source：Siegtronics
據悉，氧化鎵是一種寬帶隙（WBG）材料，與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）相比，具有更寬帶隙和更高的臨界擊穿場強。它克服了現有產品的缺點——低擊穿電壓（VB）和高漏電流（IL），實現了差異化的高壓、大電流、耐高溫、高效率應用，在電動汽車的電源轉換器、電驅和逆變器等領域應用備受關注。
氧化鎵普遍被業(yè)界認為是“第四代半導體”材料，目前以美國、中國、日本為代表的相關企業(yè)和機構正對其開展研發(fā)工作。
但與其他寬帶隙材料相比，相關研發(fā)（R&D）程度較低，尚未達到全面商業(yè)化階段。因此，全球許多半導體相關機構和公司都在努力搶占氧化鎵市場。
Siegtronics表示，公司通過“開發(fā)具有低缺陷特性的高級氧化鎵外延材料和擊穿電壓為1kV或更高的功率器件技術”項目，成功研制出了韓國首個1200V級氧化鎵SBD。
需要注意的是，氧化鎵通過最大限度地降低半導體器件的漏電流和導通電阻，不僅有望應用于普通家電和IT設備的逆變器和轉換器，還有望應用于電動汽車充電模塊、國防、航空航天領域，為實現器件功耗的小型化、微型化和輕量化做出貢獻。（集邦化合物半導體Rick編譯）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。
]]>