source：杰平方半導(dǎo)體

雙方一致認(rèn)為，當(dāng)前，國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭迅猛，碳化硅作為新能源汽車的關(guān)鍵器件，市場(chǎng)需求持續(xù)攀升。預(yù)計(jì)到2029 年，中國(guó)市場(chǎng)的新能源汽車年銷量將超過 2200 萬(wàn)臺(tái)，其中 800V 系統(tǒng)將占到 60%以上，碳化硅市場(chǎng)的需求將超過 70 億美元。面對(duì)如此廣闊的市場(chǎng)前景，行業(yè)內(nèi)公司唯有緊密合作，才能快速占領(lǐng)市場(chǎng)高地。

source：中國(guó)電科

胡北辰博士指出，SiC單晶生長(zhǎng)與切磨拋加工是第三代半導(dǎo)體器件成本降低、良率提升的重要工藝環(huán)節(jié)。針對(duì)這一重點(diǎn)問題，2所以“裝備+工藝+服務(wù)”的理念，面向行業(yè)迫切需求，將電科裝備的單晶生長(zhǎng)、激光剝離、晶錠/晶圓減薄、化學(xué)機(jī)械拋光、缺陷檢測(cè)等核心設(shè)備產(chǎn)品有機(jī)結(jié)合，并融入信息化系統(tǒng)，形成了大尺寸碳化硅晶片生長(zhǎng)加工的整線智能制造解決方案。

source：天岳先進(jìn)2024年度報(bào)告

天岳先進(jìn)表示，2024年公司立足全球市場(chǎng)，全面提升核心產(chǎn)品的產(chǎn)能產(chǎn)量。全年濟(jì)南工廠的產(chǎn)能產(chǎn)量穩(wěn)步推進(jìn)。上海工廠已于年中提前達(dá)到年產(chǎn)30萬(wàn)片導(dǎo)電型襯底的產(chǎn)能規(guī)劃，同時(shí)公司將繼續(xù)推進(jìn)二階段產(chǎn)能提升規(guī)劃。2024年，碳化硅襯底產(chǎn)量41.02萬(wàn)片，較2023年增長(zhǎng)56.56%。受益于產(chǎn)品產(chǎn)銷量持續(xù)增長(zhǎng)，公司規(guī)模效應(yīng)逐步顯現(xiàn)，成本逐步優(yōu)化，推動(dòng)產(chǎn)品毛利達(dá)到32.92%，相較去年同期增加15.39個(gè)百分點(diǎn)。

展望未來，天岳先進(jìn)將依托在產(chǎn)能布局、技術(shù)沉淀以及所處行業(yè)等多方面所具備的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，持續(xù)提升公司產(chǎn)品品質(zhì)及產(chǎn)能規(guī)模，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)公司整體盈利能力的向上發(fā)展。

天岳先進(jìn)專注于高品質(zhì)碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，于2022年1月12日在A股科創(chuàng)板上市。在近日召開的Semicon China 2025展會(huì)上，該公司全方位展示了6/8/12英寸全系列碳化硅襯底產(chǎn)品矩陣，包括12英寸半絕緣型，12英寸N型，12英寸P型碳化硅襯底。

今年2月，天岳先進(jìn)在港交所遞交招股書，擬在香港主板上市。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨(dú)家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測(cè)設(shè)備。

碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯(cuò)及微管檢測(cè)的全自動(dòng)設(shè)備，可兼容6&8吋SiC 襯底位錯(cuò)和微管缺陷檢測(cè)。優(yōu)睿譜FTIR設(shè)備Eos200Lite已獲得多家頭部碳化硅基外延廠訂單，主要用于測(cè)量外延片外延層的厚度和均勻性。

科瑞爾科技宣布完成數(shù)千萬(wàn)元A+輪融資，由浙江創(chuàng)投（浙創(chuàng)投）領(lǐng)投。此次融資將用于產(chǎn)品研發(fā)與運(yùn)營(yíng)資金補(bǔ)充。

據(jù)悉，科瑞爾具備IGBT封裝測(cè)試整線自動(dòng)化解決方案設(shè)計(jì)能力，同時(shí)自主研發(fā)中高功率IGBT/SiC模塊封裝的關(guān)鍵設(shè)備，包括高精度貼片機(jī)、SiC倒裝貼合設(shè)備等十幾種核心設(shè)備。

近日，“金投致源”官微宣布，他們完成了對(duì)芯湛半導(dǎo)體的投資。此次融資旨在推動(dòng)芯湛的產(chǎn)品性能升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)張及市場(chǎng)拓展，助力其在晶圓減薄機(jī)領(lǐng)域的技術(shù)突破與國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。

芯湛半導(dǎo)體產(chǎn)品包括全自動(dòng)和半自動(dòng)晶圓減薄機(jī)及其配套輔助設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造與封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。目前，該公司已成功交付多臺(tái)設(shè)備，獲得國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體IDM廠、碳化硅襯底片生產(chǎn)廠商、砂輪廠家等代表性客戶訂單。

source：金投致源

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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這些專利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動(dòng)相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。

1、材料制備革新

3 月 24 日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天一晶能半導(dǎo)體有限公司取得 “一種新型碳化硅籽晶粘接用炭化爐” 的專利（授權(quán)公告號(hào) CN 222648188 U，申請(qǐng)日期為 2024 年 6 月）。該實(shí)用新型公開的炭化爐，通過在支撐座內(nèi)置加熱機(jī)構(gòu)和測(cè)溫機(jī)構(gòu)精確控制燒結(jié)溫度，利用上隔熱屏與下隔熱屏降低樣品加熱區(qū)域熱量損失和罩體過熱等問題，有效提高了溫度控制和壓力控制的精度。這對(duì)于提升碳化硅籽晶粘接質(zhì)量，進(jìn)而保障碳化硅材料的生產(chǎn)質(zhì)量具有重要意義。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

3月20日，江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種碳化硅晶體的生長(zhǎng)工藝及應(yīng)用”的專利（公開號(hào)CN 119640393 A，申請(qǐng)日期為2024年12月）。專利摘要顯示，該發(fā)明采用石墨隔板將坩堝內(nèi)部分隔為7個(gè)裝料區(qū)域，裝填特定粒徑的碳化硅粉料，再用PVT法進(jìn)行碳化硅晶體的生長(zhǎng) 。通過優(yōu)化裝料工藝，可提升粉料在生長(zhǎng)過程中升華氣體的均勻性和利用率，有助于爐內(nèi)溫場(chǎng)的穩(wěn)定，降低晶體相變發(fā)生的概率，減少晶體缺陷，從而提升晶體質(zhì)量。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

3月24日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)取得重大突破，成功在全球范圍內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。這一成果打破國(guó)際技術(shù)壟斷，采用硅基襯底，兼容8英寸主流半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)備，集成硅基CMOS工藝，降低生產(chǎn)成本。材料性能顯著提升，兼具高電子遷移率和優(yōu)異的可靠性，鍵合界面良率超過99%，為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化奠定基礎(chǔ)。氮極性氮化鎵材料在高頻段表現(xiàn)出色，適用于5G/6G通信、衛(wèi)星通信、雷達(dá)系統(tǒng)等領(lǐng)域，未來有望推動(dòng)多個(gè)高科技領(lǐng)域發(fā)展。

source：九峰山實(shí)驗(yàn)室

2、器件制造優(yōu)化

3 月 22 日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息表明，福州鎵谷半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)了 “一種大尺寸硅基的氮化鎵外延器件及生長(zhǎng)方法” 的專利（公開號(hào) CN 119653841 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 12 月）。通過設(shè)置應(yīng)力釋放層，該發(fā)明可緩解緩沖層過厚產(chǎn)生的過高應(yīng)力，制作更厚緩沖層提升器件耐壓能力，同時(shí)使緩沖層缺陷和位錯(cuò)湮滅，提升結(jié)晶質(zhì)量，得到更平整器件表面利于芯片制作。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

3 月 22 日，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng) “一種氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件” 的專利（公開號(hào) CN 119651346 A，申請(qǐng)日期為 2024 年 12 月）。該發(fā)明通過在特定結(jié)構(gòu)中設(shè)置電流誘導(dǎo)自旋極化層，利用菲利普電離度特性，使激光器在注入電流時(shí)產(chǎn)生自旋極化效應(yīng)，中和內(nèi)部極化場(chǎng)，減少量子限制 stark 效應(yīng)，降低電子泄漏和載流子去局域化，提升峰值增益和光功率。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

比亞迪集團(tuán)執(zhí)行副總裁廉玉波于 3 月 17 日正式宣布，比亞迪自主研發(fā)的全新一代 1500V 車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）功率芯片誕生，這是行業(yè)內(nèi)首次實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用的最高電壓等級(jí)車規(guī)級(jí) SiC 功率芯片。該芯片是比亞迪超級(jí) e 平臺(tái)的核心組成部分，支持兆瓦級(jí)快速充電，配合全域千伏高壓架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn) “油電同速” 的超快充體驗(yàn)，如漢 L 車型能達(dá)到充電 5 分鐘續(xù)航 400 公里。此芯片的研發(fā)成功，體現(xiàn)了比亞迪在碳化硅功率芯片領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也為新能源汽車的性能提升提供了關(guān)鍵支撐。

source：比亞迪

3、應(yīng)用拓展提效

3 月 21 日，浙江綠源電動(dòng)車有限公司取得 “一種集成充電和逆變雙向電源的氮化鎵充電器散熱結(jié)構(gòu)” 的專利（授權(quán)公告號(hào) CN 222638962 U，申請(qǐng)日期為 2024 年 6 月）。通過將氮化鎵電路板組件安裝在充電器散熱框架的散熱空間內(nèi)，有效提升了氮化鎵充電器的散熱性能。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司于2025年3月取得一項(xiàng)名為“一種前驅(qū)體封裝容器及氣相沉積系統(tǒng)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 222648108 U，申請(qǐng)日期為2024年6月。專利摘要顯示，該前驅(qū)體封裝容器包括第一腔體，第二腔體，緩沖腔體，通斷控制組件和充抽組件。該專利的設(shè)計(jì)能夠有效延長(zhǎng)封裝容器的使用時(shí)限，對(duì)于提高生產(chǎn)效率、降低成本具有重要意義。

source：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局

4、結(jié)語(yǔ)

碳化硅和氮化鎵作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)良特性，在電動(dòng)汽車、5G通訊、新能源等領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。此次一系列專利突破，將有助于解決行業(yè)長(zhǎng)期面臨的材料制備難題，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品性能提升和成本下降，加速產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，隨著這些專利技術(shù)的逐步落地應(yīng)用，碳化硅和氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將迎來新的發(fā)展機(jī)遇，有望帶動(dòng)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)業(yè)變革，為經(jīng)濟(jì)社會(huì)的高質(zhì)量發(fā)展提供強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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1、西湖儀器率先實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離

3月26日消息，西湖儀器近日成功實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底激光剝離自動(dòng)化解決方案，大幅降低損耗，提升加工速度，推進(jìn)了碳化硅行業(yè)的降本增效。

此前，西湖儀器已推出“8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底激光剝離設(shè)備”，并于今年1月榮獲“國(guó)內(nèi)首臺(tái)（套）裝備”認(rèn)定。

碳化硅領(lǐng)域，襯底材料成本占據(jù)整體成本的比例居高不下，阻礙了碳化硅器件大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化推廣。西湖儀器指出，降本增效的重要途徑之一是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。

與6英寸和8英寸襯底相比，12英寸襯底材料能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本。

source：西湖儀器

國(guó)內(nèi)碳化硅頭部企業(yè)去年已披露了最新一代12英寸碳化硅襯底，這也帶來了12英寸以上的超大尺寸碳化硅襯底切片需求。

為此，西湖儀器推出了“超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)”，率先解決了12英寸及更大尺寸的碳化硅襯底“切片”難題，該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)碳化硅晶錠的精準(zhǔn)定位、均勻加工、連續(xù)剝離，具有自動(dòng)化、低損耗與高效率等優(yōu)勢(shì)。

2、天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品亮相上海

在3月25日于上海舉辦的亞洲化合物半導(dǎo)體大會(huì)上，天岳先進(jìn)攜全球首發(fā)的全系列12英寸碳化硅襯底產(chǎn)品登場(chǎng)，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導(dǎo)電P型及12英寸導(dǎo)電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。

source：山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司

天岳先進(jìn)在會(huì)上分享了超大尺寸襯底量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、液相法制備工藝等前沿成果，與全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游共議碳化硅技術(shù)趨勢(shì)。

12英寸產(chǎn)品，在產(chǎn)品面積上較8英寸持續(xù)擴(kuò)大，單片晶圓芯片產(chǎn)出量躍升2.5倍，尺寸擴(kuò)大有效降低單位成本，是行業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。天岳先進(jìn)認(rèn)為，碳化硅行業(yè)已經(jīng)正式邁入”12英寸時(shí)代”，2025年將是大尺寸技術(shù)突破元年。

應(yīng)用領(lǐng)域方面，天岳先進(jìn)表示碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)裂變也將助力新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、5G基站等多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景，催生AR眼鏡、衛(wèi)星通信及低空經(jīng)濟(jì)等多重新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展，助力萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的算力革命。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將在陽(yáng)新設(shè)立全資子公司，重點(diǎn)布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長(zhǎng)晶設(shè)備、碳化硅長(zhǎng)晶系統(tǒng)及12英寸大直徑直拉式硅片長(zhǎng)晶設(shè)備等領(lǐng)域。

項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)MPCVD設(shè)備100臺(tái)、碳化硅設(shè)備10臺(tái)、大硅片設(shè)備5臺(tái)的產(chǎn)能規(guī)模，預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值2億元，為陽(yáng)新構(gòu)建現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系注入核心動(dòng)能。

卓遠(yuǎn)半導(dǎo)體將依托自身在第三代半導(dǎo)體材料制備領(lǐng)域的專利集群優(yōu)勢(shì)和自主可控技術(shù)體系，助力陽(yáng)新打造長(zhǎng)江中游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。

此次簽約不僅是陽(yáng)新布局戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵落子，更標(biāo)志著該縣在對(duì)接長(zhǎng)三角產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、融入雙循環(huán)新發(fā)展格局中取得重大突破。 項(xiàng)目建成后，將有效填補(bǔ)中部地區(qū)半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域空白，為陽(yáng)新建設(shè)新型工業(yè)化示范區(qū)提供硬核支撐，加速實(shí)現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)向智能制造的轉(zhuǎn)型升級(jí)。 （集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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清純半導(dǎo)體表示，大眾汽車深耕中國(guó)市場(chǎng)，始終秉持“In China, For China”的理念，與中國(guó)本土合作伙伴坦誠(chéng)相待、精誠(chéng)合作。近年來，在激烈的市場(chǎng)環(huán)境中，大眾汽車集團(tuán)堅(jiān)定推動(dòng)轉(zhuǎn)型，建立本土化研發(fā)體系，提升開發(fā)實(shí)力，力爭(zhēng)繼續(xù)保持國(guó)際車企在華第一的地位，引領(lǐng)汽車市場(chǎng)發(fā)展。

清純半導(dǎo)體此次有幸成為大眾汽車中國(guó)本土碳化硅芯片供應(yīng)商，積極配合大眾汽車（中國(guó)）科技有限公司的產(chǎn)品開發(fā)及量產(chǎn)項(xiàng)目，將以領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力，優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品質(zhì)量，堅(jiān)實(shí)的供應(yīng)鏈和可靠的管理體系，與國(guó)際一流車企攜手發(fā)展，共同致力于打造國(guó)際一流的車載碳化硅功率產(chǎn)品。

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，憑借高開關(guān)頻率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓等優(yōu)勢(shì)，在新能源汽車領(lǐng)域不斷滲透，車企爭(zhēng)相競(jìng)逐碳化硅賽道，此外國(guó)內(nèi)碳化硅廠商也在積極爭(zhēng)取車企訂單，碳化硅“上車”勢(shì)不可擋。

稍早之前，媒體報(bào)道揚(yáng)杰科技碳化硅MOSFET已打入小米、比亞迪供應(yīng)鏈。另一家廠商悉智科技自主研發(fā)的SiC模塊已經(jīng)搭載于智己車型，同時(shí)也獲得大眾中國(guó)體系認(rèn)證。（集邦化合物半導(dǎo)體 flora 整理）

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1、晶馳機(jī)電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備

3月24日晶馳機(jī)電官微消息，今年3月晶馳機(jī)電自主研發(fā)的“電阻法碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備”通過創(chuàng)新熱場(chǎng)方案完成十二寸多晶生長(zhǎng)驗(yàn)證，為第三代半導(dǎo)體材料低成本擴(kuò)徑量產(chǎn)提供了全新解決方案。

晶馳機(jī)電描述，晶錠形態(tài)完美，表面微凸度精準(zhǔn)控制在2.4mm以內(nèi)，成功突破同一爐臺(tái)多尺寸生長(zhǎng)技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)了同一臺(tái)設(shè)備既可穩(wěn)定量產(chǎn)八寸碳化硅單晶，又完全具備生長(zhǎng)十二寸碳化硅單晶的能力。

source：晶馳機(jī)電

晶馳機(jī)電是浙江大學(xué)杭州科創(chuàng)中心的孵化企業(yè)，產(chǎn)品主要覆蓋第三代、第四代半導(dǎo)體材料裝備碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備（PVT法）、金剛石生長(zhǎng)設(shè)備（MPCVD法）、氧化鎵單晶生長(zhǎng)爐、碳化硅源粉合成爐等。

除了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)之外，今年晶馳機(jī)電海外訂單也取得了喜人進(jìn)展。今年1月，該公司自主研發(fā)、設(shè)計(jì)并生產(chǎn)的“全自動(dòng)碳化硅腐蝕清洗設(shè)備”成功交付海外標(biāo)桿客戶。

設(shè)備采用雙工位設(shè)計(jì)，集SiC晶片熱強(qiáng)堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體。全封閉式工作臺(tái)和強(qiáng)排風(fēng)系統(tǒng)充分避免了操作人員與腐蝕性強(qiáng)堿溶劑的接觸，也有效防止了腐蝕性堿蒸汽對(duì)操作人員的身體傷害。整個(gè)工藝流程全部自動(dòng)化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

該設(shè)備的交付，不僅標(biāo)志著該公司向海外市場(chǎng)邁出重要一步，也為晶馳機(jī)電后續(xù)碳化硅材料制備相關(guān)系列裝備的海外銷售提供了強(qiáng)有力的支持。

2、臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)

近期，臻晶半導(dǎo)體推出自主研發(fā)的液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，為碳化硅晶體生長(zhǎng)提供了全新的解決方案。

該單晶爐具有6 – 8英寸大直徑設(shè)計(jì)，能夠滿足不同尺寸晶體生長(zhǎng)的需求。同時(shí)，它還具備多點(diǎn)溫度實(shí)時(shí)精確監(jiān)控功能，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)溫場(chǎng)空間的實(shí)時(shí)穩(wěn)定調(diào)控。臻晶半導(dǎo)體的多元活性助溶技術(shù)，通過使用優(yōu)化助熔劑配方，增加了高溫區(qū)碳源的供應(yīng)，從而提高了溶碳量。這一技術(shù)的應(yīng)用，不僅提升了晶體生長(zhǎng)的速率，還有效提高了晶體的良率。

臻晶半導(dǎo)體介紹，液相法SiC長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定長(zhǎng)晶工藝，是其產(chǎn)品差異化的核心競(jìng)爭(zhēng)力之一。該工藝通過精確控制生長(zhǎng)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了碳化硅晶體的可控生長(zhǎng)。這種可控性不僅體現(xiàn)在晶體生長(zhǎng)的速度和質(zhì)量上，還體現(xiàn)在晶體的尺寸和形狀上。通過這一工藝，常州臻晶半導(dǎo)體能夠生產(chǎn)出高品質(zhì)、大尺寸、形狀規(guī)則的碳化硅晶體，滿足了市場(chǎng)對(duì)于高性能碳化硅材料的需求。

展望未來，臻晶半導(dǎo)體指出，從技術(shù)角度來看，液相法生長(zhǎng)碳化硅具有諸多優(yōu)勢(shì)，如較低的生長(zhǎng)溫度、容易實(shí)現(xiàn)擴(kuò)徑、長(zhǎng)晶厚度不受限制、晶體缺陷密度低等。這些優(yōu)勢(shì)使得液相法碳化硅電阻爐在滿足高質(zhì)量要求、降低能耗和成本等方面具有巨大的潛力。

從市場(chǎng)角度來看，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、AR應(yīng)用和光儲(chǔ)充等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)高性能碳化硅材料的需求不斷增加。液相法碳化硅電阻爐能夠生長(zhǎng)出高質(zhì)量的碳化硅單晶，滿足這些新興產(chǎn)業(yè)對(duì)材料的嚴(yán)格要求，因此在市場(chǎng)中具有廣闊的應(yīng)用空間。（集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理）

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資料顯示，山西天成業(yè)務(wù)聚焦碳化硅晶片的生產(chǎn)和長(zhǎng)晶裝備制造，具備完整的自主研發(fā)能力，從設(shè)備研制、粉料、籽晶、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)到襯底制備全鏈條自主可控。

2024年山西天成組合營(yíng)收達(dá)到2100萬(wàn)元，其中80%的收入來自于碳化硅單晶襯底生長(zhǎng)裝備銷售。

山西天成透露，目前公司已經(jīng)完成8英寸碳化硅單晶襯底加工工藝的技術(shù)攻關(guān)，產(chǎn)品質(zhì)量數(shù)據(jù)達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，并實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。公司自主研發(fā)的第二代長(zhǎng)晶爐，具有腔體大、熱場(chǎng)均勻等特點(diǎn)，可有效提高晶體生長(zhǎng)質(zhì)量與良率。

山西天成進(jìn)一步表示，公司正在做第三代長(zhǎng)晶爐的研發(fā)，主要是面向12英寸碳化硅晶錠的需求，現(xiàn)在研發(fā)進(jìn)入到了爐體組裝工藝調(diào)試階段， 預(yù)計(jì)在第三季度投放市場(chǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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