該標準的起草單位囊括了業(yè)內(nèi)多家具備8英寸碳化硅技術的企業(yè)，包括天岳先進、爍科晶體、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。

該標準由南京國盛電子有限公司（以下簡稱：國盛電子）牽頭。據(jù)悉，國盛電子隸屬于中國電子科技集團公司第五十五研究所，致力于半導體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)。

2021年9月，國盛電子“外延材料產(chǎn)業(yè)基地項目”簽約落戶江寧開發(fā)區(qū)，后于2023年11月正式投產(chǎn)運行。據(jù)了解，該項目一期投資19.3億元，年產(chǎn)8-12英寸硅外延片456萬片，年產(chǎn)6-8英寸化合物外延片12.6萬片。

對于國家標準GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國電科指出，《碳化硅外延片》國家標準確定了碳化硅外延片的質量技術細節(jié)，規(guī)范和統(tǒng)一了具體的技術性能項目和指標。該標準及時填補了國內(nèi)半導體材料領域產(chǎn)品標準的空白，對碳化硅外延片生產(chǎn)工藝、質量控制、采購及銷售管理都有重要的指導作用。

據(jù)了解，在SEMICON China 2023上，中國電子科技集團旗下中電科電子裝備集團有限公司還發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設備，標志著國產(chǎn)第三代半導體專用核心裝備邁進“8英寸時代”。（集邦化合物半導體 Winter整理）

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據(jù)悉，該項目由深圳市重投天科半導體有限公司（以下簡稱：重投天科）建設運營，總投資32.7億元，重點布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線，是廣東省和深圳市重點項目、深圳全球招商大會重點簽約項目，預計今年襯底和外延產(chǎn)能達25萬片。

“寶安日報”還指出，未來，重投天科還將設立大尺寸晶體生長和外延研發(fā)中心，并與本地重點實驗室在儀器設備共享及材料領域開展合作，與重點裝備制造企業(yè)加強晶體加工領域的技術創(chuàng)新合作，聯(lián)動下游龍頭企業(yè)在車規(guī)器件、模組研發(fā)等工作上聯(lián)合創(chuàng)新，并助力深圳提升8英寸襯底平臺領域研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化制造技術水平。

據(jù)悉，重投天科成立于2020年12月15日，是一家專業(yè)從事第三代半導體碳化硅單晶襯底和外延片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的規(guī)模以上高新技術企業(yè)。重投天科是由北京天科合達半導體股份有限公司、深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團有限公司、深圳市和合創(chuàng)芯微半導體合伙企業(yè)（有限合伙）以及產(chǎn)業(yè)資本出資構成的項目實施主體。

2022年6月29日，重投天科發(fā)生工商變更，新增寧德時代等多名股東，同時公司注冊資本由1.6億元人民幣增加至22億元人民幣，增幅達1275%，資本實力進一步雄厚。其中，寧德時代持股約6.8%，出資額為1.5億元。

圖源：愛企查官網(wǎng)

此外，重投天科的投資方之一，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱：天科合達）是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代半導體SiC襯底及相關產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術企業(yè)，國家工級專精特新“小巨人”企業(yè)，其導電型晶片市場占有率在全球、全國處于領先地位。

2023年8月，天科合達全資子公司江蘇天科合達碳化硅襯底二期擴產(chǎn)項目開工；同年12月28日，項目全面封頂。據(jù)悉，該項目總投資8.3億元，預計2024年6月竣工，全部達產(chǎn)后可年產(chǎn)SiC襯底16萬片。

天科合達還在2023年11月表示，2023年下半年，公司營收首次突破10億元，截至2023年10月份，公司營收已經(jīng)較去年全年翻一番。此外，公司已累計服務國內(nèi)外客戶500余家、累計銷售導電型碳化硅襯底材料60余萬片。（集邦化合物半導體 Winter整理）

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圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)早先消息，在6英寸SiC外延機型方面，中電科48所收獲了國內(nèi)第三代半導體裝備行業(yè)的第一大訂單。該所研發(fā)的芯片制造關鍵裝備SiC高溫離子注入機已實現(xiàn)100%國產(chǎn)化，穩(wěn)居國內(nèi)市場占有率第一。

今年6月，2023上海國際半導體展覽會上，中電科48所攜自主研發(fā)用于生產(chǎn)SiC外延片的國產(chǎn)8英寸SiC外延設備亮相，標志著國產(chǎn)第三代半導體專用核心裝備邁進“8英寸時代”。
（文：集邦化合物半導體Morty整理）

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sourse：納設智能

目前，6英寸碳化硅技術已經(jīng)趨向成熟，產(chǎn)業(yè)正在向8英寸邁進，相信在不久的將來會進入8英寸時代。晶圓尺寸越大，外延工藝難度也就越大，必然對設備提出更高的要求，正所謂“一代設備，一代工藝”，納設智能開發(fā)的8英寸碳化硅外延設備順應了產(chǎn)業(yè)向更大尺寸的發(fā)展趨勢，在技術上具有前瞻性，同時能夠向下兼容6英寸外延，非常符合當前市場對于6英寸和8英寸兼容的需求。

目前，納設智能已實現(xiàn)8英寸碳化硅外延設備的交付，該設備在客戶現(xiàn)場生產(chǎn)的外延片厚度不均勻性≤2%，濃度不均勻性~4%，表面粗糙度≤0.3cm-2，缺陷控制良好。

近年來，隨著SiC應用領域的擴展，需求的激增，產(chǎn)業(yè)對于SiC外延片品質和產(chǎn)能要求不斷提高，SiC外延設備也就占據(jù)了產(chǎn)業(yè)鏈上游關鍵環(huán)節(jié)。

SiC外延層的制備方法主要有：化學氣相沉積（CVD）；液相外延生長（LPE）；分子束外延生長（MBE）等。其中CVD法具有可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優(yōu)點，是目前已經(jīng)成功商業(yè)化的SiC外延技術 。（文：集邦化合物半導體 Amber整理）

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