日前，三安光電發(fā)布公告宣布全資子公司湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金近1.54億元。
公告顯示，根據(jù)三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目投資建設(shè)合同》，長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會同意撥付湖南三安15,372.65萬元，湖南三安已于11月13日收到這筆款項。
湖南三安是三安光電在長沙投建的160億元第三代半導體項目的實施主體，經(jīng)營范圍包括研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等第三代半導體產(chǎn)品。
此項目聚焦包括但不限于碳化硅的第三代半導體產(chǎn)業(yè)，擬建設(shè)長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈。8月消息顯示，湖南三安已完成部分項目用地摘牌，剩余土地也將盡快摘牌，項目處于基礎(chǔ)建設(shè)階段。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
早前，三安光電表示，長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會給予項目實施主體補助、扶持、補貼等支持資金，包括科技研發(fā)專項扶持、生產(chǎn)要素補貼、兩高人才補貼、市場拓展等。
本次獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金，在一定程度上有助于湖南三安推動第三代半導體項目的建設(shè)與實施。據(jù)了解，該項目在用地各項手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。
除了長沙第三代半導體項目以外，三安光電同時正在穩(wěn)步推進其他幾個關(guān)于Mini/Micro LED、化合物半導體的大項目。
其中，湖北葛店120億元Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項目去年7月正式開工，今年順利推進，預(yù)計明年3月項目投產(chǎn)見效。
福建泉州333億元高端氮化鎵LED襯底等七大產(chǎn)業(yè)化項目也正在順利推進中，并于今年加快了發(fā)展步伐，項目已有部分設(shè)備調(diào)試完成，產(chǎn)能正在逐步釋放。（文：LEDinside Janice）
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