導(dǎo)體成立于2021年3月,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,專業(yè)從事SiC功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。
成立至今,清純半導(dǎo)體已完成4輪融資,投資方包括美團龍珠、復(fù)容投資、蔚來資本、鴻富資產(chǎn)、澤森資本、蘇州趨勢基金、英飛源技術(shù)、士蘭微、銀杏谷資本、華登國際、高瓴創(chuàng)投、宏微科技、九洲創(chuàng)投、高瓴資本、禾望電氣、仁發(fā)投資、海創(chuàng)集團等眾多機構(gòu),其中,復(fù)容投資、蔚來資本、高瓴創(chuàng)投等均參與了清純半導(dǎo)體多輪融資,對清純半導(dǎo)體發(fā)展前景有較大信心。
技術(shù)和產(chǎn)品方面,自成立以來,清純半導(dǎo)體突破不斷,先后推出國內(nèi)首款15V驅(qū)動SiC MOSFET及國內(nèi)最低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET,并通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證和HV-H3TRB測試。
據(jù)稱,清純半導(dǎo)體是目前國內(nèi)極少數(shù)能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達(dá)到國際一流水平、基于國內(nèi)產(chǎn)線量產(chǎn)車規(guī)級SiC MOSFET的企業(yè),公司系列產(chǎn)品已經(jīng)在新能源發(fā)電、新能源汽車等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
據(jù)介紹,截至目前,清純半導(dǎo)體SiC MOSFET累計出貨達(dá)150萬顆,實現(xiàn)了多家新能源企業(yè)的批量供貨,新能源汽車主驅(qū)芯片驗證與導(dǎo)入進展順利,已服務(wù)超過50家客戶。
產(chǎn)能方面,2023年2月3日,清純半導(dǎo)體研發(fā)基地正式啟用。項目總面積4600平米,建設(shè)四大實驗平臺,總投入近億元,具備支撐月產(chǎn)近千萬顆SiC器件的測試及篩選能力。
目前,清純半導(dǎo)體在SiC器件領(lǐng)域已具有較強實力,新一輪融資完成有助于公司擴大優(yōu)勢、鞏固自身的行業(yè)地位。
值得關(guān)注的是,近期,至信微電子、超芯星、東映碳材等SiC器件、襯底和材料廠商紛紛完成新一輪融資,顯示了資本市場十分重視SiC產(chǎn)業(yè)鏈,未來或?qū)鞒龈嗳谫Y消息。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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]]>漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元,占地面積68.8畝,總建筑面積約8萬平米,潔凈室面積1.4萬平米,滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求,是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。
圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫
該項目規(guī)劃 VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺,規(guī)劃月產(chǎn)能超過6萬片,年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進一步完善高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局,有力推動車硅級功率器件國產(chǎn)化進程。
文:全球半導(dǎo)體觀察
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