浙江晶能微電子有限公司（以下簡稱“晶能”）與株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“中車時(shí)代半導(dǎo)體”）于近日簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。此次合作聚焦于Si、SiC、GaN等功率半導(dǎo)體器件的芯片設(shè)計(jì)、工藝創(chuàng)新、模塊封裝及測試驗(yàn)證等關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的突破與產(chǎn)業(yè)化。
圖片來源：晶能
晶能是吉利旗下功率半導(dǎo)體平臺(tái)，專注于高可靠性功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與制造。公司在杭州、臺(tái)州和嘉興布局了三座智能化生產(chǎn)基地，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能機(jī)器人等場景。
今年6月，晶能與星驅(qū)技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同出資設(shè)立的SiC半橋模塊制造項(xiàng)目正式投產(chǎn)，預(yù)計(jì)年產(chǎn)10萬套，年產(chǎn)值約12.5億元。該項(xiàng)目于2024年2月啟動(dòng)，采用國際領(lǐng)先制造工藝，填補(bǔ)國內(nèi)相關(guān)市場空白，顯著提升晶能在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，為新能源汽車產(chǎn)業(yè)提供高性能、高可靠性的關(guān)鍵零部件，助力行業(yè)技術(shù)升級。
今年5月，晶能位于杭州市錢江經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的一期工廠技改項(xiàng)目順利竣工驗(yàn)收。該項(xiàng)目于2024年6月啟動(dòng)，總投資超過3億元，通過引入先進(jìn)設(shè)備和優(yōu)化生產(chǎn)工藝，顯著提升了工廠的智能化水平和生產(chǎn)效率。技改完成后，工廠具備了年產(chǎn)60萬套IGBT功率模塊及5萬套SiC功率模塊的產(chǎn)能，能夠更好地滿足新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域的市場需求，進(jìn)一步鞏固了晶能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場地位。
據(jù)悉，晶能微電子在2024年10月完成了5億元B輪融資，由秀洲翎航基金投資。這筆融資將進(jìn)一步支持其在功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)研發(fā)、模塊制造和上車應(yīng)用等方面的投入。
中車時(shí)代半導(dǎo)體則是中國中車旗下專注于功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，采用IDM（集成設(shè)計(jì)制造）模式運(yùn)營，構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)到模塊封裝的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其技術(shù)積累可追溯至1964年，在IGBT和SiC器件等領(lǐng)域擁有多項(xiàng)自主核心技術(shù)，并在中國和英國設(shè)有研發(fā)中心。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
值得關(guān)注的是，中車時(shí)代半導(dǎo)體在SiC領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。其6英寸SiC芯片中試線已初步具備年產(chǎn)2.5萬片的產(chǎn)能。此外，公司正積極推進(jìn)8英寸SiC晶圓產(chǎn)線建設(shè)，預(yù)計(jì)在2025年底實(shí)現(xiàn)產(chǎn)線拉通。該產(chǎn)線投產(chǎn)后，將具備月產(chǎn)3萬片的產(chǎn)能，有望成為中國技術(shù)最先進(jìn)、產(chǎn)能最大的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。
在產(chǎn)品方面，中車時(shí)代半導(dǎo)體的SiC MOSFET產(chǎn)品覆蓋650V至6500V電壓等級，特別適用于高頻、大功率密度系統(tǒng)，已被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力發(fā)電和光伏逆變器等領(lǐng)域。公司預(yù)計(jì)，2025年其SiC MOSFET產(chǎn)品有望在新能源汽車主驅(qū)電驅(qū)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)批量應(yīng)用。
除了SiC領(lǐng)域的進(jìn)展，中車時(shí)代半導(dǎo)體近期還與羅杰斯公司、賽米控丹佛斯等簽署了合作備忘錄，共同開發(fā)功率模塊芯片技術(shù)。
當(dāng)前，全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)，新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)對高效、高可靠性功率器件的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。SiC與GaN等第三代半導(dǎo)體技術(shù)憑借其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，正成為全球產(chǎn)業(yè)競爭的戰(zhàn)略高地。此次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，將進(jìn)一步提升國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的自主創(chuàng)新能力和國際競爭力，助力中國高端制造轉(zhuǎn)型升級。
未來，雙方還將在聯(lián)合技術(shù)攻關(guān)、人才培養(yǎng)及產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)等方面深化合作，通過打造產(chǎn)學(xué)研用深度融合的創(chuàng)新平臺(tái)，為全球綠色能源與智能交通發(fā)展提供更高效的半導(dǎo)體解決方案。
（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）
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