近年，印度積極推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體正受到極大關(guān)注。
近期，外媒報道，印度信息技術(shù)部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。
據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學(xué)研究所 (IISc) 撥款 33.4 億盧比（約2.8億人民幣），將用于氮化鎵的技術(shù)研發(fā)，用于電信和電力領(lǐng)域。
報道指出，IISc的一組跨學(xué)科教員已成功研發(fā)了印度首個電子模式氮化鎵功率晶體管，其性能達到高標準，為氮化鎵技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用奠定了堅實基礎(chǔ)。
今年1月，印度首個碳化硅半導(dǎo)體工廠在奧里薩邦正式奠基，預(yù)計三年內(nèi)完成建設(shè)，將專注于生產(chǎn)碳化硅等產(chǎn)品，以滿足電力電子、可再生能源系統(tǒng)以及電動汽車的需求。據(jù)悉，該項目由RIR Power Electronics Limited公司打造，總投資額達62億盧比（約25億元人民幣）。
稍早之前，媒體報道，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應(yīng)用中發(fā)揮作用。（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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