自2023年英飛凌收購GaN Systems以來，氮化鎵（GaN）領域的競爭格局便開始發(fā)生變化，在近一年多起出售、并購、倒閉案出現(xiàn)之后，市場動蕩的局面達到了一個新的高點，并且目前仍在發(fā)酵中。近日，又有一家公司宣布擬調(diào)整GaN業(yè)務，但值得注意的是，此消息背后隱藏著積極的信號。
臺亞半導體擬分拆GaN事業(yè)群，或?qū)ⅹ毩⑸鲜?/strong>
4月11日，臺亞半導體召開董事會，會上宣布擬分割8英寸GaN事業(yè)群，包括相關(guān)資產(chǎn)與業(yè)務，分割后由旗下全資子公司冠亞半導體承接，并且由后者發(fā)行新股予以臺亞半導體作為對價。分割日期暫定在8月30日，5月28日將提送股東常會討論決議。
圖片來源：臺亞半導體
臺亞半導體介紹，本次預計分割價值約10億元新臺幣（約合人民幣2.24億元），8英寸GaN業(yè)務分割給冠亞半導體之后，臺亞半導體自身的相關(guān)運營及業(yè)務皆正常運作，對原有股東之權(quán)利義務均無影響。
臺亞半導體原名光磊，起步于光電產(chǎn)業(yè)感測元件市場，后于2021年10月正式改名臺亞半導體，表明轉(zhuǎn)型感測半導體先進廠商的決心。隨著SiC/GaN等第三代半導體市場需求及投資熱情逐步提升，臺亞半導體亦積極搶攻第三代半導體市場。
其中，SiC業(yè)務由旗下子公司積亞半導體負責，主要生產(chǎn)SiC晶圓，產(chǎn)能目標為5000片/月。硅基GaN業(yè)務由臺亞半導體經(jīng)營，產(chǎn)能建設初期以6英寸晶圓為主，已于2023年7月順利試產(chǎn)GaN功率元件。同時，臺亞半導體積極建設8英寸GaN產(chǎn)線，計劃開發(fā)E-mode 650V HEMT功率元件，聚焦3C快充、云端信息存儲中心、電動車、無人機市場應用，預計2024年底前實現(xiàn)3000片/月的出貨量。
臺亞半導體總經(jīng)理衣冠君表示，公司已與許多客戶進行相關(guān)產(chǎn)品的可靠性驗證，客戶反饋的驗證結(jié)果良好，并表示可媲美一線大廠，目前整個GaN事業(yè)群發(fā)展進度超前。
針對臺亞半導體此舉，業(yè)界預計，其目的是推動GaN事業(yè)群上市IPO計劃。實際上，該推測確與臺亞半導體當前的發(fā)展規(guī)劃相符。據(jù)了解，臺亞半導體2022年已將面板組裝與系統(tǒng)開發(fā)業(yè)務分割出去，成立了子公司光磊先進顯示并規(guī)劃上市；除此之外，視覺顯示、IC設計、人工智能（AI）檢測等子公司也將分批推動上市計劃。
本次分割之后，臺亞半導體的GaN業(yè)務有望獲得更大的發(fā)展空間，產(chǎn)品開發(fā)與驗證、量產(chǎn)應用的進程將加快，而集團資源也將進一步整合，助力各子公司業(yè)務取得長足的發(fā)展。
市場集中度提升，GaN市場發(fā)展雖慢但穩(wěn)
今年以來，GaN領域似乎傳來了不少消極的消息：美國垂直GaN半導體技術(shù)生產(chǎn)商NexGen Power Systems、新加坡射頻GaN芯片供應商Gallium Semiconductor相繼宣布倒閉，而美國垂直GaN器件廠商Odyssey隨后也宣布出售公司資產(chǎn)。
盡管這些消息反映GaN市場經(jīng)營遇到困境的事實，但從資源分配的角度來看，小廠的退出有利于資源進一步向有實力的大廠集中，GaN技術(shù)的潛力能夠更快地被挖掘出來，這一點從兩起大型并購案可窺知一二。
業(yè)界皆知，GaN市場兩大主力GaN Systems及Transphorm已相繼并入功率半導體巨頭英飛凌和半導體芯片大廠瑞薩電子，在綜合能力、技術(shù)共享、客戶資源、成本管控等方面都獲得了明顯的提升，有望發(fā)揮1+1＞2的效果。并且，目前包括英飛凌、瑞薩電子等在內(nèi)的各大廠商對于能源轉(zhuǎn)型期下GaN的發(fā)展前景依舊持著樂觀、看好的態(tài)度。
從實際進展來看，GaN技術(shù)在電動車、光儲充等高壓高功率市場的應用越來越值得期待。據(jù)集邦化合物半導體此前不完全統(tǒng)計，GaN主要玩家PI、納微半導體、英諾賽科、GaN Systems、Transphorm、VisIC及博世等2023年在車用GaN市場取得了實質(zhì)性的成果。
另外，GaN技術(shù)去年也進一步打開了光伏儲能應用市場，例如，大恒能源的光伏微型逆變器將采用Transphorm的GaN器件，而英諾賽科、EPC及鎵未來也在積極推廣光伏儲能用GaN技術(shù)，布局相關(guān)產(chǎn)品線。
在此基礎上，高壓GaN技術(shù)領域也不斷傳來好消息，越來越多廠商加入研發(fā)1200V及以上，以及基于藍寶石襯底的GaN技術(shù)。
比如，GaN器件廠商致能科技開發(fā)了1200V D-Mode高可靠性GaN器件平臺。據(jù)悉，該平臺在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已達到2400V，可匹配工業(yè)、新能源、汽車等領域的需求。該公司近日還成功開發(fā)了8英寸藍寶石基GaN HEMTs晶圓，有助于1200V-3300V高壓GaN平臺的實現(xiàn)。
從大廠的擴產(chǎn)、產(chǎn)品布局動態(tài)及技術(shù)領域的進展來看，GaN技術(shù)在電動車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等更高功率市場的應用雖進展較緩慢，但一直在穩(wěn)步前進。目前臺亞半導體的業(yè)務發(fā)展效果以及此次的分割之舉也可以作為一個有力的佐證。隨著技術(shù)的進步、成本的下降與產(chǎn)業(yè)生態(tài)的調(diào)整，相信GaN領域?qū)⒂瓉硪环碌木跋?。（文：集邦化合物半導體Jenny）
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