宏微科技表示，第三代半導(dǎo)體是公司今年主要聚焦的方向。2025年第一季度，公司碳化硅產(chǎn)品加速出貨，產(chǎn)品收入占比超20%，同比增長(zhǎng)顯著。

據(jù)悉，宏微科技自研的SiC SBD芯片已通過(guò)終端客戶驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)批量出貨。模塊產(chǎn)品方面，公司車規(guī)級(jí)1200V SiC自研模塊正在研制中，對(duì)應(yīng)的銀燒結(jié)工藝已通過(guò)可靠性驗(yàn)證。

針對(duì)AI發(fā)展，宏微科技表示，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器電源、機(jī)器人等新興應(yīng)用領(lǐng)域是公司今年重點(diǎn)開(kāi)拓的新增長(zhǎng)點(diǎn)。公司正在加速推動(dòng)AI服務(wù)器訂單，目前已與多家國(guó)際客戶建立了長(zhǎng)期穩(wěn)定合作關(guān)系。

未來(lái)，宏微科技將加速SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程與高壓大電流產(chǎn)品升級(jí)；在下游市場(chǎng)方面，公司將鞏固光伏、汽車及工控頭部客戶，拓展高壓平臺(tái)客戶，提升高毛利產(chǎn)品占比，同時(shí)積極布局機(jī)器人、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：合盛硅業(yè)——左圖為12英寸晶片，右圖為12英寸晶錠

經(jīng)過(guò)多年的持續(xù)攻關(guān)與深度積累，寧波合盛新材料已實(shí)現(xiàn)從高純石墨純化、SiC 多晶粉料制備，到單晶生長(zhǎng)與晶片加工的完整技術(shù)鏈條自主可控。此次 12 英寸晶體的成功制備，是繼 2024 年 8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化之后的又一重大飛躍。

面對(duì)全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)熱潮與技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，近期我國(guó)多家企業(yè)12英寸SiC技術(shù)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。

5月18日，晶馳機(jī)電舉行河北省首臺(tái)（套）12寸電阻法高純碳化硅晶體生長(zhǎng)爐交付儀式，該系列產(chǎn)品是晶馳機(jī)電入駐正定后自主完成研發(fā)生產(chǎn)的高端裝備。

5月12日，晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC宣布，成功實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)，首顆晶體直徑達(dá)309mm且質(zhì)量完好。

5月8日，南砂晶圓在參加行業(yè)大會(huì)時(shí)，在現(xiàn)場(chǎng)展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底等重點(diǎn)產(chǎn)品，成功實(shí)現(xiàn)大尺寸碳化硅襯底的突破。

近日，山東力冠微電子裝備公開(kāi)表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長(zhǎng)晶爐的研發(fā)難關(guān)，并于近期完成首批兩臺(tái)設(shè)備的交付。

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，是制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。然而，大尺寸碳化硅晶體的制備長(zhǎng)期以來(lái)是世界性技術(shù)難題，向 12 英寸規(guī)模進(jìn)階，需要在熱場(chǎng)控制、晶體缺陷抑制、加工耗損控制等多個(gè)維度同步突破。

（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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圖片來(lái)源：山西省科學(xué)技術(shù)廳通知截圖

此次延期的7個(gè)項(xiàng)目主要是半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域，包含三個(gè)碳化硅領(lǐng)域項(xiàng)目，分別是：

1、大尺寸4H-SiC單晶襯底材料制備產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目，由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，河北普興電子科技股份有限公司揭榜，項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)4000萬(wàn)元。

2、8英寸SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備研發(fā)項(xiàng)目由山西爍科晶體有限公司發(fā)起需求，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所揭榜，致力于研發(fā)8英寸SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備，項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)3000萬(wàn)元。

3、SiC晶體激光誘導(dǎo)剝離工藝與裝備研發(fā)項(xiàng)目，由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所發(fā)起需求，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司揭榜，項(xiàng)目總經(jīng)費(fèi)5000萬(wàn)元。

業(yè)界指出，“揭榜掛帥”項(xiàng)目獲延期攻關(guān)這一舉措旨在給予科研團(tuán)隊(duì)更充足的時(shí)間，全力攻克關(guān)鍵核心技術(shù)，推動(dòng)山西在半導(dǎo)體與新材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)飛躍，助力產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

在“雙碳”目標(biāo)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的雙重背景下，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的核心代表，正成為全球科技競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。山西作為我國(guó)傳統(tǒng)能源大省，憑借資源稟賦與戰(zhàn)略眼光，在碳化硅領(lǐng)域展開(kāi)深度布局。

《山西省“十四五”新材料規(guī)劃》明確提出將碳化硅列為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的核心發(fā)展方向，提出打造500億級(jí)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)集群的目標(biāo)。規(guī)劃提出“三個(gè)倍增”計(jì)劃，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新、企業(yè)培育和集群化發(fā)展，推動(dòng)碳化硅材料在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用。

政策利好推動(dòng)之下，山西碳化硅產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，并涌現(xiàn)多家代表性廠商。

√ 山西爍科晶體有限公司構(gòu)建了從碳化硅粉料制備、單晶生長(zhǎng)到晶片加工的全流程生產(chǎn)線，率先突破4英寸、6英寸及8英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底技術(shù)，打破了國(guó)外技術(shù)壟斷。

√ 山西中電科公司 聚焦碳化硅材料應(yīng)用的關(guān)鍵裝備研發(fā)，其自主研發(fā)的碳化硅化學(xué)氣相沉積（CVD）裝備技術(shù)指標(biāo)行業(yè)領(lǐng)先。

√ 山西天成半導(dǎo)體材料有限公司 注于6/8英寸碳化硅襯底材料及晶體生長(zhǎng)裝備的研發(fā)。公司突破缺陷抑制、快速生長(zhǎng)等關(guān)鍵技術(shù)，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，產(chǎn)品性能達(dá)國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平。

…

從傳統(tǒng)能源到戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)，山西正以碳化硅為支點(diǎn)，撬動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。未來(lái)，隨著8英寸及以上碳化硅材料的產(chǎn)業(yè)化加速，山西有望在全球第三代半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)先機(jī)，為“中國(guó)芯”注入山西力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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據(jù)官網(wǎng)資料顯示，格棋成立于2022年，公司長(zhǎng)期關(guān)注第三代化合物半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求和工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，公司團(tuán)隊(duì)成員在該領(lǐng)域擁有超過(guò)10年的經(jīng)驗(yàn)。2023年5月，格棋團(tuán)隊(duì)采用物理氣相傳輸（PVT）法成功開(kāi)發(fā)出了8英寸N型晶體，顯示出其在長(zhǎng)晶技術(shù)方面的領(lǐng)先地位。

2024年10月，格棋舉行了其位于桃園中壢區(qū)新工廠的落成典禮，該廠總投資金額達(dá)6億新臺(tái)幣（約1.33億人民幣），規(guī)劃6英寸碳化硅襯底月產(chǎn)能5000片。此前預(yù)計(jì)在2024年第四季度達(dá)到滿產(chǎn)。此外，新廠還將在年底前安裝20臺(tái)8英寸長(zhǎng)晶爐及100臺(tái)6英寸長(zhǎng)晶爐，進(jìn)一步提升產(chǎn)能。

格棋在新廠落成儀式上與臺(tái)灣中科院及日本三菱達(dá)成合作。與中科院的合作將聚焦于高頻通訊用碳化硅組件的開(kāi)發(fā)，為5G/B5G通訊基礎(chǔ)建設(shè)提供關(guān)鍵組件。與日本三菱的合作則致力于擴(kuò)大日本消費(fèi)類和車用市場(chǎng)的SiC產(chǎn)品布局。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：牡丹江日?qǐng)?bào)

據(jù)一棵竹新材料科技發(fā)展有限公司（簡(jiǎn)稱“一棵竹科技”）總經(jīng)理杜帛霖介紹，項(xiàng)目總投資高達(dá)10.5億元，分兩期推進(jìn)。此次投產(chǎn)的一期工程投資1.5億元，利用牡丹江經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)現(xiàn)有廠房，購(gòu)置了高溫真空燒結(jié)爐、擠出機(jī)、混料機(jī)、雕刻機(jī)、打砂機(jī)等上百臺(tái)（套）先進(jìn)設(shè)備，目前已完成全部投資。

備受關(guān)注的二期工程計(jì)劃投資9億元，預(yù)計(jì)今年5月末將完成工業(yè)用地購(gòu)置，并從6月份起全面啟動(dòng)廠房建設(shè)與設(shè)備采購(gòu)工作，力爭(zhēng)在2026年底前建成投產(chǎn)。項(xiàng)目全面投產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)值30億元、年繳稅3.6億元的經(jīng)營(yíng)規(guī)模，為地方經(jīng)濟(jì)發(fā)展注入強(qiáng)勁動(dòng)力。

目前，一棵竹科技已與科達(dá)、貝特瑞、奧豐、中建材以及國(guó)家電投集團(tuán)旗下100多家火電廠建立了深度合作關(guān)系。其高性能碳化硅產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鋰電、光伏、化工及火電等多個(gè)核心產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。一期工程的竣工投產(chǎn)，將助力公司順利實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)15萬(wàn)件重結(jié)晶耐火磚、脫硫噴嘴、匣缽、輥棒等產(chǎn)品，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)3億元。

在技術(shù)創(chuàng)新方面，一棵竹科技積極聯(lián)合哈爾濱工業(yè)大學(xué)、中南大學(xué)等多家國(guó)內(nèi)知名高等院校及科研院所，深度開(kāi)展“產(chǎn)學(xué)研”合作。項(xiàng)目建設(shè)過(guò)程中，公司還引進(jìn)了德國(guó)FCT精細(xì)技術(shù)陶瓷公司的先進(jìn)技術(shù)以及世界領(lǐng)先的氣相沉積（CVD）鍍膜技術(shù)，致力于碳化硅新材料的技術(shù)創(chuàng)新，并已成功開(kāi)發(fā)出一系列擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的新技術(shù)和新產(chǎn)品。

杜帛霖總經(jīng)理表示，結(jié)合項(xiàng)目二期工程建設(shè)，公司將進(jìn)一步引進(jìn)世界頂尖的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和研發(fā)人才，著力攻克碳化硅高質(zhì)量產(chǎn)品量產(chǎn)化難題。未來(lái)，一棵竹科技將積極開(kāi)拓半導(dǎo)體、航空航天、新能源電子元器件、光刻機(jī)吸盤等碳化硅深加工高精端產(chǎn)品銷售市場(chǎng)，提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力。

值得關(guān)注的是，牡丹江作為國(guó)內(nèi)重要的碳化硅工業(yè)材料產(chǎn)地，擁有悠久的生產(chǎn)歷史。然而，過(guò)去受多種因素制約，主要以碳化硅粉末生產(chǎn)為主，產(chǎn)品附加值較低。近年來(lái)，隨著國(guó)家科技創(chuàng)新戰(zhàn)略的深入實(shí)施和發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力熱潮的興起，牡丹江在碳化硅領(lǐng)域深厚的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)吸引了眾多投資者的青睞，此次高性能碳化硅項(xiàng)目的投產(chǎn)正是其中的一個(gè)縮影，預(yù)示著牡丹江碳化硅產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、超200億，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地首片晶圓正式下線

5月28日，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地首片6英寸碳化硅晶圓正式下線，這一事件標(biāo)志著總投資超過(guò)200億元人民幣的長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地正式投產(chǎn)。該項(xiàng)目自2023年9月破土動(dòng)工，僅用21個(gè)月便實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，比原計(jì)劃提前了兩個(gè)月。

圖片來(lái)源：中國(guó)光谷

官方資料顯示，長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目總投資超過(guò)200億元，占地面積498畝，其中一期占地344畝。項(xiàng)目一期規(guī)劃年產(chǎn)36萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓，達(dá)產(chǎn)后每年可為144萬(wàn)輛新能源汽車提供核心芯片。這將使長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地成為全國(guó)最大的碳化硅晶圓廠，有望打破國(guó)際壟斷，填補(bǔ)湖北在高端碳化硅器件制造領(lǐng)域的空白。

據(jù)悉，目前該基地首款芯片的良率已達(dá)97%，處于國(guó)際先進(jìn)水平。此外，長(zhǎng)飛先進(jìn)已與全球頭部車企廣泛合作，部分產(chǎn)品即將進(jìn)入量產(chǎn)交付階段。這得益于基地在全球率先部署了A3級(jí)別天車系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)生產(chǎn)、搬運(yùn)和派工，大大降低了人工干擾。該基地還建立了覆蓋材料、化學(xué)分析、可靠性測(cè)試、失效分析、產(chǎn)品特性和產(chǎn)品應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)驗(yàn)室，致力于打造集芯片設(shè)計(jì)、制造及先進(jìn)技術(shù)研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造基地。

此外，長(zhǎng)飛先進(jìn)已與全球頭部車企廣泛合作，部分產(chǎn)品即將進(jìn)入量產(chǎn)交付階段。其碳化硅器件將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能、充電樁及電力電網(wǎng)等領(lǐng)域。例如，在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅器件可使主驅(qū)逆變器重量減輕40%、體積縮小30%、功率密度提升25%，并顯著提高能量轉(zhuǎn)換效率。

02、投資50億元，中導(dǎo)信力項(xiàng)目落戶鄂州

5月28日，由眾普控股（湖北）集團(tuán)有限公司投資50億元的中導(dǎo)信力蝕刻制程專用設(shè)備零部件制造項(xiàng)目正式簽約落戶鄂州臨空經(jīng)濟(jì)區(qū)光電子產(chǎn)業(yè)園。

圖片來(lái)源：鄂州融媒

據(jù)悉，該項(xiàng)目分三期建設(shè)，將打造國(guó)內(nèi)首個(gè)集“材料研發(fā)—設(shè)備制造—零部件量產(chǎn)”于一體的全鏈條碳化硅產(chǎn)業(yè)基地。一期項(xiàng)目占地35畝，擬建成6條CVD碳化硅聚焦環(huán)和噴淋頭生產(chǎn)線，年產(chǎn)半導(dǎo)體蝕刻制程專用設(shè)備零部件4萬(wàn)件。

中導(dǎo)信力項(xiàng)目的落地，將為鄂州地區(qū)帶來(lái)顯著的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年?duì)I收突破25億元，貢獻(xiàn)稅收超3.5億元，帶動(dòng)上下游形成20億元產(chǎn)業(yè)集群。該項(xiàng)目的建設(shè)不僅將推動(dòng)鄂州地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，還將為湖北省乃至全國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈提供關(guān)鍵的設(shè)備零部件支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：杰平方半導(dǎo)體

資料顯示， 奧斯達(dá)克作為車載電源及OBC領(lǐng)域的資深供應(yīng)商，多年來(lái)深耕重卡、工程機(jī)械、新能源汽車等行業(yè)，為其提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及系統(tǒng)級(jí)解決方案。

杰平方半導(dǎo)體聚焦車載芯片研發(fā)和生產(chǎn)，致力于滿足中國(guó)汽車產(chǎn)業(yè)對(duì)國(guó)產(chǎn)自主車載芯片的旺盛需求，打造世界領(lǐng)先的碳化硅垂直整合晶圓廠的標(biāo)桿企業(yè)，并結(jié)合芯片代工廠的既有優(yōu)勢(shì)，創(chuàng)新IDM+的商務(wù)模式，打造芯片供應(yīng)鏈的核心競(jìng)爭(zhēng)力。

目前，杰平方半導(dǎo)體已成功開(kāi)發(fā)出多款針對(duì)該市場(chǎng)需求的SiC功率器件產(chǎn)品。

采用杰平方SiC功率器件的50kW DC/DC 電源（支持 N+1）及36KW高壓DC/DC 電源，已在挖掘機(jī)、重型礦卡等行業(yè)實(shí)現(xiàn)批量裝機(jī)；采用杰平方SIC功率器件設(shè)計(jì)的850V轉(zhuǎn)27.5V-6KW DCDC電源和特高壓1500V轉(zhuǎn)380V DCDC電源, 已在燃料電池系統(tǒng)/無(wú)人駕駛系統(tǒng)/工程機(jī)械等行業(yè)實(shí)現(xiàn)批量裝機(jī)。

通過(guò)本次合作，雙方將持續(xù)擴(kuò)展更深層次的合作，進(jìn)一步鞏固和發(fā)揮雙方在器件及應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)。強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合為功率半導(dǎo)體在車載電源、OBC應(yīng)用領(lǐng)域奉獻(xiàn)出完美商品和服務(wù)，共同為重卡、工程機(jī)械、新能源汽車等行業(yè)安全可靠運(yùn)轉(zhuǎn)提供堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，增添安全保障。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：基本半導(dǎo)體上市申請(qǐng)書(shū)截圖

基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，作為國(guó)內(nèi)少數(shù)具備碳化硅功率模塊全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋能力的企業(yè)，基本半導(dǎo)體已實(shí)現(xiàn)從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝的垂直整合，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等戰(zhàn)略新興領(lǐng)域。

據(jù)悉，基本半導(dǎo)體在深圳光明碳化硅晶圓制造基地、無(wú)錫新吳碳化硅功率模塊封裝基地、深圳坪山功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)測(cè)試基地均已開(kāi)始量產(chǎn)。而此次IPO募資將主要用于深圳晶圓廠與無(wú)錫封裝產(chǎn)線的產(chǎn)能擴(kuò)張，以應(yīng)對(duì)下游市場(chǎng)爆發(fā)式增長(zhǎng)的需求。

招股書(shū)顯示，基本半導(dǎo)體募集資金將用于未來(lái)擴(kuò)大晶圓及模塊的生產(chǎn)能力以及購(gòu)買及升級(jí)生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器、對(duì)新碳化硅產(chǎn)品的研發(fā)工作以及技術(shù)創(chuàng)新，以及拓展碳化硅產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)。

財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2022年至2024年，公司營(yíng)收從1.17億元穩(wěn)步增長(zhǎng)至2.99億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)59.9%，盡管仍面臨盈利挑戰(zhàn)，但其技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)潛力已獲得資本市場(chǎng)認(rèn)可。

自成立以來(lái)，基本半導(dǎo)體已完成多輪融資，投資方涵蓋產(chǎn)業(yè)資本、知名投資機(jī)構(gòu)及政府基金。

2017年天使輪由Ascatron AB、力合科創(chuàng)集團(tuán)啟動(dòng)研發(fā)；2019年A輪獲力合科創(chuàng)集團(tuán)等支持中試線投產(chǎn)；2020年B輪由聞泰科技、深圳市投控資本領(lǐng)投，加速車載芯片認(rèn)證；2021年連續(xù)完成B+輪（博世創(chuàng)投）、C1輪（博世創(chuàng)投、松禾資本等）融資，推動(dòng)車規(guī)級(jí)模塊研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化；2022年完成C2輪（廣汽資本等）、兩輪C+輪（粵科金融、中車轉(zhuǎn)型升級(jí)基金等），拓展新能源市場(chǎng)并建設(shè)制造基地，2023年完成D輪融資，加速車規(guī)級(jí)產(chǎn)線建設(shè)。

歷次融資均聚焦技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)能擴(kuò)張，助力其成為國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)。

多家第三代半導(dǎo)體企業(yè)競(jìng)相沖刺IPO

在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的資本浪潮中，多家頭部企業(yè)相繼沖刺IPO。

天岳先進(jìn)2022年1月12日登陸上海證券交易所科創(chuàng)板，2025年2月向香港聯(lián)交所遞交了發(fā)行境外上市外資股（H股）的申請(qǐng)，擬在香港聯(lián)交所主板掛牌上市，構(gòu)建”A+H”雙平臺(tái)布局。作為全球第二大碳化硅襯底制造商，天岳先進(jìn)在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。公司通過(guò)持續(xù)的研發(fā)投入，已掌握碳化硅襯底制備的核心技術(shù)，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

英諾賽科于2024年12月30日成功登陸香港聯(lián)交所主板，成為港股“第三代半導(dǎo)體”第一股。英諾賽科位于吳江區(qū)，深耕8英寸芯片制造技術(shù)多年，是全球第一家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司，通過(guò)打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺(tái)，填補(bǔ)了行業(yè)空白，完善了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局。

2025年3月25日，瀚天天成在港交所遞交招股書(shū)，擬在香港主板上市。瀚天天成成立于2011年，主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、量產(chǎn)及銷售，是全球率先實(shí)現(xiàn)8英吋碳化硅外延芯片大批量外供的生產(chǎn)商，也是中國(guó)首家實(shí)現(xiàn)商業(yè)化3英吋、4英吋、6英吋和8英吋碳化硅外延芯片全套批量供應(yīng)的生產(chǎn)商。

天域半導(dǎo)體成立于2009年，于2024年12月向香港聯(lián)交所遞交招股書(shū)，擬在主板上市，由中信證券擔(dān)任獨(dú)家保薦人。作為專業(yè)碳化硅外延片供應(yīng)商，天域半導(dǎo)體通過(guò)自主研發(fā)，已掌握生產(chǎn)600伏至30000伏單極型及雙極型功率器件所需整個(gè)碳化硅外延片生產(chǎn)周期的必要核心技術(shù)及工藝，目前提供4英寸及6英寸碳化硅外延片，并已開(kāi)始量產(chǎn)8英寸外延片。

結(jié)語(yǔ)

第三代半導(dǎo)體材料，尤其是碳化硅與氮化鎵，因耐高壓、高頻特性，已成為新能源與5G通信領(lǐng)域的核心器件。據(jù)TrendForce預(yù)測(cè)，2028年全球碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)91.7億美元。國(guó)內(nèi)企業(yè)紛紛通過(guò)IPO加速資本化進(jìn)程，旨在突破技術(shù)封鎖、應(yīng)對(duì)價(jià)格戰(zhàn)并綁定頭部客戶。

（集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理）

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（集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理）

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瀚薪科技浙江麗水新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目順利封頂

5月27日，瀚薪科技通過(guò)全資子公司-浙江瀚薪芯昊半導(dǎo)體有限公司在麗水投建的“新建碳化硅封測(cè)建設(shè)項(xiàng)目”主體結(jié)構(gòu)正式封頂。

圖片來(lái)源：瀚薪科技

這一里程碑的達(dá)成，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的征程中邁出了關(guān)鍵一步。未來(lái)瀚薪科技的產(chǎn)品生產(chǎn)將進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)自主可控，研發(fā)技術(shù)快速迭代，以期為客戶提供更全面、更優(yōu)質(zhì)的碳化硅解決方案，助力“雙碳”目標(biāo)與新能源產(chǎn)業(yè)升級(jí)！

資料顯示，瀚薪專注SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化超15年，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)及國(guó)際領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝與測(cè)試能力。公司產(chǎn)品已通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101及工規(guī)級(jí)JEDEC認(rèn)證，與多家知名企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系。

廣州這個(gè)氧化鎵外延項(xiàng)目即將投產(chǎn)

近期，由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”傳出新進(jìn)展，其位于南沙的首個(gè)先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用。

該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實(shí)現(xiàn) “從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場(chǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

圖片來(lái)源：香港科技大學(xué)快訊

氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測(cè)等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)（廣州）陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開(kāi)發(fā)，是全球獨(dú)家通過(guò)MOCVD工藝實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補(bǔ)了氧化鎵材料體系中長(zhǎng)期缺失的p型導(dǎo)電空白。

據(jù)悉，拓諾稀科技通過(guò)實(shí)現(xiàn)p型導(dǎo)電，使得氧化鎵材料具備構(gòu)建pn結(jié)及其他雙極型器件（如BJT、IGBT）的能力，顯著拓展在新能源汽車、工業(yè)機(jī)器人、電力能源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間。團(tuán)隊(duì)采用自主研發(fā)的MOCVD外延及加工工藝，形成全球獨(dú)有的技術(shù)體系，支持多層pn結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)差異化器件性能。工藝兼容半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，具備大規(guī)模量產(chǎn)與高度產(chǎn)業(yè)化的可行性，為晶圓加工和芯片集成提供堅(jiān)實(shí)支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 秦妍 整理）

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圖片來(lái)源：中導(dǎo)光電

相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產(chǎn)效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢(shì)，是未來(lái)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主流方向。中導(dǎo)光電董事長(zhǎng)表示，公司NanoPro-150系列設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)95%以上，在保證性能的同時(shí)大幅降低了客戶的設(shè)備投入成本。

此次訂單是客戶繼今年初批量采購(gòu)后，半年內(nèi)第二次追加。訂單獲取歷經(jīng)三個(gè)月嚴(yán)格的技術(shù)對(duì)標(biāo)，NanoPro-150在檢測(cè)效率、穩(wěn)定性及數(shù)據(jù)追溯性等核心指標(biāo)上全面達(dá)標(biāo)。

此前1月，中導(dǎo)光電表示，計(jì)劃在SiC晶圓納米級(jí)缺陷檢測(cè)領(lǐng)域投入更多研發(fā)資源，通過(guò)高精度多模式缺陷檢測(cè)技術(shù)的升級(jí)、人工智能AI缺陷識(shí)別算法的系統(tǒng)優(yōu)化以及設(shè)備整體性能的提升，進(jìn)一步提高SiC晶圓制造的質(zhì)量和效率。

目前，公司正在研發(fā)下一代檢測(cè)設(shè)備NanoPro-200和NanoPro-300，這些設(shè)備將具備更高的檢測(cè)精度和更廣泛的工藝覆蓋能力。其中，NanoPro-200的技術(shù)規(guī)格已達(dá)到40納米，并在AI智能化和自動(dòng)化方面取得了顯著突破。而第三代NanoPro-300也已進(jìn)入研發(fā)關(guān)鍵期。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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