氮矽科技攜手Ulike打造首款超聲炮美容儀產(chǎn)品,加速GaN元件導(dǎo)入消費(fèi)市場(chǎng)

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 04 月 30 日 16:42 | 分類 氮化鎵GaN

致力于引領(lǐng)全球氮化鎵(GaN)革命的解決方案供應(yīng)商氮矽科技近日宣布,氮矽科技先進(jìn)低壓氮化鎵集成方案DXC3510S2CA產(chǎn)品成功應(yīng)用于由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10。依靠其超高頻、高效能等性能優(yōu)勢(shì),該技術(shù)方案強(qiáng)力支持產(chǎn)品超聲聚能和能量穩(wěn)定傳輸,助力Ulike-Jmoon超聲美容儀走向家用,探索科技帶來(lái)的無(wú)限可能,同時(shí)也標(biāo)志著 GaN 技術(shù)在消費(fèi)級(jí)美容設(shè)備領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用邁出了重要一步。

Source: 氮矽科技

根據(jù)TrendForce 集邦咨詢《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。

報(bào)告指出,消費(fèi)電子是功率GaN產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng),并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手機(jī)等領(lǐng)域。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,功率GaN產(chǎn)業(yè)正處于關(guān)鍵的突圍時(shí)刻,幾大潛力應(yīng)用同步推動(dòng)著產(chǎn)業(yè)規(guī)模加速成長(zhǎng)。

此次由萊智能(Ulike)旗下高端品牌極萌(Jmoon)的一款超聲美容儀JCS10,專為需要深度抗衰人群設(shè)計(jì)的新品,支持淺層提拉淡紋、中層嘭彈緊致、深層塑形抗垂三種工作模式,其外形結(jié)構(gòu)精巧,尺寸為52.9*53.42*210mm, 額定輸入為12V3A,內(nèi)部結(jié)構(gòu)更為精密,包含3塊PCB小板以及雙電機(jī),其中,一塊板子區(qū)域內(nèi)采用的是2顆100V低壓氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成方案DXC3510S2CA (GaN PIIP IC),具體集成了100V E-mode GaN HEMT和氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器,具備低電壓、小電阻和大電流以及0-20V 寬范圍輸入耐壓能力。這些特性極大地簡(jiǎn)化了外圍電路設(shè)計(jì),并為超聲波的高強(qiáng)度聚焦與高頻能量穩(wěn)定輸出提供了可靠的技術(shù)支持。

氮矽科技向集邦化合物半導(dǎo)體表示“DXC3510S2CA 產(chǎn)品支持超高開關(guān)頻率,有助于提升系統(tǒng)功率密度和響應(yīng)速度。與傳統(tǒng)的低壓MOS管相比,GaN 方案擁有更低的開關(guān)損耗和零反向恢復(fù)損耗特性,有效優(yōu)化了開關(guān)噪音,完美契合了消費(fèi)類護(hù)膚產(chǎn)品對(duì)高可靠性的需求。

Source: 氮矽科技

將氮化鎵驅(qū)動(dòng)集成方案應(yīng)用于個(gè)護(hù)產(chǎn)品是行業(yè)內(nèi)的首次嘗試,期間面臨諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。氮矽科技及其授權(quán)代理商深圳凌海創(chuàng)電子與 Ulike 的深度合作,專注于前沿電子方案的凌海電子在雙方合作中扮演關(guān)鍵橋梁作用,在客戶解決實(shí)際問(wèn)題中有著豐富的在場(chǎng)應(yīng)用技術(shù)協(xié)調(diào)能力,加速原廠產(chǎn)品導(dǎo)入終端應(yīng)用市場(chǎng)。透過(guò)此次三方緊密合作,共同克服了功率GaN元件導(dǎo)入到精巧超聲美容儀產(chǎn)品的技術(shù)障礙,經(jīng)過(guò)多次實(shí)驗(yàn)室調(diào)試于優(yōu)化,最終確保了高性能、高品質(zhì) GaN 方案在該美容儀產(chǎn)品中的穩(wěn)定應(yīng)用。(文:TrendForce/Christine)

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