鴻鎵科技專注于氮化鎵(GaN)研發(fā)技術(shù),提供節(jié)能省電的功率半導(dǎo)體組件與終端產(chǎn)品。深耕布局日本GaN快充市場、為中國臺灣地區(qū)首家打入要求嚴(yán)格的日商供應(yīng)鏈公司; 研發(fā)技術(shù)也獲得電源大廠環(huán)隆科技所采用。鴻鎵科技提供的65W GaN快充,通過了日本PSE認(rèn)證。鴻鎵科技亦積極布局半導(dǎo)體領(lǐng)域,研發(fā)新材料,最新抗靜電技術(shù)已打入世界級封測大廠,2024年中便有望漸收成效。
鴻鎵科技攜手日本電信集團(tuán)子公司NTT-AT,將GaN快充導(dǎo)入日本市場販?zhǔn)郏瑸橹袊_灣地區(qū)第一家GaN廠商與日本大廠合作; 雙方持續(xù)擴(kuò)大合作領(lǐng)域,開發(fā)新款100W GaN快充,估計(jì)2024年問世。未來將會與手機(jī)大廠一同開發(fā),將GaN功率元件導(dǎo)入旗下品牌快充、積極跨進(jìn)國際市場。
在半導(dǎo)體技術(shù)部分,鴻鎵亦積極搶進(jìn)。隨著AI、電動車、低軌衛(wèi)星應(yīng)用,半導(dǎo)體元件全面導(dǎo)入10nm以下先進(jìn)制程,然而在封裝過程中,將遇到嚴(yán)重靜電效應(yīng),生產(chǎn)良率降低等問題。鴻鎵科技推出全新領(lǐng)先全球耐高溫300°C、具高耐磨特性的抗靜電技術(shù),不僅可應(yīng)用于GaN封裝制程良率提升,同時為先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。
鴻鎵抗靜電鍍膜于半導(dǎo)體封裝模具及治具,實(shí)現(xiàn)可平面、立體鍍膜成果(圖來源:鴻鎵科技)
鴻鎵科技指出,公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)長期致力半導(dǎo)體新材料研發(fā)。最新一代抗靜電技術(shù),可于金屬材料表面形成一層致密、耐高溫的抗靜電層,于表面生成高耐磨且壽命長的納米級鍍膜,精準(zhǔn)控制表面電阻值在10?到10? Ω區(qū)間,有效防止靜電的累積。該技術(shù)不僅在生產(chǎn)過程中提供可靠的防御,還能確保半導(dǎo)體設(shè)備在使用中不會受到靜電的影響,提高產(chǎn)品可靠度,以及延長設(shè)備使用壽命。
鴻鎵進(jìn)一步分析,此抗靜電技術(shù)除特性優(yōu)于現(xiàn)有抗靜電技術(shù)外,且不受尺寸限制,因此成本相較于現(xiàn)有抗靜電鍍膜技術(shù)具競爭力,并可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的各制程,包括制造、封裝和測試等環(huán)節(jié); 目前已送樣封測大廠測試中,預(yù)估今年在先進(jìn)鍍膜業(yè)績,便會迅速看到成長。
來源:臺灣中時新聞網(wǎng)
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