中國電科：30臺套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨

近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體SiC外延設(shè)備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。截至目前，中國電科已累計出貨百余臺套，并在客戶現(xiàn)場穩(wěn)定運行。

據(jù)悉，SiC（碳化硅）外延設(shè)備是第三代半導(dǎo)體器件制造的核心關(guān)鍵設(shè)備之一。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC材料具有耐高溫、耐高壓和高導(dǎo)電性等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、航空航天等領(lǐng)域。然而，由于技術(shù)門檻高、設(shè)備復(fù)雜，SiC外延設(shè)備的研制和產(chǎn)業(yè)化一直是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的難題。

此次大規(guī)模發(fā)貨，將有力推動國內(nèi)SiC器件制造企業(yè)的產(chǎn)能提升和技術(shù)升級。隨著更多SiC外延設(shè)備投入使用，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)在材料制備環(huán)節(jié)將更加成熟，有助于降低碳化硅器件成本，提高產(chǎn)品性能，進而促進碳化硅在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

三安光電：湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)向維諦技術(shù)供貨

2月17日，三安光電在投資者互動平臺透露重要消息，湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已成功向維諦技術(shù)供貨，供貨金額達到千萬級別。此前三安光電與維諦技術(shù)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，維諦技術(shù)專注于數(shù)據(jù)中心液冷系統(tǒng)。此次成功供貨，不僅是雙方合作的重要成果，也標志著三安光電在碳化硅產(chǎn)品市場拓展上邁出堅實一步。

據(jù)悉，在碳化硅功率器件方面，三安光電成績斐然。針對工業(yè)級市場，湖南三安的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiCMOSFET已實現(xiàn)量產(chǎn)；面向車規(guī)級市場，車載充電機、空調(diào)壓縮機用SiCMOSFET已實現(xiàn)小批量出貨，主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在重點新能源汽車客戶處導(dǎo)入可靠性驗證。隨著供貨維諦技術(shù)，其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等領(lǐng)域的市場份額有望進一步擴大。

中瓷電子：國聯(lián)萬眾公司SiC?MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)

中瓷電子近期在碳化硅業(yè)務(wù)上也有新進展，其全資子公司國聯(lián)萬眾SiC MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，模塊產(chǎn)品目前處于小批量供貨階段。此前，國聯(lián)萬眾公司電驅(qū)用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功并交付客戶上車驗證，還有小批量銷售。

在電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品方面，中瓷電子產(chǎn)品主要面向比亞迪，其他客戶也在密切接觸、合作協(xié)商、送樣驗證等階段。據(jù)悉，中瓷電子目前相關(guān)產(chǎn)能正在建設(shè)中，已具備一定生產(chǎn)能力，預(yù)計今年底月產(chǎn)能達到5000片，2024年預(yù)計月產(chǎn)能在5000-10000片。

另外，該公司募投項目已進行初期投資，產(chǎn)能逐步建設(shè)，近兩年預(yù)期相關(guān)產(chǎn)品產(chǎn)能可被下游客戶消化。隨著芯片量產(chǎn)和模塊小批量供貨，中瓷電子在電動汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域有望獲得更多市場機會，進一步提升其在碳化硅功率器件市場的競爭力。（集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理）

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瞻芯電子再推3款車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子表示，公司開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片，具備業(yè)界較低的損耗水平，且驅(qū)動電壓為15V~18V，兼容性更好。

這3款產(chǎn)品導(dǎo)通電阻分別為25mΩ，40mΩ和60mΩ，且采用TO247-4封裝，可耐受-55°C ～175°C工作溫度，同時因TO247-4封裝具有開爾文源極引腳，而能顯著減小柵極驅(qū)動電壓尖峰。這3款產(chǎn)品的型號及主要參數(shù)如下表：

source：瞻芯電子

瞻芯電子指出，公司旗下第二代SiC MOSFET產(chǎn)品與工藝平臺是依托浙江瞻芯電子SiC晶圓廠開發(fā)的， 自2023年9月份發(fā)布第一款第二代SiC MOSFET產(chǎn)品以來，至今已有十幾款采用同代技術(shù)平臺的量產(chǎn)產(chǎn)品。瞻芯電子第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，對比上一代產(chǎn)品，通過優(yōu)化柵氧化層工藝和溝道設(shè)計，讓器件的比導(dǎo)通電阻降低約25%，能進一步降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率。

瞻芯電子采用TO247-4封裝的車規(guī)級第二代650V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，因其具備高速開關(guān)，且低損耗，以及良好的驅(qū)動兼容性等優(yōu)秀特性，而能為功率變換系統(tǒng)提供高頻、高效率的解決方案，主要適用于電機驅(qū)動、光伏逆變器、車載直流變換器（DC/DC）、車載充電機(OBC)和開關(guān)電源。

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。
蓉矽半導(dǎo)體指出，本次考核由第三方權(quán)威檢測機構(gòu)——廣電計量進行。

蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應(yīng)用場景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。

蓉矽半導(dǎo)體表示，現(xiàn)階段行業(yè)中，AEC-Q101只是車規(guī)的門檻，如何保證交給客戶的每一個批次、每一顆產(chǎn)品都是符合這個標準的才是考驗。蓉矽半導(dǎo)體正在用DFR設(shè)計理念，全供應(yīng)鏈管理體系，完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件。

蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續(xù)電流達75A。
產(chǎn)品特點如下：

·采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力；

·采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù)，充分降低柵極內(nèi)阻，提高器件在開關(guān)過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關(guān)損耗；

·采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù)，降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng)，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設(shè)置，降低封裝中的雜散電感；

· VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；

·在下圖中，A為外商產(chǎn)品，B為國內(nèi)廠商產(chǎn)品；所對比產(chǎn)品規(guī)格接近，封裝形式皆為TO-247-3L，驅(qū)動電壓采用各廠商推薦值，測試結(jié)果采用標準化處理且蓉矽產(chǎn)品為“1”。從對比結(jié)果可以看出，得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。

source：蓉矽半導(dǎo)體

蓉矽半導(dǎo)體SiC MOSFET應(yīng)用于新能源汽車OBC和直流充電樁模塊時，可有效減少器件數(shù)量、簡化系統(tǒng)、降低損耗、提高效率，推動提高充電速度、實現(xiàn)續(xù)航突破。

來源：瞻芯電子、蓉矽半導(dǎo)體

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資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)的企業(yè)，主打產(chǎn)品為碳化硅（SiC）MOSFET及模組等系列產(chǎn)品，可以應(yīng)用在光伏、新能源汽車、工業(yè)等領(lǐng)域。

成立至今，至信微電子已完成3輪融資，投資方包括深智城產(chǎn)投、揚子江基金、太和基金、正景資本、深圳高新投、思脈產(chǎn)融、金鼎資本、時代伯樂、紅碳科技等眾多機構(gòu)。其中，揚子江基金、金鼎資本分別參與至信微電子其中兩輪融資，太和基金則參與了至信微電子全部融資輪次，顯示了對該公司發(fā)展前景的信心。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

目前，SiC功率器件正在加速上車，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車的功率控制單元（PCU）、電機驅(qū)動系統(tǒng)逆變器（Inverter）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電系統(tǒng)（OBC）以及非車載充電樁等方面。

據(jù)悉，至信微電子也正在發(fā)力車規(guī)級SiC MOSFET賽道。今年3月24日，至信微電子和清華大學(xué)蘇州汽車研究院在蘇州吳江區(qū)正式簽約共建“碳化硅聯(lián)合研發(fā)中心”，旨在推動SiC技術(shù)在汽車電子領(lǐng)域的研究和運用，加速第三代半導(dǎo)體SiC在新能源車產(chǎn)線前端應(yīng)用的落地與定制開發(fā)。

值得一提的是，在2023年6月的“第二屆中國·南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇”上，至信微電子發(fā)布了主要應(yīng)用于電動汽車主驅(qū)模塊的1200v 16m? SiC MOSFET，該產(chǎn)品單位面積比導(dǎo)通電阻RSP達到2.8mΩ?cm2，躋身國際先進水平。

據(jù)介紹，至信微電子車規(guī)級SiC MOSFET已經(jīng)在國內(nèi)汽車客戶送樣測試通過。本輪融資完成，有助于至信微電子更好地將產(chǎn)品推向市場。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）

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據(jù)介紹，基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET芯片系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在品質(zhì)系數(shù)因子、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。同時，產(chǎn)品的封裝更為豐富，以更好滿足客戶需求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車電機控制器、車載電源、光伏逆變器、光儲一體機、充電樁、UPS及PFC電源等領(lǐng)域。

今年基本半導(dǎo)體還將推出更大導(dǎo)通電流、更低導(dǎo)通電阻以及更高耐壓的1200V/18mΩ 和2000V/24mΩ碳化硅MOSFET芯片系列產(chǎn)品，并開發(fā)了2000V/40A碳化硅二極管芯片進行配合使用。

基本半導(dǎo)體專為新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用設(shè)計開發(fā)了高低壓系列汽車級碳化硅MOSFET功率模塊，并在此次發(fā)布會上整體亮相，包括PcoreTM6汽車級HPD模塊（6芯片并聯(lián)、8芯片并聯(lián)）、PcoreTM2汽車級DCM模塊、PcoreTM1汽車級TPAK模塊、PcellTM汽車級模塊等。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

該系列汽車級功率模塊采用先進的有壓型銀燒結(jié)工藝、高性能銅線鍵合技術(shù)、銅排互連技術(shù)以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點。

為更好滿足工業(yè)客戶對于高功率密度的需求，基本半導(dǎo)體推出工業(yè)級全碳化硅MOSFET功率模塊PcoreTM2 E2B，該產(chǎn)品基于高性能6英寸晶圓平臺設(shè)計，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、抗誤導(dǎo)通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于大功率充電樁、燃料電池DCDC器、數(shù)據(jù)中心UPS、高頻DCDC變換器、高端電焊機、光伏逆變器等領(lǐng)域。

基本半導(dǎo)體針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出碳化硅及IGBT門極驅(qū)動芯片，可適應(yīng)不同的功率器件和終端應(yīng)用，新產(chǎn)品包括單、雙通道隔離驅(qū)動芯片和低邊驅(qū)動芯片，絕緣最大浪涌耐壓可達8000V，驅(qū)動峰值電流高達正負15A，可支持耐壓1700V以內(nèi)功率器件的門極驅(qū)動需求。產(chǎn)品可廣泛用于光伏儲能、新能源汽車、工業(yè)電源、商用空調(diào)等領(lǐng)域。

同時，基本半導(dǎo)體還推出6CP0215T12-B11、2CP0220T等系列即插即用碳化硅驅(qū)動器，以及2QP0535T、2QP/CP0225T等系列IGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品集成軟關(guān)斷、隔離DC/DC電源、原副邊欠壓保護和VCE短路保護等功能，可適配功率器件最高電壓2300V，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變器、風電變流器、電機傳動、大功率開關(guān)電源等領(lǐng)域。

據(jù)TrendForce集邦咨詢新推出《2023中國SiC功率半導(dǎo)體市場分析報告》顯示，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，中國的SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%。按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應(yīng)用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務(wù)，整體市場進入高度競爭階段。

作為一家專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的公司，為了搶占更多市場，基本半導(dǎo)體在SiC功率器件的開發(fā)以及生產(chǎn)方面下了大功夫。

基本半導(dǎo)體在去年9月完成C4輪融資之后，就往迭代SiC MOSFET產(chǎn)品和擴大產(chǎn)能方向一路疾馳。
2022年12月，基本半導(dǎo)體無錫汽車級碳化硅功率模塊產(chǎn)線實現(xiàn)全面量產(chǎn)，年產(chǎn)能達25萬只模塊，2025年將提升至150萬只。

今年4月，基本半導(dǎo)體坐落在深圳的車規(guī)級碳化硅芯片產(chǎn)線正式通線，該產(chǎn)線廠區(qū)具備年產(chǎn)1.8萬片6英寸碳化硅MOSFET晶圓的能力，二期計劃擴產(chǎn)至7.2萬片。按照1片6英寸晶圓能夠滿足7輛新能源汽車的碳化硅功率芯片需求估算，產(chǎn)線每年可保障約50萬輛新能源汽車的需求。

基本半導(dǎo)體推出以上新品SiC MOSFET可以視為對逐漸白熱化的市場的亮劍，對進一步推進國內(nèi)生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET起到了積極作用。（文：集邦化合物半導(dǎo)體）

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9月20日，江蘇中科漢韻半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱“中科漢韻”）官方公眾號發(fā)文稱，公司已成功交付超500片車規(guī)級 SiC MOSFET 晶圓。該產(chǎn)品包括1200V/17mohm、750V/13mohm兩種型號產(chǎn)品，主要應(yīng)用于電動汽車的主驅(qū)系統(tǒng)。

據(jù)悉，2022年開始，中科漢韻同客戶圍繞著SiC MOSFET在電動汽車主驅(qū)上的應(yīng)用需求進行交流和討論。

經(jīng)過了工程批工藝開發(fā)、工藝平臺逐步穩(wěn)定、小批量交付客戶、器件參數(shù)穩(wěn)定以及客戶模塊參數(shù)驗證和模塊產(chǎn)品可靠性驗證等一系列的驗證后，中科漢韻于今年開始批量交付車規(guī)級SiC MOSFET晶圓產(chǎn)品，良率達到70%以上。

目前，中科漢韻交付的產(chǎn)品符合車用終端客戶的驗收和使用標準，并在后續(xù)的近百天的極端天氣測試（地表溫度達到了70攝氏度）中，無不良反饋。

江蘇中科漢韻半導(dǎo)體有限公司坐落于徐州經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，于 2019 年注冊成立，由中國科學(xué)院微電子研究所和徐州中科芯韻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金共同投資的半導(dǎo)體芯片設(shè)計和制造企業(yè)。

中科漢韻聚焦于第 3 代半導(dǎo)體SiC MOSFET 芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售, 同時設(shè)計和生產(chǎn)與之相配的 SiC 二極管（JBS），芯片生產(chǎn)在自己工廠完成，2021年5月SiC功率器件項目正式通線。該公司產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于電動汽車、數(shù)據(jù)中心、機器人等新基建領(lǐng)域。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，2023年上半年新能源車（NEV；包含純電動車、插電混合式電動車、氫燃料電池車）銷售總量為546.2萬輛，年增33.6%。其中，第二季新能源車銷量為303萬輛，年增42.8%，占第二季整體汽車銷量的14.4%，對2023上半年的銷量成長貢獻大。

（化合物半導(dǎo)體市場Morty整理）

而在汽車電動化趨勢下，碳化硅功率器件市場需求龐大。

目前SiC功率元件市場主要由歐美日IDM大廠掌控，關(guān)鍵供貨商STM、ON Semi、Wolfspeed、Infineon以及ROHM在此領(lǐng)域深耕已久，并開始在關(guān)鍵汽車市場展開激烈競爭。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查與分析，隨著越來越多車企開始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車用SiC功率元件市場規(guī)模將達到10.7億美元，至2026年將攀升至39.4億美元。

圖片來源：TrendForce集邦咨詢

近日，羅姆（ROHM）和意法半導(dǎo)體（ST）都公布了其SiC MOSFET產(chǎn)品“上車”新動態(tài)。

羅姆第4代SiC MOSFET用于日立Astemo

12月13日，羅姆第4代SiC MOSFET及柵極驅(qū)動IC已被日本汽車零部件日立Astemo株式會社用于電動汽車逆變器。

最新的第4代SiC MOSFET是通過縮短從短路到損壞的時間來實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻的器件。搭載于車載逆變器時，為延長電動汽車的續(xù)航里程做出了巨大貢獻。

公司將從今年12月開始量產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體，主要用于逆變器應(yīng)用。

羅姆計劃到2025財年（截至2026年3月）最高向碳化硅功率半導(dǎo)體投資2200億日元——這使羅姆的投資額增加到了2021年時計劃的4倍。

據(jù)悉，2022年春，羅姆在福岡縣筑后市設(shè)立了公司的碳化硅半導(dǎo)體主力基地——羅姆阿波羅筑后工廠，這也是日本國內(nèi)企業(yè)首次建設(shè)的碳化硅功率半導(dǎo)體專用新廠房，承擔著完成羅姆2025財年碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)目標的重任。

ROHM的逆變器計劃從2025年開始，以日本汽車制造商為首，陸續(xù)向國內(nèi)外汽車制造商供貨。

日立Astemo成立于2021年初，是日立與本田汽車（收購日本京濱、昭和電機和日信工業(yè)）的合資企業(yè)。日立Astemo長期推動汽車用電機和逆變器尖端技術(shù)的開發(fā)，已經(jīng)有多項EV供應(yīng)記錄，供應(yīng)正在加速。

今年9月，日立安斯泰莫（Astemo）獲得本田汽車的SiC 電驅(qū)系統(tǒng)（e-Axle）訂單，預(yù)計2026年實現(xiàn)供貨，應(yīng)用到本田面向全球展開的中大型純電動汽車上。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

起亞將搭載意法半導(dǎo)體第3代SiC碳化硅功率模塊

近日，意法半導(dǎo)體推出5款全新基于旗下第3代STPOWER SiC MOSFET碳化硅晶體管技術(shù)的功率模塊，產(chǎn)品可替汽車制造商提供一系列彈性的功率模塊方案，來對應(yīng)不同車型需求的工作電壓。

采用E-GMP平臺的起亞EV6，確認會采用此一第3代SiC碳化硅功率模塊。現(xiàn)代-起亞集團逆變器工程設(shè)計團隊Sang-Cheol Shin先生指出，最主要是意法半導(dǎo)體的第 3 代 C 碳化硅功率模塊，可讓動力馬達的Inverter逆變器的轉(zhuǎn)換與運作效率更佳，帶來更加的動力表現(xiàn)、以及續(xù)航里程。

現(xiàn)代-起亞集團的E-GMP平臺，采用800V高電壓架構(gòu)，并同時支持400V與800V雙規(guī)快充規(guī)格，800V架構(gòu)的優(yōu)勢、在于能以高電壓讓車輛支援較大的充電功率。

E-GMP平臺車款能支援最大240kW的充電功率，最快可在18分鐘完成10%~80%的充電。此外，E-GMP平臺更具有模塊化與大空間等優(yōu)勢，目前已大量用在現(xiàn)代Ioniq 5與Ioniq 6、起亞EV6、以及即將推出的7座起亞EV9休旅車款。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）

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