昨日(10月31日),總投資300億元的重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園在璧山國家高新區(qū)正式開工建設(shè)。
據(jù)了解,今年6月中旬,康佳集團(tuán)發(fā)布公告宣布與重慶市璧山區(qū)人民政府簽署了《合作框架協(xié)議》和《工業(yè)項目投資合同》 。
合作協(xié)議約定康佳集團(tuán)擬在重慶市璧山區(qū)建設(shè)重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園,力爭重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園項目在璧山區(qū)總投資達(dá)到300億元,其中一期投資75億元。
8月26日,康佳集團(tuán)與重慶市璧山高新區(qū)在2019智博會重大項目現(xiàn)場集中簽約儀式上正式簽約,宣布將投資300億元建設(shè)康佳集團(tuán)重慶半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園。
據(jù)悉,該產(chǎn)業(yè)園項目瞄準(zhǔn)Micro LED等新型顯示技術(shù)。項目計劃分三期建設(shè):其中,一期將建設(shè)新一代移動顯示設(shè)備、無屏顯示光機(jī)、智能控制系統(tǒng)解決方案、Micro LED項目;二期建設(shè)光電產(chǎn)業(yè)研究院、Micro LED下一代顯示技術(shù)項目;三期建設(shè)Micro LED顯示屏及終端產(chǎn)品、投影電視及配件、相關(guān)家電產(chǎn)品等項目。
昨日,重慶康佳半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園正式動工。據(jù)康佳集團(tuán)總裁周彬介紹,該產(chǎn)業(yè)園項目占地266.8畝,總建筑面積約21.35萬平方米,一期將建立光電研究院及試產(chǎn)線,二期將建立光電產(chǎn)業(yè)基地,預(yù)計項目滿產(chǎn)后將形成一個超過千億元規(guī)模及全球領(lǐng)先的光電技術(shù)中心。
同時,重慶康佳光電技術(shù)研究院在璧山CBD揭牌成立。雙方將以重慶康佳光電技術(shù)研究院為核心,帶動上游原材料、零部件、設(shè)備制造、新一代顯示及消費應(yīng)用產(chǎn)品等相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,打造完整生態(tài)鏈。
值得注意的是,9月17日,康佳集團(tuán)宣布擬出資15億元與重慶兩山產(chǎn)業(yè)投資有限公司合資成立重慶康佳半導(dǎo)體光電研究院,注冊資本為20 億元。同時,以該研究院為主體投資不超過25.50億元采購Micro LED相關(guān)的機(jī)器設(shè)備,開展Micro LED相關(guān)的產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
另外,“未來之境”康佳APHAEA未來屏全球發(fā)布會也于昨日在重慶悅來國際會議中心召開,康佳APHAEA未來屏系列產(chǎn)品正式發(fā)布并首次亮相。
發(fā)布會上,康佳推出Micro LED電視Smart Wall,Smart Wall使用超過一億顆Micro LED芯片,可實現(xiàn)2000 nits的超高亮度,10,000,000:1的超高對比度以及147%的超廣色域。
這一系列大動作表明了康佳正在大力投入5G、半導(dǎo)體、物聯(lián)網(wǎng)、新一代顯示技術(shù)等自主創(chuàng)新領(lǐng)域。
隨著超高清視頻產(chǎn)業(yè)時代、智能物聯(lián)網(wǎng)時代及5G通訊時代等的來臨,Micro LED等新型顯示技術(shù)成為眾多廠商追求的目標(biāo),近年來加入布局的玩家有增無減,共同推動Micro LED技術(shù)的發(fā)展。雖然實現(xiàn)Micro LED的商業(yè)化仍需克服許多技術(shù)和成本挑戰(zhàn),但從相關(guān)領(lǐng)先廠商的開發(fā)進(jìn)展來看,Micro LED大規(guī)模量產(chǎn)的時間并不遠(yuǎn)。
LEDinside最新研究報告《2019 Micro LED次世代顯示關(guān)鍵技術(shù)報告》顯示,Micro LED技術(shù)雖面臨眾多的挑戰(zhàn),但對比兩年前,目前的技術(shù)進(jìn)展已經(jīng)進(jìn)步許多,早期的專利技術(shù)已經(jīng)有實體樣品展示機(jī)的出現(xiàn),未來Micro LED商品化的時程將隨著Micro LED技術(shù)的成熟而加快。
在昨日的發(fā)布會上,康佳就邀請了2014年諾貝爾物理學(xué)獎得主中村修二先生來發(fā)表對于Micro LED 顯示器前景的看法以及目前該實驗室的技術(shù)進(jìn)展。
中村先生表示,要實現(xiàn)全彩化的Micro LED顯示器,需要紅,藍(lán),綠三色LED的搭配,但是紅光LED屬于AllGaP材料,有別于藍(lán)綠光的InGaN材料,生產(chǎn)難度與效率都偏低。同時,電流驅(qū)動不同的材料上也有很多挑戰(zhàn)。因此,在InGaN材料上生長紅光LED方面,該研究團(tuán)隊正在進(jìn)行研發(fā),并取得了初步成果。
此外,Micro LED的各種特性指標(biāo)都遠(yuǎn)勝OLED,然而急需克服的就是成本的挑戰(zhàn)。而為了降低成本,在微縮LED芯片尺寸的過程中,也會導(dǎo)致LED效率的同步下降。目前該研究團(tuán)隊已經(jīng)開發(fā)出10μm芯片大小,EOE效率達(dá)到42%的全球領(lǐng)先指標(biāo)。
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