近日，碳化硅領域喜訊頻傳，中國電科、三安光電和中瓷電子紛紛在業(yè)務上取得關鍵突破，為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動力。
中國電科：30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨
近日，據(jù)中國電科官微消息，其所屬的48所成功實現(xiàn)第三代半導體SiC外延設備的首次大規(guī)模批量發(fā)貨，共計30臺套。截至目前，中國電科已累計出貨百余臺套，并在客戶現(xiàn)場穩(wěn)定運行。
據(jù)悉，SiC（碳化硅）外延設備是第三代半導體器件制造的核心關鍵設備之一。與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，SiC材料具有耐高溫、耐高壓和高導電性等優(yōu)勢，廣泛應用于新能源汽車、5G通信、航空航天等領域。然而，由于技術門檻高、設備復雜，SiC外延設備的研制和產(chǎn)業(yè)化一直是全球半導體領域的難題。
此次大規(guī)模發(fā)貨，將有力推動國內SiC器件制造企業(yè)的產(chǎn)能提升和技術升級。隨著更多SiC外延設備投入使用，國內碳化硅產(chǎn)業(yè)在材料制備環(huán)節(jié)將更加成熟，有助于降低碳化硅器件成本，提高產(chǎn)品性能，進而促進碳化硅在新能源汽車、5G通信、智能電網(wǎng)等領域的廣泛應用。
三安光電：湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)向維諦技術供貨
2月17日，三安光電在投資者互動平臺透露重要消息，湖南三安的碳化硅產(chǎn)品已成功向維諦技術供貨，供貨金額達到千萬級別。此前三安光電與維諦技術簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，維諦技術專注于數(shù)據(jù)中心液冷系統(tǒng)。此次成功供貨，不僅是雙方合作的重要成果，也標志著三安光電在碳化硅產(chǎn)品市場拓展上邁出堅實一步。
據(jù)悉，在碳化硅功率器件方面，三安光電成績斐然。針對工業(yè)級市場，湖南三安的1200V20mΩ/32mΩ/75mΩ，650V27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiCMOSFET已實現(xiàn)量產(chǎn)；面向車規(guī)級市場，車載充電機、空調壓縮機用SiCMOSFET已實現(xiàn)小批量出貨，主驅逆變器用SiC MOSFET已在重點新能源汽車客戶處導入可靠性驗證。隨著供貨維諦技術，其在數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等領域的市場份額有望進一步擴大。
中瓷電子：國聯(lián)萬眾公司SiC?MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)
中瓷電子近期在碳化硅業(yè)務上也有新進展，其全資子公司國聯(lián)萬眾SiC MOSFET芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)，模塊產(chǎn)品目前處于小批量供貨階段。此前，國聯(lián)萬眾公司電驅用1200V SiC MOSFET芯片已研發(fā)成功并交付客戶上車驗證，還有小批量銷售。
在電動汽車主驅用大功率MOSFET產(chǎn)品方面，中瓷電子產(chǎn)品主要面向比亞迪，其他客戶也在密切接觸、合作協(xié)商、送樣驗證等階段。據(jù)悉，中瓷電子目前相關產(chǎn)能正在建設中，已具備一定生產(chǎn)能力，預計今年底月產(chǎn)能達到5000片，2024年預計月產(chǎn)能在5000-10000片。
另外，該公司募投項目已進行初期投資，產(chǎn)能逐步建設，近兩年預期相關產(chǎn)品產(chǎn)能可被下游客戶消化。隨著芯片量產(chǎn)和模塊小批量供貨，中瓷電子在電動汽車、工業(yè)控制等領域有望獲得更多市場機會，進一步提升其在碳化硅功率器件市場的競爭力。（集邦化合物半導體竹子整理）
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