Tesla最近表示將在不損害汽車性能和效率的前提下，在下一代電動汽車平臺縮減75% SiC用量，這是Tesla提供的關(guān)于新車計劃的少數(shù)硬性細節(jié)之一，由此引發(fā)了業(yè)界的各種猜測。
據(jù)TrendForce集邦咨詢了解， SiC可靠性以及供應鏈的穩(wěn)定性確實令Tesla信心不足，過去幾年中曾因此出現(xiàn)過Model 3批量召回事件，當時Tesla官網(wǎng)解釋為“后電機逆變器功率半導體元件可能存在微小的制造差異，其中部分車輛使用一段時間后元件制造差異可能會導致后逆變器發(fā)生故障，造成逆變器不能正常控制電流”，這直接指向SiC。
此外，以襯底材料為關(guān)鍵的產(chǎn)能緊缺情況已成為困擾整個SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的難題，Wolfspeed、Infineon、ST等主要廠商正在大舉擴充產(chǎn)能，Tesla亦在尋求多元化供應商方案，以防備供應鏈風險。
不可否認的是，SiC仍是電動汽車制造商未來必須考慮的核心零組件，這包括Tesla。因此，若考量到技術(shù)變革所帶來的影響，TrendForce集邦咨詢認為Tesla下一代電動汽車主逆變器將做出全新的封裝調(diào)整，可能包括SiC/ Si IGBT的混合封裝方案，這是工程設計層面的顛覆性創(chuàng)新，但充滿挑戰(zhàn)。
與此同時，TrendForce集邦咨詢認為Tesla下一代電動汽車關(guān)鍵SiC MOSFET工藝亦或由Planar結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)向Trench結(jié)構(gòu)，Infineon、ROHM、BOSCH為Trench SiC MOSFET主要供應商。
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這些技術(shù)的改變將大幅縮減SiC成本，降低整車系統(tǒng)復雜性與成本，進而推動SiC在中低階車型中的滲透，但亦將對Si IGBT形成一定的沖擊。
作為車用SiC市場風向標，Tesla的一舉一動持續(xù)為業(yè)界予以高度關(guān)注，考慮到其下一代電動汽車平臺信息尚不明朗，因此當前種種猜測仍需時日去佐證。（文：集邦化合物半導體 Matt）
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