近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導體技術為核心驅動力，在AI算力基礎設施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領域連破壁壘，成功打入多個全球一線品牌供應鏈。
source：芯干線科技
AI算力基建領域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測試，順利通過某全球某一線AI服務器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗證，預計在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。
3C消費電子領域，芯干線為某全球一線手機品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增強型(E-mode)氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻150mΩ，DFN5x6封裝。
專業(yè)音頻領域，芯干線針對高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過國際一線品牌的認證并實現(xiàn)量產(chǎn)。
新能源儲能領域，芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導通電阻，在導通電阻與動態(tài)性能上均實現(xiàn)了相當大的提升。
展望2025，芯干線計劃將研發(fā)投入提升至營收的25%，重點突破車規(guī)級SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標在新能源汽車功率半導體市場實現(xiàn)從0到1的突破。（集邦化合物半導體整理）