新凱來、電科裝備、高測股份大動作,瞄準(zhǔn)第三代半導(dǎo)體等發(fā)展

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 03 月 27 日 12:34 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC

SEMICON China 2025正如火如荼在上海召開,半導(dǎo)體設(shè)備參展廠商活躍,吸引觀眾駐足。值得一提的是,本次展會上,圍繞第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域,包括新凱來、電科裝備、高測股份等在內(nèi)的多家半導(dǎo)體設(shè)備廠商拿出了最新產(chǎn)品與方案。

1、新凱來展示多款半導(dǎo)體設(shè)備,涉及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域!

SEMICON China 2025展會期間,國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備新銳創(chuàng)企新凱來“首秀”,引發(fā)現(xiàn)場極大關(guān)注。新凱來展出了工藝裝備、量檢測裝備等全系列產(chǎn)品,并發(fā)布了五款新品,涉及先進制程、第三代半導(dǎo)體等多個領(lǐng)域。

五款新品分別是:

EPI(峨眉山):專攻先進制程及第三代半導(dǎo)體。
ALD(阿里山):支持5nm及更先進制程。
PVD(普陀山):金屬鍍膜精度微米級,已進入國內(nèi)晶圓代工大廠驗證階段。
ETCH(武夷山):聚焦第三代半導(dǎo)體刻蝕。
CVD(長白山):適配5nm,兼容多種制程節(jié)點。

據(jù)悉,EPI外延層是半導(dǎo)體制造中的重要技術(shù),尤其是在先進制程和第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域。ETCH蝕刻是半導(dǎo)體制造工藝,微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一道相當(dāng)重要的步驟,是與光刻相聯(lián)系的圖形化(pattern)處理的一種主要工藝,目前主要由國際巨頭主導(dǎo);CVD化學(xué)氣相沉積是半導(dǎo)體制造中需求量最大的設(shè)備之一,PVD物理氣相沉積、ALD原子層沉積等都是半導(dǎo)體制造工藝當(dāng)中非常重要的高端設(shè)備。

資料顯示,新凱來致力于半導(dǎo)體裝備及零部件、電子制造設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與服務(wù),該公司核心團隊具備20年以上電子設(shè)備技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗。近年,新凱來完成了全系列裝備開發(fā),初步滿足邏輯、存儲等半導(dǎo)體制造企業(yè)的需求。截至2024年底,大部分裝備已經(jīng)取得突破,開始驗證和應(yīng)用。

2、電科裝備大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案亮相

SEMICON China 2025期間,媒體聚焦電科裝備最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案進行報道。

電科裝備經(jīng)過多年發(fā)展,電科裝備培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學(xué)機械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品,形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。

報道指出,該公司最新發(fā)布的大尺寸碳化硅材料加工智能解決方案采用最新激光剝離工藝進行晶體切片,相較于傳統(tǒng)加工產(chǎn)線采用的多線切割晶體切片技術(shù),激光剝離設(shè)備可以使激光聚焦在碳化硅晶體內(nèi)部誘導(dǎo)產(chǎn)生一層裂紋,從而避免了傳統(tǒng)多線切割造成的切割線損,平均每片切割研磨損耗僅為原來的40%左右,顯著降低加工成本。

目前該解決方案已獲得市場積極反饋,進入用戶產(chǎn)線開展試驗驗證,并與多家頭部企業(yè)達成意向合作。

3、高測股份展示碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案

高測股份首次亮相該展會,帶來了公司聚焦晶圓加工制造環(huán)節(jié),全面迭代布局的8英寸碳化硅“切、倒、磨”一體化解決方案。

在切割環(huán)節(jié),高測股份2018年、2021年,先后推出針對半導(dǎo)體硅、碳化硅切割的金剛線切片專機,通過持續(xù)優(yōu)化切割工藝和參數(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)對不同尺寸、不同材質(zhì)晶圓的高精度切割,不斷提升線切的切割效率、切片質(zhì)量,降低材料損耗。

在倒角環(huán)節(jié),高測股份2024年推出全自動晶圓倒角機,采用獨特的雙工位獨立研磨設(shè)計,適用于4寸、6寸、8寸半導(dǎo)體晶圓材料的邊緣倒角加工。

source:高測股份

在研磨環(huán)節(jié),高測股份全自動減薄機采用In-feed加工原理,通過砂輪旋轉(zhuǎn)及垂直進給對旋轉(zhuǎn)的晶圓進行磨削加工,實現(xiàn)高精度、高剛性、高穩(wěn)定性、高效加工能力、低損傷加工,全面兼容6-8英寸晶圓磨削加工,表面粗糙度控制在3nm以下,滿足高端芯片制造對晶圓表面質(zhì)量的嚴格標(biāo)準(zhǔn)。

在第三代半導(dǎo)體材料加工需求激增的背景下,針對市場對工藝整合與效率提升愈發(fā)迫切的訴求,高測股份“切、倒、磨”一體化方案全流程緊密銜接,從切割設(shè)備的高效切割,到倒角設(shè)備對晶圓邊緣的精細處理,再到減薄設(shè)備對晶圓表面的打磨拋光,實現(xiàn)了從原材料到成品的一站式加工。(集邦化合物半導(dǎo)體 奉穎嫻 整理)

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