乾照光電擬約16億投建VCSEL、高端LED芯片等項(xiàng)目

作者 | 發(fā)布日期 2018 年 11 月 08 日 9:05 | 分類(lèi) 產(chǎn)業(yè)

昨(7)日晚間,乾照光電發(fā)布公告稱(chēng),為充分發(fā)揮公司已有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、設(shè)備優(yōu)勢(shì)、工藝優(yōu)勢(shì),提升產(chǎn)品結(jié)構(gòu),加快實(shí)現(xiàn)科技成果的轉(zhuǎn)化,公司擬出資159,670.49萬(wàn)元建設(shè)VCSEL、高端LED芯片等半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目,其中銀行貸款85,096.20萬(wàn)元,其余由公司以其他方式自籌出資,該項(xiàng)目由公司全資子公司廈門(mén)乾照半導(dǎo)體科技有限公司負(fù)責(zé)承辦。

據(jù)公告顯示,項(xiàng)目安排在2018年啟動(dòng),2019年上半年開(kāi)工建設(shè),建設(shè)期預(yù)計(jì)22個(gè)月,2021年建成投產(chǎn),2022年實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)產(chǎn)運(yùn)行。項(xiàng)目投產(chǎn)后,預(yù)測(cè)達(dá)產(chǎn)后年銷(xiāo)售收入96,628.29 萬(wàn)元,達(dá)產(chǎn)年利潤(rùn)總額23,690.91萬(wàn)元,達(dá)產(chǎn)年投資利潤(rùn)率17.71%,投資利稅率18.63%,全部投資所得稅后財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為21.72%;投資回收期6.01年。

乾照光電表示,砷化鎵/氮化鎵半導(dǎo)體器件主要依附于MOCVD進(jìn)行外延生產(chǎn),技術(shù)含量高;在軍用和民用無(wú)線通訊等領(lǐng)域需求旺盛,而相關(guān)國(guó)內(nèi)廠商稀缺,國(guó)家正大力支持該行業(yè)的迅速發(fā)展。乾照光電憑借在砷化鎵和氮化鎵光電器件領(lǐng)域多年研發(fā)和生產(chǎn)的積累,通過(guò)本項(xiàng)目的建設(shè),將有助于乾照光電在其他市場(chǎng)領(lǐng)域的突破,對(duì)公司的戰(zhàn)略發(fā)展具有重要意義。

此外,本項(xiàng)目的實(shí)施,可以對(duì)地區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)展有明顯的推動(dòng)作用。同時(shí),該項(xiàng)目的建設(shè)對(duì)廈門(mén)打造半導(dǎo)體高端產(chǎn)業(yè)集群計(jì)劃的實(shí)施具有重要意義。在環(huán)境保護(hù)方面,本項(xiàng)目利用原有環(huán)保體系,完全可以達(dá)到環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),不會(huì)對(duì)環(huán)境造成影響。

 

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