碳化硅設(shè)備企業(yè)串聯(lián)著行業(yè)的上、中、下游，既制約著碳化硅的技術(shù)及產(chǎn)能發(fā)展水平，又受碳化硅市場(chǎng)冷暖的影響。因此，本文透過碳化硅設(shè)備企業(yè)，淺談碳化硅襯底乃至整個(gè)碳化硅市場(chǎng)當(dāng)下的行情。

襯底價(jià)格戰(zhàn)已打響？

多數(shù)產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)認(rèn)同了碳化硅襯底價(jià)格下降的事實(shí)。

環(huán)球晶圓董事長(zhǎng)徐秀蘭近期公開表示，全球6英寸碳化硅襯底的產(chǎn)能釋放，再加上電動(dòng)汽車的需求暫緩，2024年碳化硅襯底價(jià)格有下滑的壓力。

而天岳先進(jìn)在2024年5月9日發(fā)布的投資者關(guān)系記錄表中則指出了碳化硅襯底價(jià)格下降的兩大內(nèi)部原因：技術(shù)的提升和規(guī)模化效應(yīng)推動(dòng)了襯底成本的下降。

事實(shí)上，碳化硅襯底在技術(shù)及產(chǎn)能上的變化，自2023年下半年以來愈發(fā)明顯。

在技術(shù)方面，據(jù)集邦化合物半導(dǎo)體統(tǒng)計(jì)，中國(guó)目前已有超10家企業(yè)8英寸SiC襯底進(jìn)入了送樣、小批量生產(chǎn)階段，包括：爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、湖南三安半導(dǎo)體、超芯星、盛新材料（中國(guó)臺(tái)灣）、粵海金、世紀(jì)金芯、環(huán)球晶圓（中國(guó)臺(tái)灣）。

規(guī)模化效應(yīng)方面，碳化硅襯底廠商早期的項(xiàng)目建設(shè)逐漸來到投資回報(bào)期的同時(shí)，更有多家襯底企業(yè)的產(chǎn)能重心向8英寸傾斜。

比如，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”于2023年11月正式簽約啟動(dòng)；世紀(jì)金芯8英寸SiC加工線于2024年2月正式貫通并進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段；南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項(xiàng)目于2023年6月落地山東濟(jì)南、預(yù)計(jì)2025年滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)；科友半導(dǎo)體在2024年3月與俄羅斯N公司簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，開展“8英寸SiC完美籽晶”項(xiàng)目合作。

襯底價(jià)格下降是一種必然趨勢(shì)，而多數(shù)企業(yè)對(duì)此持樂觀態(tài)度。正如晶升股份所言，隨著市場(chǎng)空間的擴(kuò)大以及良率水平的提升，會(huì)不可避免地在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)過程中出現(xiàn)價(jià)格的調(diào)整。這在短期內(nèi)會(huì)對(duì)行業(yè)相關(guān)企業(yè)造成一些壓力，但良率的提升和價(jià)格的下浮對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈利大于弊，成本的下降將推動(dòng)更多下游應(yīng)用的涌現(xiàn)，從而使得行業(yè)整體保持一個(gè)良好的增長(zhǎng)速度。

天岳先進(jìn)作為襯底企業(yè)，也指出，目前碳化硅襯底價(jià)格遠(yuǎn)高于硅襯底價(jià)格，而碳化硅襯底價(jià)格下降有助于下游應(yīng)用的擴(kuò)展，推動(dòng)碳化硅技術(shù)和材料的滲透應(yīng)用，進(jìn)而促進(jìn)整體應(yīng)用空間的增長(zhǎng)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

襯底/外延設(shè)備企業(yè)眼中的市場(chǎng)變化

巧婦難為無米之炊，設(shè)備之于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈而言，便是“米”。

除了襯底外，外延也屬于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的上游環(huán)節(jié)，是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中價(jià)值量較高的環(huán)節(jié)。其中，襯底環(huán)節(jié)主要涉及長(zhǎng)晶爐、切磨拋設(shè)備；外延環(huán)節(jié)則是外延設(shè)備。

長(zhǎng)晶爐方面，雖然國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商尚未向國(guó)際主流碳化硅廠商實(shí)現(xiàn)設(shè)備供應(yīng)，但在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備主要市場(chǎng)份額已由國(guó)內(nèi)廠商占據(jù)。

北方華創(chuàng)、晶升股份為主力供應(yīng)商，目前已向國(guó)內(nèi)多家下游SiC材料主流廠商實(shí)現(xiàn)大批量交付。同時(shí)，雙方均已成功開發(fā)了8英寸長(zhǎng)晶設(shè)備，其中，北方華創(chuàng)已開發(fā)了3種機(jī)型。

對(duì)于市場(chǎng)現(xiàn)狀，晶升股份在2024年3月21日發(fā)布的投資者關(guān)系記錄表中表示，碳化硅8英寸替代6英寸的速度快于預(yù)期，國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底廠商的技術(shù)水平也在加速進(jìn)步中。其還指出，公司已向多家客戶交付8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備。

此外，連城數(shù)控在2024年3月宣布完成《第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項(xiàng)目投資協(xié)議書》的全部簽署工作。據(jù)悉，公司將投資不超過10.5億元，規(guī)劃建設(shè)半導(dǎo)體大硅片長(zhǎng)晶和加工設(shè)備、碳化硅長(zhǎng)晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。

據(jù)悉，2023年上半年，連城數(shù)控液相法碳化硅長(zhǎng)晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺(tái)訂單。

值得一提的是，國(guó)產(chǎn)碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備還登上了國(guó)際舞臺(tái)。優(yōu)晶科技在2024年4月29日宣布，其出口至某國(guó)際知名客戶的大尺寸電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備已順利通過驗(yàn)收。據(jù)悉，該設(shè)備是優(yōu)晶科技研發(fā)的第四代碳化硅電阻法長(zhǎng)晶設(shè)備。

此外，科友半導(dǎo)體在2024年年初與歐洲一家國(guó)際知名企業(yè)簽訂長(zhǎng)單，簽約額超過2億元人民幣。據(jù)悉，科友半導(dǎo)體使用的長(zhǎng)晶設(shè)備為自主研發(fā)的電阻式SiC長(zhǎng)晶爐，而其開發(fā)的8英寸SiC材料裝備及工藝還被中國(guó)電子學(xué)會(huì)組織的專家委員會(huì)評(píng)為“國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平”，是國(guó)內(nèi)首家基于電阻式長(zhǎng)晶爐制備獲得8英寸SiC單晶的企業(yè)。

切磨拋設(shè)備方面，盡管當(dāng)下仍以國(guó)際廠商為主，但國(guó)產(chǎn)企業(yè)正在不斷加速突破。

據(jù)悉，高測(cè)股份于2022年底推出適用于8英寸SiC襯底切割的SiC金剛線切片機(jī)，2023 年公司 8 英寸SiC金剛線切片機(jī)已獲得行業(yè)頭部客戶高度認(rèn)可并形成批量訂單。

宇晶股份在2023年度業(yè)績(jī)說明會(huì)上表示，“未來8英寸碳化硅晶圓市場(chǎng)需求擴(kuò)大也將持續(xù)推動(dòng)公司碳化硅晶圓加工設(shè)備市場(chǎng)需求”。其表示，公司開發(fā)的8英寸碳化硅多線切割機(jī)和雙面拋光機(jī)等切、磨、拋設(shè)備已到達(dá)同類進(jìn)口設(shè)備水平，具備了替代國(guó)外進(jìn)口設(shè)備的能力，且在2023年已取得較多的訂單。

德龍激光在2022 年成功開發(fā)SiC晶錠激光切片技術(shù)，完成其工藝研發(fā)和測(cè)試驗(yàn)證，2023 年取得了頭部客戶批量訂單。

特思迪已實(shí)現(xiàn)化合物半導(dǎo)體專用減薄、拋光設(shè)備的規(guī)?；慨a(chǎn)。產(chǎn)品升級(jí)及市場(chǎng)推廣方面，其研發(fā)出的8英寸碳化硅全自動(dòng)減薄設(shè)備已投入市場(chǎng)，8英寸雙面拋光設(shè)備已通過工藝測(cè)試進(jìn)入量產(chǎn)階段。

大族激光研發(fā)的SiC激光切片設(shè)備正在持續(xù)推進(jìn)與行業(yè)龍頭客戶的合作，為規(guī)?；a(chǎn)做準(zhǔn)備，并推出了SiC激光退火設(shè)備新產(chǎn)品。

外延設(shè)備方面，德國(guó)的AIXTRON SE、意大利的LPE、日本的TEL和Nuflare四大廠商占據(jù)了主要的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)外延設(shè)備廠方面，北方華創(chuàng)、晶盛機(jī)電、納設(shè)智能、芯三代、中電科48所等，均已推出成熟的外延設(shè)備，8英寸外延設(shè)備也已研發(fā)成功。其中，晶盛機(jī)電還在2023年業(yè)績(jī)說明會(huì)中表示，其8英寸碳化硅外延設(shè)備已經(jīng)通過下游客戶驗(yàn)證。

結(jié)語(yǔ)

碳化硅設(shè)備企業(yè)近期的動(dòng)態(tài)，折射出當(dāng)下碳化硅市場(chǎng)的兩大變化趨勢(shì)：

一方面，8英寸設(shè)備下訂或提貨的節(jié)奏正在加快。這既意味著中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的持續(xù)繁榮和發(fā)展，也昭示著技術(shù)難題逐漸被攻破，中國(guó)企業(yè)與國(guó)際企業(yè)在8英寸碳化硅上的差距持續(xù)縮小。

另一方面，長(zhǎng)晶爐傳來向國(guó)際企業(yè)出貨的消息，同時(shí)切磨拋、外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。萬事開頭難，從引進(jìn)，到國(guó)產(chǎn)替代，再到出海，殊為不易。而碳化硅設(shè)備企業(yè)的成長(zhǎng)，又何嘗不是中國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的縮影呢？（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Winter）

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該標(biāo)準(zhǔn)的起草單位囊括了業(yè)內(nèi)多家具備8英寸碳化硅技術(shù)的企業(yè)，包括天岳先進(jìn)、爍科晶體、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、湖南三安半導(dǎo)體等。

該標(biāo)準(zhǔn)由南京國(guó)盛電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：國(guó)盛電子）牽頭。據(jù)悉，國(guó)盛電子隸屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所，致力于半導(dǎo)體外延材料的研發(fā)和生產(chǎn)。

2021年9月，國(guó)盛電子“外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目”簽約落戶江寧開發(fā)區(qū)，后于2023年11月正式投產(chǎn)運(yùn)行。據(jù)了解，該項(xiàng)目一期投資19.3億元，年產(chǎn)8-12英寸硅外延片456萬片，年產(chǎn)6-8英寸化合物外延片12.6萬片。

對(duì)于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 43885-2024《碳化硅外延片》的意義，2023年11月30日，中國(guó)電科指出，《碳化硅外延片》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)確定了碳化硅外延片的質(zhì)量技術(shù)細(xì)節(jié)，規(guī)范和統(tǒng)一了具體的技術(shù)性能項(xiàng)目和指標(biāo)。該標(biāo)準(zhǔn)及時(shí)填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的空白，對(duì)碳化硅外延片生產(chǎn)工藝、質(zhì)量控制、采購(gòu)及銷售管理都有重要的指導(dǎo)作用。

據(jù)了解，在SEMICON China 2023上，中國(guó)電子科技集團(tuán)旗下中電科電子裝備集團(tuán)有限公司還發(fā)布了最新研制的8英寸碳化硅外延設(shè)備，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體專用核心裝備邁進(jìn)“8英寸時(shí)代”。（集邦化合物半導(dǎo)體 Winter整理）

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據(jù)悉，“8英寸SiC襯底材料裝備開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化工藝研究”項(xiàng)目旨在推動(dòng)8英寸SiC裝備國(guó)產(chǎn)化和SiC襯底產(chǎn)業(yè)化，獲得高性能8英寸SiC長(zhǎng)晶裝備和低缺陷SiC襯底，具備批量制備能力并形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

資料顯示，科友半導(dǎo)體成立于2018年5月，專注于半導(dǎo)體裝備研發(fā)、襯底制造、器件設(shè)計(jì)、技術(shù)轉(zhuǎn)移和科研成果轉(zhuǎn)化?？朴寻雽?dǎo)體致力于實(shí)現(xiàn)SiC從原材料提純-裝備制造-晶體生長(zhǎng)-襯底加工-外延晶圓的材料端全產(chǎn)業(yè)鏈閉合，成為第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料和高端裝備主要供應(yīng)商。

近年來，科友半導(dǎo)體8英寸SiC襯底材料研發(fā)處于穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中。2022年底，科友半導(dǎo)體通過自主設(shè)計(jì)制造的電阻長(zhǎng)晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。這是科友半導(dǎo)體繼2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實(shí)現(xiàn)40mm突破后，在SiC晶體生長(zhǎng)尺寸和襯底尺寸上取得的又一次重大突破。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

隨后在2023年2月14日舉辦的寬禁帶半導(dǎo)體材料技術(shù)成果鑒定會(huì)上，科友半導(dǎo)體“8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備及工藝”通過中國(guó)電子學(xué)會(huì)科技成果鑒定；4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通；9月，科友半導(dǎo)體首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底成功下線，至此，科友半導(dǎo)體已初步具備8英寸SiC襯底量產(chǎn)能力。

據(jù)介紹，科友半導(dǎo)體通過提高原料及氣相組分比例穩(wěn)定性、維持長(zhǎng)期生長(zhǎng)的穩(wěn)定溫場(chǎng)和濃度場(chǎng)條件、調(diào)控晶體生長(zhǎng)速率和均勻性，實(shí)現(xiàn)了高厚度、低應(yīng)力6/8英寸SiC晶體穩(wěn)定制備，在6英寸晶體厚度超過40mm的基礎(chǔ)上，8英寸晶體直徑超過210mm，厚度目前穩(wěn)定在15mm以上。

在進(jìn)行技術(shù)研發(fā)的同時(shí)，科友半導(dǎo)體同步推進(jìn)產(chǎn)能建設(shè)。目前，科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)10萬片6英寸SiC襯底；二期工程也已開工，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型SiC襯底15萬片。按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年科友半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20萬片-30萬片SiC襯底產(chǎn)能。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項(xiàng)目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃的一部分，羅姆計(jì)劃在2021-2025年為SiC業(yè)務(wù)投入1700億-2200億日元（折合人民幣約82億元-107億元）。

對(duì)于包括羅姆在內(nèi)的眾多SiC功率半導(dǎo)體玩家而言，再怎么加大投資、提升SiC襯底產(chǎn)能都不過分。一方面，近年來，襯底材料短缺已成為SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸之一；另一方面，隨著汽車電動(dòng)化浪潮來襲，對(duì)于SiC功率半導(dǎo)體的需求將會(huì)日益增大。

為了推動(dòng)SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，同時(shí)在巨大風(fēng)口中占據(jù)一席之地，各大企業(yè)必然下血本增資擴(kuò)產(chǎn)。目前看來，有多種方式可以達(dá)到目的，或是與供應(yīng)商簽署供貨協(xié)議，或是完全自建生產(chǎn)線，亦或是收購(gòu)相關(guān)企業(yè)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

羅姆早年通過收購(gòu)德國(guó)SiC襯底制造商SiCrystal，直接在其位于德國(guó)紐倫堡的工廠生產(chǎn)SiC襯底，在此基礎(chǔ)上，很快便確立了自身在行業(yè)內(nèi)的先行者地位。

將于2024年投產(chǎn)的宮崎第二工廠，原本是出光興產(chǎn)子公司太陽(yáng)能前線（Solar Frontier）的原國(guó)富工廠。今年7月，羅姆宣布與太陽(yáng)能前線就收購(gòu)該公司原國(guó)富工廠資產(chǎn)事宜達(dá)成基本協(xié)議，此次收購(gòu)計(jì)劃于今年10月完成。值得注意的是，該工廠將成為羅姆在日本最大規(guī)模的SiC功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。

并購(gòu)的同時(shí)，羅姆亦積極自建產(chǎn)能。羅姆官網(wǎng)資料顯示，羅姆目前在日本擁有四個(gè)SiC功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，分別位于京都總部、福岡縣筑后工廠、長(zhǎng)濱工廠以及宮崎第一工廠。

收購(gòu)與自建都能夠達(dá)成穩(wěn)健的產(chǎn)品供應(yīng)，但在SiC產(chǎn)業(yè)的前瞻性布局讓巨頭們熱衷于提前占據(jù)更多產(chǎn)能，與成熟的廠商合作是必要的，羅姆也不甘落后。

今年6月，羅姆與緯湃科技（Vitesco）簽署了SiC功率元器件的長(zhǎng)期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元（折合人民幣約63億元）。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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今年1月，東尼半導(dǎo)體與下游客戶T簽訂了三年交付近百萬片6英寸SiC襯底的《采購(gòu)合同》。按照該協(xié)議，今年?yáng)|尼半導(dǎo)體將向該客戶交付6英寸SiC襯底13.50萬片（MOS比例不低于當(dāng)月交貨的20%），含稅銷售金額合計(jì)6.75億元；2024年、2025年，東尼半導(dǎo)體將分別向該客戶交付6英寸SiC襯底30萬片、50萬片。

據(jù)東尼電子2023年半年報(bào)顯示，公司今年上半年?duì)I收達(dá)77714萬元，凈利潤(rùn)虧損達(dá)6817萬元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

東尼電子指出，報(bào)告期內(nèi)，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)量產(chǎn)供貨營(yíng)收大增。公司主要按照年初與下游客戶T簽訂的重大合同中的交付計(jì)劃完成產(chǎn)品發(fā)貨，實(shí)現(xiàn)營(yíng)收上億元，收入大幅增長(zhǎng)。但量產(chǎn)爬坡階段，前期產(chǎn)品良率不穩(wěn)定且設(shè)備調(diào)試所產(chǎn)生的費(fèi)用較高，毛利情況不理想。公司將持續(xù)推進(jìn)量產(chǎn)爬坡進(jìn)程，并繼續(xù)注重技術(shù)工藝研發(fā)。

東尼電子此前總投資4.69億元，年產(chǎn)12萬片SiC半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，按照計(jì)劃將于2023年11月達(dá)產(chǎn)。如項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)當(dāng)年可實(shí)現(xiàn)年?duì)I業(yè)收入77760萬元，凈利潤(rùn)9589.63萬元，能夠大大增加?xùn)|尼電子營(yíng)收，改善其盈利狀況。

目前市場(chǎng)仍以6英寸襯底為主，但8英寸相比6英寸來說，制造芯片的可用面積幾乎擴(kuò)大了一倍，可大幅度緩解企業(yè)的產(chǎn)能壓力。在巨額訂單的壓力下，東尼半導(dǎo)體努力擴(kuò)大其產(chǎn)能，推進(jìn)8英寸SiC襯底的研發(fā)和量產(chǎn)。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點(diǎn)，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。

下一個(gè)拐點(diǎn)尺寸：8英寸SiC襯底

作為第三代半導(dǎo)體代表材料之一，碳化硅具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢(shì)，在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的主要發(fā)展方向之一。

隨著下游需求的帶動(dòng)，碳化硅正處于高速增長(zhǎng)期，據(jù)TrendForce集邦咨詢的《2023全球SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》，2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%，并預(yù)估至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元。

從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上看，SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測(cè)等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)~45%。業(yè)界認(rèn)為，為了降低單個(gè)器件的成本，進(jìn)一步擴(kuò)大SiC襯底尺寸，在單個(gè)襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢(shì)。

Wolfspeed數(shù)據(jù)顯示，從6英寸升級(jí)到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但合格芯片產(chǎn)量可以增加 80%-90%；同時(shí)8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底可以將單位綜合成本降低50%。

另?yè)?jù)TrendForce集邦咨詢此前表示，目前碳化硅產(chǎn)業(yè)以6英寸為主流，占據(jù)近80%市場(chǎng)份額，8英寸則不到1％。8英寸的晶圓尺寸擴(kuò)展，是進(jìn)一步降低碳化硅器件成本的關(guān)鍵。若達(dá)到成熟階段，8英寸單片的售價(jià)約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生產(chǎn)的晶粒數(shù)約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率顯著提高。

顯然，6英寸向8英寸擴(kuò)徑的行業(yè)趨勢(shì)明確，8英寸SiC襯底蘊(yùn)含著國(guó)內(nèi)廠商實(shí)現(xiàn)彎道超車的機(jī)遇，TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，目前8英寸的產(chǎn)品市占率不到2%，并預(yù)測(cè)2026年市場(chǎng)份額才會(huì)成長(zhǎng)到15%左右。

搶抓機(jī)遇：進(jìn)擊8英寸SiC襯底

業(yè)界指出，8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于，首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題，還要解決應(yīng)力加大導(dǎo)致晶體開裂問題。

據(jù)媒體引述業(yè)界人士稱，今年將會(huì)是8英寸碳化硅元年。今年以來，國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeeed、意法半導(dǎo)體等加速發(fā)展8英寸碳化硅。而國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來看，碳化硅設(shè)備、襯底及外延環(huán)節(jié)亦迎來突破性進(jìn)展，并且多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭聯(lián)手。

針對(duì)8英寸碳化硅襯底布局，TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)此前統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)有10家企業(yè)和機(jī)構(gòu)在研發(fā)8英寸襯底，包含爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等。

今年來，國(guó)內(nèi)廠商在8英寸碳化硅襯底方面取得了何種成績(jī)以及部分產(chǎn)能如何？

科友半導(dǎo)體

2023年4月，科友半導(dǎo)體8英寸SiC中試線正式貫通并進(jìn)入中試線生產(chǎn)，打破了國(guó)際在寬禁帶半導(dǎo)體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。

2023年6月，科友半導(dǎo)體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，并在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長(zhǎng)速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得進(jìn)步，其中，8英寸SiC中試線平均長(zhǎng)晶良率已突破50%，晶體厚度15mm以上。

2023年9月，科友半導(dǎo)體首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線，這標(biāo)志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅(jiān)實(shí)一步。

乾晶半導(dǎo)體

2023年5月，乾晶半導(dǎo)體成功生長(zhǎng)出厚度達(dá)27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠。據(jù)悉，其8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進(jìn)行中試。

9月下旬，乾晶半導(dǎo)體與譜析光晶、綠能芯創(chuàng)簽訂三方戰(zhàn)略合作協(xié)議。三方約定緊密配合、共同投入開發(fā)及驗(yàn)證應(yīng)用于特殊領(lǐng)域的SiC相關(guān)產(chǎn)品，簽約同時(shí)項(xiàng)目啟動(dòng)（9月），并簽訂了5年內(nèi)4.5億的意向訂單。

10月12日，乾晶半導(dǎo)體（衢州）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“乾晶半導(dǎo)體（衢州）”）碳化硅襯底項(xiàng)目中試線主廠房結(jié)頂儀式在智造新城東港八路78號(hào)一期地塊舉行。

該項(xiàng)目總占地面積22畝，總建筑面積約19000平方米，第一期總投資約3億元，計(jì)劃建成碳化硅6/8英寸單晶生長(zhǎng)和襯底加工的中試基地。第一期項(xiàng)目將在2023年底具備設(shè)備搬入條件。

乾晶半導(dǎo)體透露稱，隨著衢州生產(chǎn)基地項(xiàng)目一期到三期的分批建成，乾晶將逐步實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)60萬片碳化硅6-8寸襯底供給能力。

南砂晶圓

今年6月，南砂晶圓啟動(dòng)濟(jì)南中晶芯源基地建設(shè)，規(guī)劃產(chǎn)能50萬片，增加8英寸比例，項(xiàng)目計(jì)劃在2025年滿產(chǎn)達(dá)產(chǎn)，屆時(shí)預(yù)計(jì)產(chǎn)值達(dá)到50億元以上。

8月，據(jù)《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》消息，山東大學(xué)與南砂晶圓在8英寸SiC襯底位錯(cuò)缺陷控制方面取得了重大突破，使用物理氣相傳輸法實(shí)現(xiàn)了近“零螺位錯(cuò)（TSD）”密度和低基平面位錯(cuò)（BPD）密度的8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備，其中螺位錯(cuò)密度為0.55 cm-2，基平面位錯(cuò)密度為202 cm-2。

研究團(tuán)隊(duì)認(rèn)為，近“零TSD”和低BPD密度的8英寸SiC襯底制備，有助于加快國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

合盛硅業(yè)

5月，合盛硅業(yè)披露8英寸碳化硅襯底研發(fā)順利，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。合盛半導(dǎo)體SiC項(xiàng)目營(yíng)銷部負(fù)責(zé)人當(dāng)時(shí)表示，公司已完整掌握了Sic材料的原料合成、晶體生長(zhǎng)襯底加工等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù)，突破了關(guān)鍵材料多孔石墨、涂層材料) 和裝備的技術(shù)壁壘。

截止目前，合盛2萬片寬禁帶半導(dǎo)體SiC襯底產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項(xiàng)目已通過驗(yàn)收，并具備量產(chǎn)能力。

同光股份

4月，據(jù)“河北黨員教育”消息，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（同光股份）歷經(jīng)2年多的研發(fā)，8英寸導(dǎo)電型碳化硅晶體樣品已經(jīng)出爐。預(yù)計(jì)這款新產(chǎn)品年底可實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)，將被客戶制為功率芯片。
2021年9月，同光晶體碳化硅單晶淶源項(xiàng)目正式投產(chǎn)，項(xiàng)目總投資10億元，計(jì)劃增購(gòu)單晶生長(zhǎng)爐600臺(tái)，滿產(chǎn)后達(dá)到年產(chǎn)10萬片生產(chǎn)能力。

同光科技董事長(zhǎng)鄭清超當(dāng)時(shí)表示，下一步，公司正謀劃建設(shè)2000臺(tái)碳化硅晶體生長(zhǎng)爐生長(zhǎng)基地，以及年產(chǎn)60萬片碳化硅單晶襯底加工基地，擬總投資40億元。預(yù)計(jì)2025年末實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)新增產(chǎn)值40-50億元，成為全球重要的碳化硅單晶襯底供應(yīng)商。

天科合達(dá)

2023年1月，天科合達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)在《人工晶體學(xué)報(bào)》上發(fā)表8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底制備與表征重要文章。根據(jù)內(nèi)容，天科合達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)使用物理氣相傳輸法(PVT)通過擴(kuò)徑技術(shù)制備出直徑為209 mm的4H-SiC單晶，并通過多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn)8英寸SiC單晶襯底。

5月，天科合達(dá)與英飛凌簽訂了一份長(zhǎng)期協(xié)議，為其供應(yīng)碳化硅材料。根據(jù)該協(xié)議，第一階段將側(cè)重于150毫米碳化硅材料的供應(yīng)，并將提供200毫米直徑碳化硅材料，幫助英飛凌向200毫米（8英寸）直徑晶圓的過渡。

此外，8月8日，天科合達(dá)全資子公司江蘇天科合達(dá)碳化硅晶片二期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目開工。二期項(xiàng)目將新增16萬片產(chǎn)能，并計(jì)劃明年6月份建設(shè)完成，同年8月份竣工投產(chǎn)，屆時(shí)江蘇天科合達(dá)總產(chǎn)能將達(dá)到23萬片。

晶盛機(jī)電

晶盛機(jī)電已成功生長(zhǎng)出8英寸N型碳化硅晶體，完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代，實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā)，解決了8英寸SiC晶體生長(zhǎng)過程中溫場(chǎng)不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問題。
6月27日，晶盛機(jī)電帶來了碳化硅設(shè)備方面的新消息，即成功研發(fā)出8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備，可兼容6、8寸碳化硅外延生產(chǎn)。
目前，該公司在子公司晶瑞的8英寸襯底基礎(chǔ)上，已實(shí)現(xiàn)8英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備的自主研發(fā)與調(diào)試，外延的厚度均勻性1.5%以內(nèi)、摻雜均勻性4%以內(nèi)，已達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

三安光電

今年6月，三安光電宣布與意法半導(dǎo)體在重慶成立合資公司，雙方將新建一座8英寸碳化硅器件制造廠。該工廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元，計(jì)劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，2028年全面建廠，將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術(shù)生產(chǎn)碳化硅器件。

合資公司持股方面，三安光電下屬子公司湖南三安半導(dǎo)體持股比例為51%，意法半導(dǎo)體持股比例為49%。此外，意法半導(dǎo)體稱，新合資廠將助力公司實(shí)現(xiàn)到2030年取得50億美元以上的碳化硅營(yíng)收目標(biāo)。

9月，湖南三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，適用于電力電子。資料顯示，湖南三安半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的碳化硅垂直產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái)，其碳化硅產(chǎn)能已達(dá)12000片/月，硅基氮化鎵產(chǎn)能2000片/月。湖南三安二期工程將于2023年貫通，達(dá)產(chǎn)后配套年產(chǎn)能將達(dá)到36萬片。

10月23日，三安光電宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅襯底已完成開發(fā)，產(chǎn)品進(jìn)入小批量生產(chǎn)及送樣階段。湖南三安依托精準(zhǔn)熱場(chǎng)控制的自主PVT工藝，8英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)更低成本及更低缺陷密度，后續(xù)將持續(xù)提升良率，加快設(shè)備調(diào)試與工藝優(yōu)化，并持續(xù)推進(jìn)湖南與重慶工廠量產(chǎn)進(jìn)程。

天岳先進(jìn)

5月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了一項(xiàng)新的襯底和晶棒供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，天岳先進(jìn)將為英飛凌供應(yīng)150毫米碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側(cè)重于150毫米碳化硅材料，但天岳先進(jìn)將助力英飛凌向200毫米（8英寸）直徑碳化硅晶圓過渡。

此外，英飛凌正著力提升碳化硅產(chǎn)能，以實(shí)現(xiàn)在2030年之前占據(jù)全球30%市場(chǎng)份額的目標(biāo)。英飛凌預(yù)計(jì)，到2027年，其碳化硅產(chǎn)能將增長(zhǎng)10倍。

6月，天岳先進(jìn)采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體，通過熱場(chǎng)、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題。除了產(chǎn)品尺寸，在大尺寸單晶高效制備方面，采用公司最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破60mm，而這對(duì)提升產(chǎn)能具有重要意義。（文：全球半導(dǎo)體觀察）

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湖南三安上半年銷售收入增長(zhǎng)超過170%

公告顯示，2023上半年，三安光電預(yù)計(jì)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)為1.4-2.33億元，相比去年同期減少69,884.96-79,184.96萬元，同比預(yù)減75-85%。歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤(rùn)預(yù)計(jì)為負(fù)數(shù)：-5.83億元到-4.95億元，相比去年同期將減少71,498.35萬元到80,298.35萬元。

三安光電指出，上半年，因消費(fèi)需求恢復(fù)緩慢，公司整體營(yíng)收實(shí)現(xiàn)約64.69億元，同比下降約4.33%；營(yíng)業(yè)成本約55.92億元，同比增長(zhǎng)約4.42%；毛利同比減少約5.3億元。

其中，集成電路產(chǎn)品營(yíng)收同比增長(zhǎng)約9.68%，毛利率同比增長(zhǎng)約9%，毛利同比增加約1.2億元，其中，湖南三安銷售收入同比增長(zhǎng)超過 170%。而由于產(chǎn)品售價(jià)下降等，LED外延芯片營(yíng)收同比下降約15.24%；同時(shí)，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整未達(dá)預(yù)期，設(shè)備稼動(dòng)率不足，導(dǎo)致營(yíng)業(yè)成本上升約7.5%，毛利減少約6.2億元。

此外，由于傳統(tǒng)LED芯片存貨跌價(jià)準(zhǔn)備計(jì)提增加，根據(jù)實(shí)際情況及出于謹(jǐn)慎原則，三安光電預(yù)計(jì)對(duì)公司存貨計(jì)提跌價(jià)準(zhǔn)備同比增加約1.8億元。

SiC市場(chǎng)火熱，三安光電業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)點(diǎn)豐富

從三安公布的情況可見，上半年集成電路業(yè)務(wù)表現(xiàn)不錯(cuò)，尤其是湖南三安的SiC業(yè)務(wù)。

實(shí)際上，三安光電在年初的時(shí)候便透露了，湖南三安的SiC銷售收入延續(xù)了去年強(qiáng)勁增長(zhǎng)的趨勢(shì)，1月銷售額近億元，2月銷售額過億元，并預(yù)計(jì)后續(xù)銷售收入能實(shí)現(xiàn)逐月增長(zhǎng)。訂單方面，截至2月份，湖南三安已獲得客戶訂單金額達(dá)5.59億元。從目前公布的數(shù)據(jù)來看，湖南三安的業(yè)務(wù)拓展順利，業(yè)績(jī)表現(xiàn)亮眼。

當(dāng)前，SiC市場(chǎng)供需仍處于緊張的狀態(tài)，來自新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等高功率應(yīng)用市場(chǎng)的需求保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)的趨勢(shì)，而上游產(chǎn)能供應(yīng)持續(xù)不足。對(duì)此，湖南三安持續(xù)積極地?cái)U(kuò)產(chǎn)，截至5月消息，湖南三安的產(chǎn)能已經(jīng)從去年底的1.2萬片/月增長(zhǎng)至1.5萬片/月。后續(xù)，隨著新產(chǎn)能的釋放，湖南三安有望滿足更多客戶的需求，繼續(xù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品銷量增長(zhǎng)。

在SiC領(lǐng)域，除了湖南三安的SiC垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈以外，三安光電還布局了SiC模塊。目前，其與理想汽車合資成立的斯科半導(dǎo)體正在積極擴(kuò)產(chǎn)SiC功率模塊，預(yù)計(jì)未來SiC半橋功率模塊產(chǎn)能可達(dá)240萬只/年。未來，隨著產(chǎn)能的釋放和業(yè)務(wù)的拓展，SiC模塊產(chǎn)品也將逐漸產(chǎn)生銷售收入，為三安光電貢獻(xiàn)業(yè)績(jī)。

另值得一提的是近期引起海內(nèi)外市場(chǎng)熱議的強(qiáng)強(qiáng)合作：三安與ST意法半導(dǎo)體。中長(zhǎng)期來看，雙方在重慶合建的8英寸SiC襯底廠順應(yīng)了行業(yè)往大尺寸發(fā)展的趨勢(shì)，該工廠投資規(guī)模達(dá)50億美元，按照目前的匯率計(jì)算，相當(dāng)于人民幣近360億元；而且，三安光電的控股股東日前也獲得了國(guó)資背景重慶高永的100億元增資，進(jìn)一步為三安重慶工廠的發(fā)展提供了更充足的資金和資源支持。

按照意法半導(dǎo)體的預(yù)期，重慶合資廠將助力其到2030年實(shí)現(xiàn)SiC營(yíng)收50億美元以上的目標(biāo)。同樣地，該工廠也將成為三安光電的另一收入來源。

總的來說，三安光電的業(yè)績(jī)目前受多方面因素的影響，整體表現(xiàn)不佳。但結(jié)合SiC/GaN、Mini/Micro LED等增量市場(chǎng)的發(fā)展前景以及三安光電的布局規(guī)劃和調(diào)整策略，未來營(yíng)收增長(zhǎng)和盈利逐步改善仍然可期。根據(jù)三安昨日公布的第五期員工持股計(jì)劃（草案），公司2023年考核目標(biāo)為營(yíng)收不低于140億元，2024年考核目標(biāo)為營(yíng)收不低于150億元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny）

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據(jù)河口政務(wù)消息，河口區(qū)成功引入高金富恒集團(tuán)，在注資碳化硅一期項(xiàng)目的基礎(chǔ)上，投資25億元，建設(shè)碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)基地項(xiàng)目，年產(chǎn)6英寸碳化硅導(dǎo)電片36萬片。項(xiàng)目占地230畝，分二期建設(shè)，建筑面積8萬平方米，計(jì)劃3月份開工建設(shè)，明年年底前建成投產(chǎn)。

資料顯示，高金富恒集團(tuán)有限公司成立于2011年，是一家總資產(chǎn)逾百億的綜合性產(chǎn)業(yè)集團(tuán)，總部位于中國(guó)廣州科學(xué)城，專注于化工新材料、工業(yè)設(shè)計(jì)、大排量摩托車及發(fā)動(dòng)機(jī)研制、科技企業(yè)孵化器，并涉及酒店物業(yè)、汽車零售、房地產(chǎn)等多個(gè)領(lǐng)域，現(xiàn)擁有控股上市公司3家、全資子公司6家、參股上市公司20余家。

據(jù)悉，本次高金富恒簽約的項(xiàng)目與國(guó)宏中宇旗下國(guó)宏中能的碳化硅項(xiàng)目整改有關(guān)。國(guó)宏中宇依托中科鋼研“第三代半導(dǎo)體材料制備關(guān)鍵共性技術(shù)北京市工程實(shí)驗(yàn)室”在碳化硅半導(dǎo)體材料制備及裝備技術(shù)領(lǐng)域取得的科研成果，以碳化硅半導(dǎo)體材料制備的科技研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建設(shè)、產(chǎn)品生產(chǎn)與銷售為主營(yíng)業(yè)務(wù)。

2018年9月，國(guó)宏中宇宣布在山東省東營(yíng)市河口區(qū)建設(shè)年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底片的項(xiàng)目，該項(xiàng)目于2019年8月正式開工，2021年6月投產(chǎn)。項(xiàng)目由國(guó)宏中宇旗下國(guó)宏中能建設(shè)，總投資6.5億元，項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，主要生產(chǎn)4英寸、6英寸4H-N型碳化硅襯底片和4英寸4-H半絕緣型碳化硅襯底片，主要應(yīng)用于高壓電力電子器件、航天、軍工、核能等領(lǐng)域，項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)年銷售收入7億元，總額約7000萬元，新增就業(yè)人員150余人。

這個(gè)項(xiàng)目在去年10月出現(xiàn)了新的進(jìn)展。據(jù)河口政務(wù)消息顯示，河口區(qū)引進(jìn)了高金富恒集團(tuán)對(duì)國(guó)宏中能公司碳化硅襯底片項(xiàng)目進(jìn)行重組，目標(biāo)是：立足現(xiàn)有碳化硅襯底片項(xiàng)目建設(shè)基礎(chǔ)，推進(jìn)企業(yè)東營(yíng)市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，加快創(chuàng)建省部級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，盡快實(shí)施項(xiàng)目二期工程，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能11萬片碳化硅襯底全部達(dá)產(chǎn)。3月3日，高金富恒集團(tuán)和河口區(qū)人民政府的“碳化硅襯底片生產(chǎn)基地合作項(xiàng)目”正式簽約。

高金富恒集團(tuán)表示，未來幾年將發(fā)揮全集團(tuán)的優(yōu)勢(shì)資源，加大半導(dǎo)體新材料產(chǎn)業(yè)培育力度，不斷延伸碳化硅襯底片的上下游產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈。

碳化硅襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)能吃緊是全球性的問題。近幾年來，國(guó)內(nèi)企業(yè)也在大規(guī)模擴(kuò)充碳化硅襯底的產(chǎn)能，包括天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、露笑科技、三安光電、晶盛機(jī)電、東尼電子、科友半導(dǎo)體等眾多企業(yè)，總規(guī)劃產(chǎn)能的規(guī)模龐大，擴(kuò)產(chǎn)速度快，但實(shí)際上，良率問題才是關(guān)鍵，目前這一點(diǎn)，國(guó)內(nèi)外企業(yè)之間仍有較大差距，因此，國(guó)內(nèi)企業(yè)距離真正意義上的碳化硅襯底環(huán)節(jié)突破還有一段時(shí)間要走。（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Jenny整理）

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