據(jù)了解，今年1月11日，瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議，瑞薩電子將以約3.39億美元（折合人民幣24.6億元）的價(jià)格收購(gòu)Transphorm。

source：拍信網(wǎng)

資料顯示，Transphorm是一家全球領(lǐng)先的GaN功率半導(dǎo)體供應(yīng)商，專注于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的GaN半導(dǎo)體功率器件。該公司在GaN領(lǐng)域擁有豐富的技術(shù)積累和創(chuàng)新能力，其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于多個(gè)市場(chǎng)領(lǐng)域，包括基礎(chǔ)設(shè)施和IT、消費(fèi)和計(jì)算、泛工業(yè)領(lǐng)域、汽車以及5G等。

瑞薩電子此前表示，收購(gòu)Transphorm將為瑞薩帶來GaN的內(nèi)部技術(shù)，瑞薩將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案，例如用于電動(dòng)汽車的X-in-1動(dòng)力總成解決方案，以及面向計(jì)算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。

目前，瑞薩電子已成為世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一。Transphorm被瑞薩電子收購(gòu)后，借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源，有望推出更多契合市場(chǎng)和用戶需求的GaN產(chǎn)品，進(jìn)而更好地拓展業(yè)務(wù)。

據(jù)悉，在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，此次收購(gòu)事件是繼2023年3月英飛凌斥資8.3億美元（折合人民幣約60.3億元）收購(gòu)GaN Systems之后的又一項(xiàng)重要并購(gòu)案。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款新的器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對(duì)即可提供整體適配器解決方案。

值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應(yīng)OCP補(bǔ)償和自適應(yīng)綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡(jiǎn)的設(shè)計(jì)方案，更快地設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

source：transphorm

偉詮電子市場(chǎng)推廣副總裁羅汶光表示：“基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)并采用整體封裝解決方案，可以為從30W低功率USB-C PD電源適配器到功率接近200W的充電器在內(nèi)的各種裝置提供更易設(shè)計(jì)的高性能電源?！?/p>

Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項(xiàng)。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時(shí)間內(nèi)可設(shè)計(jì)出產(chǎn)品?！?/p>

據(jù)了解，自2023年以來，偉詮電子和Transphom已經(jīng)聯(lián)合推出了三款GaN封裝器件。Transphorm為偉詮電子在GaN快充的長(zhǎng)期合作伙伴，雙方在GaN系統(tǒng)級(jí)封裝布局完整。

為布局電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心、AI及再生能源等成長(zhǎng)性市場(chǎng)，強(qiáng)化在GaN產(chǎn)品線的布局，日本IDM大廠瑞薩于今年1月宣布收購(gòu)Transphorm。據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，隨著Transphorm被瑞薩收購(gòu)，偉詮電子有望打入瑞薩供應(yīng)鏈。

報(bào)道指出，日本供應(yīng)鏈由于相對(duì)其他市場(chǎng)較難攻入，因此后續(xù)偉詮電子若能與瑞薩展開合作，將有助于偉詮電子拓展日本市場(chǎng)，甚至有機(jī)會(huì)展開車用、服務(wù)器及其他領(lǐng)域的新合作。

前不久，偉詮電子公布3月合并營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣2.30億元（折合人民幣約0.51億元）、同比增長(zhǎng)3.65％；第一季度累計(jì)營(yíng)收新臺(tái)幣6.65億元（折合人民幣約1.48億元），同比增長(zhǎng)18.56%。（集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理）

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source：瑞薩電子

瑞薩電子表示，此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù)，瑞薩將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案，例如用于電動(dòng)汽車的X-in-1動(dòng)力總成解決方案，以及面向計(jì)算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。

資料顯示，Transphorm是美國(guó)一家GaN功率器件生產(chǎn)商，致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的GaN半導(dǎo)體功率器件。在車用領(lǐng)域，Transphorm的GaN產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)最早通過車規(guī)級(jí)認(rèn)證，擁有豐富的產(chǎn)品系列。

Transphorm此前在2023年第3季財(cái)報(bào)會(huì)議上便表示有整并或出售計(jì)劃，公司在2022年全球GaN功率器件廠商營(yíng)收排名第6。瑞薩電子則在這兩年開始大規(guī)模投資寬禁帶半導(dǎo)體，SiC方面已經(jīng)和Wolfspeed簽訂了長(zhǎng)期的材料供應(yīng)協(xié)議，并計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體，GaN方面此前曾與GaN Systems聯(lián)手開發(fā)電動(dòng)車DC-DC轉(zhuǎn)換器。

近年來，GaN技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造中得到廣泛應(yīng)用，發(fā)展?jié)摿^大。為迎合不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，Transphorm近期頻頻推出各種GaN產(chǎn)品。

2023年11月，Transphorm宣布推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場(chǎng)上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動(dòng)態(tài)（開關(guān)）導(dǎo)通電阻可靠性。

同在11月，Transphorm和Allegro MicroSystems宣布合作，聯(lián)合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，借此擴(kuò)展GaN電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)在高功率應(yīng)用范圍。

11月底，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。該新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。

目前，瑞薩電子已成為世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一，被瑞薩電子收購(gòu)后，借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源，Transphorm有望推出更多契合市場(chǎng)和用戶需求的GaN產(chǎn)品，進(jìn)而更好地拓展業(yè)務(wù)。

同時(shí)，Transphorm的GaN晶圓來源于同在日本會(huì)津的AFSW工廠，該晶圓廠是Transphorm與富士通半導(dǎo)體在2013年合資建設(shè)的子公司，是全球首屈一指的高質(zhì)量、可靠的高壓 GaN 功率半導(dǎo)體晶圓制造工廠。2021年，Transphorm聯(lián)合JCP Capital完成了對(duì)AFSW晶圓廠的100%股權(quán)收購(gòu)。因此，這也是助力此次收購(gòu)案的另一大重要原因。

值得一提的是，2023年3月，英飛凌宣布擬以現(xiàn)金8.3億美金（約合人民幣57.27億元）收購(gòu)GaN Systems。GaN Systems是全球GaN主力軍之一，尤其是在車用GaN領(lǐng)域，該公司屬于先行者。該事件交易金額約為瑞薩電子收購(gòu)Transphorm的2.4倍，也曾在業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac、Matt整理）

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11月30日，Nexperia宣布推出其首款SiC MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。

NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝選擇。此次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動(dòng)汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應(yīng)用對(duì)高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高級(jí)總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機(jī)希望這兩款首發(fā)產(chǎn)品可以激發(fā)更多的創(chuàng)新，推動(dòng)市場(chǎng)涌現(xiàn)更多功率器件供應(yīng)商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件的多個(gè)參數(shù)性能均超越同類產(chǎn)品，例如極高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴(yán)格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導(dǎo)通。這是我們與三菱電機(jī)承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開篇之作。毫無(wú)疑問，在未來幾年里，我們將共同推動(dòng)SiC器件性能的發(fā)展?！?/p>

來源：安世半導(dǎo)體

Transphorm推出頂部散熱型TOLT封裝FET器件

近日，Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。

source：Transphorm

新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐，為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。

針對(duì)不適合使用傳統(tǒng)底部散熱型表貼器件的系統(tǒng)，TOLT封裝為客戶提供了更為靈活的熱管理方案。采用TOLT封裝，不僅熱性能可媲美廣泛使用的、熱性能穩(wěn)定的TO-247插孔封裝，還具有基于SMD的印刷電路板組裝（PCBA）實(shí)現(xiàn)高效制造流程的額外優(yōu)勢(shì)。

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 高性能 650V 常閉型 d-mode GaN平臺(tái)，該平臺(tái)具有更低的柵極電荷、輸出電容、交叉損耗、反向恢復(fù)電荷和動(dòng)態(tài)電阻，從而效率優(yōu)于硅、SiC和其他GaN產(chǎn)品。SuperGaN 平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)與 TOLT 封裝更好的散熱性及系統(tǒng)組裝靈活性相結(jié)合，為尋求推出具有更高功率密度和效率、總體功率系統(tǒng)成本更低的電源系統(tǒng)客戶提供了高性能、高可靠性的GaN解決方案。

來源：Transphorm

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET

11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通電阻標(biāo)稱1Ω，主要用于各類輔助電源，在新能源汽車、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域有廣泛需要，現(xiàn)已通過多家知名客戶評(píng)估測(cè)試，逐步批量交付應(yīng)用。

IV2Q171R0D7Z是瞻芯電子的第二代SiC MOSFET中1700V平臺(tái)的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)為15~18V，室溫下導(dǎo)通電流為6.3A。該產(chǎn)品采用車規(guī)級(jí)TO263-7貼片封裝，對(duì)比插件封裝，體積更小，阻抗更低，安裝更簡(jiǎn)便，且有開爾文柵極引腳。因此該產(chǎn)品特別適合高電壓、小電流、低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景。

來源：瞻芯電子

平創(chuàng)半導(dǎo)體推出1200V/1700V PC62封裝SiC模塊

11月28日，平創(chuàng)半導(dǎo)體推出了應(yīng)用于新能源變流器的PC62封裝SiC模塊，涵蓋1700V/1200V系列產(chǎn)品。

source:平創(chuàng)半導(dǎo)體

據(jù)介紹，PC62封裝SiC MOSFET半橋模塊采用平創(chuàng)半導(dǎo)體自研碳化硅芯片，模塊在VGS（th）、RDS（on）漂移和柵氧可靠性方面得到了明顯改善。此外，芯片對(duì)稱結(jié)構(gòu)布局、Clip互連工藝大幅提升了模塊載流能力，降低了寄生電感。

據(jù)悉，平創(chuàng)半導(dǎo)體是一家專注于功率半導(dǎo)體器件及創(chuàng)新解決方案的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，公司主要產(chǎn)品為650V-3300V SiC二極管和1200V/1700V SiC MOSFET器件與模塊、硅基光伏二極管與模塊 (TO裝、R6封裝、定制化光伏模塊)，小信號(hào)器件、中低壓MOS、高性能工業(yè)控制及車規(guī)級(jí)功率器件與模塊(650V/1200V/1700VIGBT、FRD系列)，相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域，服務(wù)客戶包含華潤(rùn)微電子、晶科能源、國(guó)家電網(wǎng)、松下電器、隆鑫通用等明星企業(yè)。

來源：平創(chuàng)半導(dǎo)體

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據(jù)介紹，Transphorm的SuperGaN FET設(shè)計(jì)可用于在各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，并可提供多種樣式的封裝，能夠支持寬功率范圍，同時(shí)滿足不同的終端應(yīng)用要求。SuperGaN FET用于包括更高功率的系統(tǒng)在內(nèi)的多種商業(yè)產(chǎn)品，事實(shí)證明它們可以顯著提高可靠性、功率密度和效率。

而Allegro的自供電、單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)IC針對(duì)在多種應(yīng)用和電路中驅(qū)動(dòng)GaN FET進(jìn)行了優(yōu)化。與同類柵極驅(qū)動(dòng)器相比，AHV85110的驅(qū)動(dòng)器效率高出了50%。與市場(chǎng)上其他解決方案相比，其噪聲和共模電容分別降為1/10和1/15，并且這種特定的解決方案大大簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

“Allegro的AHV85110高壓柵極驅(qū)動(dòng)器擁有高度緊湊的結(jié)構(gòu)且高效的功率，從而實(shí)現(xiàn)減少約30%占地面積，同時(shí)減少外部元件的數(shù)量和對(duì)Transphorm電源設(shè)備的偏置電源要求?！盩ransphorm全球銷售和FAE副總裁Tushar Dhayagude說道，“在競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)方面，SuperGaN具有最可靠和卓越的動(dòng)態(tài)開關(guān)性能，生成一個(gè)更高效、更高能的解決方案，并應(yīng)用于服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、新能源電動(dòng)汽車等更高功率密度的場(chǎng)景?！?/p>

Allegro MicroSystems副總裁兼高壓電源總經(jīng)理Vijay Mangtani表示：“我們很高興與Transphorm開展合作，進(jìn)一步支持 Allegro幫助客戶優(yōu)化有關(guān)GaN的系統(tǒng)開發(fā)和設(shè)計(jì)?！薄拔覀兤诖袡C(jī)會(huì)將我們的高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器 AHV85110與Transphorm的SuperGaN FET相結(jié)合，以更小的外觀尺寸擁有更高的功率密度、更高的效率和更高的功率輸出，并為我們和 Transphorm的客戶帶來收益。”（化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Morty編譯）

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source:Transphorm

據(jù)介紹，這三款表面貼裝型器件(SMD)可支持平均運(yùn)行功率范圍為1至3千瓦的較高功率應(yīng)用，這樣的電力系統(tǒng)常用于高性能領(lǐng)域，如計(jì)算（人工智能、服務(wù)器、電信、數(shù)據(jù)中心）、能源和工業(yè)（光伏逆變器、伺服電機(jī)）以及其他廣泛的工業(yè)市場(chǎng)。值得關(guān)注的是，該新型功率器件是目前快速發(fā)展的人工智能(AI)系統(tǒng)最佳解決方案，AI系統(tǒng)依賴于GPU，而GPU的功耗是傳統(tǒng)CPU的10到15倍。
該650V SuperGaN TOLL 封裝器件性能穩(wěn)健，且已獲得JEDEC資格認(rèn)證。由于常閉型d-mode平臺(tái)是將GaN HEMT與低電壓硅管配對(duì)，因此，SuperGaN FET 可以簡(jiǎn)單的選擇使用常用市售柵極驅(qū)動(dòng)，應(yīng)用于各種軟/硬開關(guān)的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 拓?fù)渲校岣吖β拭芏?，同時(shí)減小系統(tǒng)尺寸、重量和總成本。

source:Transphorm

目前，各種高性能領(lǐng)域的主流客戶開始采用Transphorm的高功率氮化鎵器件，為其高性能系統(tǒng)提供電力支持，應(yīng)用領(lǐng)域包括數(shù)據(jù)中心電源、高功率電競(jìng)PSU、UPS和微型逆變器等。在核心SuperGaN芯片通過汽車行業(yè)(AEC-Q101)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證后，新型TOLL封裝器件也能夠用于電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器應(yīng)用。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示，全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金，復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

許多廠商早已將目光轉(zhuǎn)向工業(yè)市場(chǎng)，其中數(shù)據(jù)中心為關(guān)鍵場(chǎng)景。ChatGPT已掀起AI云端服務(wù)器建置浪潮，GaN將助力數(shù)據(jù)中心降低運(yùn)營(yíng)成本，并提高服務(wù)器運(yùn)行效率。

與此同時(shí)，汽車市場(chǎng)亦不容忽視，OEM與Tier1早已察覺GaN潛力所在，預(yù)計(jì)至2025年左右，GaN將小批量地滲透到低功率OBC和DC-DC中，再遠(yuǎn)到2030年，OEM或考慮將該技術(shù)移入到牽引逆變器。
對(duì)于市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局，以去年GaN功率元件業(yè)務(wù)營(yíng)收來看，市場(chǎng)基本由Power integrations、Navitas、英諾賽科、EPC、GaN Systems、Transphorm所占據(jù)。近期，Infineon完成了對(duì)GaN Systems的收購(gòu)，這對(duì)目前市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局有何影響，還得看后續(xù)企業(yè)動(dòng)作。

化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)Rick整理

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