近期，第三代半導體領域動作頻頻，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）兩大技術路線均有新品亮相，如英飛凌、英諾賽科、華潤微電子、派恩杰半導體不斷推出新產(chǎn)品，為功率器件市場注入新活力。
英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列
4月22日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN? G5中壓晶體管。據(jù)悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。
source：英飛凌官微（圖為集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管）
據(jù)英飛凌介紹，該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。
英飛凌新推出的 CoolGaN? G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解功率損耗問題，適用于服務器和電信中間總線轉換器IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅動等應用場景。
此外，采用這種新型CoolGaN? 晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅動器兼容，且由于死區(qū)時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設計。
英諾賽科發(fā)布1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，官宣其自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品并表示已實現(xiàn)量產(chǎn)。
英諾賽科表示，這款1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品在新能源汽車800V平臺，可提升車載充電效率并縮小體積，擴大續(xù)航里程并降低成本；在高壓母線的AI數(shù)據(jù)中心架構及工業(yè)電源領域，有助于實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心電源高效高密度的轉換以及工業(yè)電源的小型化和高效化。
此外，憑借寬禁帶特性，該款產(chǎn)品在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)以及AI數(shù)據(jù)中心等領域。
華潤微電子發(fā)布新SiC主驅模塊
4月19日，華潤微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅模塊。
根據(jù)公司介紹，該系列模塊兼具SiC器件的低導通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能。
source：華潤微電子
華潤微電子新款SiC主驅模塊采用自主設計的Si3N4 AMB、銀燒結、DTS工藝，均流特性好，寄生電感小。并且集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成；6管/8管并聯(lián)，通過對Vth的嚴格分檔提高芯片一致性。
派恩杰半導體推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM
4月16日，派恩杰半導體宣布推出SiC HPD模塊系列-PAAC12450CM。派恩杰芯片具有較小的RDSON溫漂特性，在其6并聯(lián)的布局設計，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競品方案實現(xiàn)了相近的功率密度，帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。
派恩杰半導體表示，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設計，從電流均流和寄生電感兩方面提升整體性能，為新能源汽車制造商提供更可靠的選擇。此外，派恩杰的獨特芯片設計，使得芯片的導通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實際高溫工況下的功率輸出衰減。（集邦化合物半導體 妮蔻 整理）