據(jù)外媒報(bào)道，納微半導(dǎo)體正計(jì)劃在歐洲和美國擴(kuò)大其氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的生產(chǎn)能力，以減少對(duì)臺(tái)廠的依賴。
據(jù)悉，納微目前的SiC及GaN分別由X-Fab和臺(tái)積電代工，其中，SiC器件在X-Fab的美國德州（Lubbock, Texas）工廠生產(chǎn)，GaN在臺(tái)積電的臺(tái)北新竹二廠生產(chǎn)，采用的是500nm工藝設(shè)備。
外媒稱，在上周發(fā)布GaNSafe?技術(shù)之后，納微透露了計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)這個(gè)消息。具體而言，納微正在尋找新的晶圓代工合作伙伴來生產(chǎn)SiC/GaN芯片。
納微副總裁Stephen Oliver 透露，公司不希望增加固定成本，所以最有可能是與現(xiàn)有晶圓代工廠合作，但其也提到需要真正前沿的人才。
納微保證，未來GaN產(chǎn)能將是2022年其在臺(tái)積電產(chǎn)能的3倍，SiC產(chǎn)能將是2022年在X-Fab產(chǎn)能的5倍。
除此之外，納微也在尋求與模塊廠就GaNSafe?技術(shù)達(dá)成合作，根據(jù)Oliver透露，納微后續(xù)將開始向模塊廠銷售芯片。
據(jù)了解，納微于9月6日正式發(fā)布GaNSafe?功率平臺(tái)，借此正式吹響GaN進(jìn)軍數(shù)據(jù)中心、太陽能/儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車市場(chǎng)等要求苛刻的高功率應(yīng)用場(chǎng)景的號(hào)角。（文：集邦化合物半導(dǎo)體Jenny編譯）
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