Author Archives: chen, janice

瑞薩電子計劃2025年量產(chǎn)SiC功率器件
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 19 日 17:52 | 分類 碳化硅SiC
根據(jù)外媒報道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩電子日前宣布，將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。按照計劃，瑞薩電子擬在目前生產(chǎn)硅基功率半導(dǎo)體的群馬縣高崎工廠實(shí)現(xiàn)SiC功率器件的量產(chǎn)，但具體投資金額和生產(chǎn)規(guī)模尚未確定。 相較于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體，SiC等第三代...  [詳內(nèi)文]

金剛石功率器件要來了！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 18 日 18:28 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
外媒15日消息，日本精密零部件制造商Orbray與車載半導(dǎo)體研究公司Mirise Technologies（日本電裝與豐田合成于2020年聯(lián)合成立的合資公司）已經(jīng)達(dá)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，將聯(lián)合開發(fā)垂直結(jié)構(gòu)金剛石功率器件。 據(jù)悉，合作項(xiàng)目為期3年，Orbray和Mirise將利用各自在...  [詳內(nèi)文]

又一國產(chǎn)企業(yè)成功研制8英寸SiC襯底！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 15 日 17:30 | 分類 碳化硅SiC
5月12日，杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“乾晶半導(dǎo)體”）宣布，在大尺寸碳化硅單晶生長及其襯底制備方面取得突破：采用多段式電阻加熱的物理氣相傳輸（PVT）法生長了厚度達(dá)27mm的8英寸n型SiC單晶錠，并加工獲得了8英寸SiC襯底片。 資料顯示，乾晶半導(dǎo)體成立于2020年7月，...  [詳內(nèi)文]

開關(guān)損耗比SiC模塊降低66%！三菱電機(jī)全新模塊樣品將出貨
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 12 日 17:30 | 分類 碳化硅SiC
今年以來，海內(nèi)外廠商活躍于各大電力電子相關(guān)的展會，并陸續(xù)發(fā)布了新的SiC技術(shù)、產(chǎn)品、解決方案或參考設(shè)計，技術(shù)水平和產(chǎn)品性能都進(jìn)一步得到改善和升級。 其中，三菱電機(jī)開發(fā)了一款新型的SBD嵌入式的SiC MOSFET模塊FMF800DC-66BEW，具備雙型3.3kV耐受電壓及6.0...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科進(jìn)軍高壓高功率市場，最新成果發(fā)布！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 11 日 17:29 | 分類 氮化鎵GaN
近日，海內(nèi)外諸多SiC、GaN廠商發(fā)布新品新技術(shù)。據(jù)化合物半導(dǎo)體市場不完全統(tǒng)計，安森美、英飛凌、安世半導(dǎo)體、英諾賽科、納微半導(dǎo)體、Transphorm、EPC、CGD等都發(fā)布了GaN或SiC最新開發(fā)成果，性能升級，應(yīng)用范圍也進(jìn)一步拓寬。其中，英諾賽科便發(fā)布了聯(lián)合研究成果，為進(jìn)軍高...  [詳內(nèi)文]

三安、英諾賽科、納微等云集，PCIM 2023亮點(diǎn)搶先看！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 05 月 11 日 16:11 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
5月9日，聚焦電力電子、智能運(yùn)動、可再生能源及能源管理的2023德國紐倫堡電力電子展PCIM Europe開幕（5/9-11），海內(nèi)外SiC/GaN第三代半導(dǎo)體廠商匯聚一堂，以最新的技術(shù)和產(chǎn)品，向市場展示了SiC、GaN在電動汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏儲能、通信基站、工業(yè)自動化等高壓高...  [詳內(nèi)文]

安森美宣布與極氪簽訂碳化硅長期供貨協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 26 日 17:30 | 分類 碳化硅SiC
今日早間，安森美（onsemi）宣布與極氪智能科技（ZEEKR）簽訂了長期供貨協(xié)議，將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件。 據(jù)介紹，安森美的EliteSiC碳化硅功率器件能夠提供更高的功率和熱能效，從而減小電動汽車主驅(qū)逆變器的尺寸與重量，并加快充電速度，提高續(xù)航里...  [詳內(nèi)文]

10億加碼SiC！揚(yáng)杰科技擬建6英寸晶圓產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 21 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
20日晚間，揚(yáng)杰科技發(fā)布公告宣布，擬投資10億元在江蘇揚(yáng)州建設(shè)6英寸碳化硅晶圓產(chǎn)線，未來還將進(jìn)一步布局6-8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線建設(shè)，這一定程度上意味著揚(yáng)杰科技在SiC產(chǎn)業(yè)鏈的經(jīng)營模式有可能逐漸從Fabless往IDM模式靠近，進(jìn)一步加速其SiC業(yè)務(wù)的拓展和規(guī)模的擴(kuò)大。 2015年...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)12萬片！溫州首家5G射頻濾波器晶圓廠即將誕生
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 20 日 17:49 | 分類 產(chǎn)業(yè)
據(jù)溫州日報日前報道，由星曜半導(dǎo)體主導(dǎo)的年產(chǎn)12萬片5G射頻濾波器硅基晶圓片項(xiàng)目簽約落戶溫州灣新區(qū)，標(biāo)志著溫州首家晶圓廠即將誕生，也是星曜半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)射頻濾波器芯片從自主設(shè)計到自主生產(chǎn)的重要一環(huán)。 浙江星曜半導(dǎo)體有限公司成立于2022年1月，前身是浙江信唐智芯科技有限公司，總部坐落在...  [詳內(nèi)文]

華為正式發(fā)布SiC電驅(qū)平臺
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 19 日 17:52 | 分類 碳化硅SiC
4月17日，華為官方公布消息，在本屆上海國際汽車工業(yè)展覽會同期（4/18-27），華為舉辦了智能電動新品發(fā)布會，并發(fā)布了聚焦動力域的“DriveONE新一代超融合黃金動力平臺”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。 搭載SiC，華為打造高效高壓電驅(qū)平臺 其中，Drive...  [詳內(nèi)文]